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डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एर्रेहरू

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MBRB3045CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBRB3045CT-E3/45

भाग स्टक: 77806

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 45V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 15A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 600mV @ 20A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VS-VSKJ71/14
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKJ71/14

भाग स्टक: 2188

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Anode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1400V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 40A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
MBRB1545CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBRB1545CT-E3/45

भाग स्टक: 112097

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 45V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 7.5A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 840mV @ 7.5A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VB10170C-E3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division

VB10170C-E3/8W

भाग स्टक: 122126

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 170V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 5A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.03V @ 5A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VS-UFB211FA40
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-UFB211FA40

भाग स्टक: 3323

डायोड कन्फिगरेसन: 2 Independent, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 400V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 120A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.59V @ 100A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
SBLB25L30CTHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

SBLB25L30CTHE3_A/I

भाग स्टक: 79749

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 30V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 12.5A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 390mV @ 12.5A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VS-200CNQ045PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-200CNQ045PBF

भाग स्टक: 1787

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 45V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 200A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 550mV @ 100A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
MBRB25H35CTHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBRB25H35CTHE3_A/I

भाग स्टक: 65353

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 35V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 15A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 640mV @ 15A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VS-VSKD166/14PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKD166/14PBF

भाग स्टक: 1320

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1400V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 82.5A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
MBRB2090CT-E3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBRB2090CT-E3/8W

भाग स्टक: 65849

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 90V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 10A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 800mV @ 10A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
SBL25L30CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

SBL25L30CT-E3/45

भाग स्टक: 81861

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 30V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 12.5A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 490mV @ 12.5A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VBT2045CBP-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division

VBT2045CBP-M3/4W

भाग स्टक: 87405

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 45V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 10A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 580mV @ 10A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VS-VSKCS203/100
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKCS203/100

भाग स्टक: 1866

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Series Connection, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 100A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 990mV @ 100A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VS-VSKJS409/150
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKJS409/150

भाग स्टक: 1011

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Anode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 150V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 200A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.03V @ 200A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
MBR10H100CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBR10H100CT-E3/45

भाग स्टक: 94811

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 5A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 760mV @ 5A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
MBRB1090CT-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBRB1090CT-E3/4W

भाग स्टक: 127965

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 90V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 5A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 850mV @ 5A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VS-VSKJS209/150
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKJS209/150

भाग स्टक: 1905

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Anode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 150V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 100A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.01V @ 100A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VS-VSKC236/12PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKC236/12PBF

भाग स्टक: 1199

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Series Connection, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1200V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 115A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
MBRB30H60CT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBRB30H60CT-E3/81

भाग स्टक: 55810

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 60V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 15A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 680mV @ 15A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
SBLB1040CTHE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division

SBLB1040CTHE3_A/P

भाग स्टक: 110716

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 40V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 5A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 550mV @ 5A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VB20M120C-E3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division

VB20M120C-E3/8W

भाग स्टक: 114192

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 120V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 10A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 910mV @ 10A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VS-VSUD200CH60PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSUD200CH60PBF

भाग स्टक: 2241

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 200A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 2V @ 200A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VS-VSKD71/16
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKD71/16

भाग स्टक: 2238

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1600V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 40A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VS-VSKCS409/150
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKCS409/150

भाग स्टक: 970

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Series Connection, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 150V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 200A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.03V @ 200A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VS-UFB130FA60
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-UFB130FA60

भाग स्टक: 1935

डायोड कन्फिगरेसन: 2 Independent, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 87A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.6V @ 60A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VS-UFL250CB60
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-UFL250CB60

भाग स्टक: 3988

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 130A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.44V @ 100A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VS-VSKJ166/16PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKJ166/16PBF

भाग स्टक: 1319

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Anode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1600V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 82.5A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VS-VSKJ71/10
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKJ71/10

भाग स्टक: 2090

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Anode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1000V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 40A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
MBR30H90PT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBR30H90PT-E3/45

भाग स्टक: 43170

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 90V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 15A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 820mV @ 15A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VS-VSKC56/04
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKC56/04

भाग स्टक: 2164

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Series Connection, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 400V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 30A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VS-VSKD56/16
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKD56/16

भाग स्टक: 2163

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1600V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 30A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VS-VSKCS400/045
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKCS400/045

भाग स्टक: 1583

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Series Connection, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 45V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 200A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 670mV @ 200A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VS-40CPQ035-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-40CPQ035-N3

भाग स्टक: 9661

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 35V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 40A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 590mV @ 40A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
MBRB20H100CT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBRB20H100CT-E3/81

भाग स्टक: 56467

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 10A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 770mV @ 10A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VS-HFA320NJ40CPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-HFA320NJ40CPBF

भाग स्टक: 1468

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 400V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 420A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.54V @ 320A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
SBL4040PT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

SBL4040PT-E3/45

भाग स्टक: 45720

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 40V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 40A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 580mV @ 20A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची