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VS-40CTQ045S-M3

भाग स्टक: 71124

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 45V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 20A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 530mV @ 20A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

Vishay Semiconductor Diodes Division

VBT4045C-E3/4W

भाग स्टक: 58401

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 45V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 20A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 580mV @ 20A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MBRB2090CTLHM3

भाग स्टक: 72605

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 90V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 10A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 800mV @ 10A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKD270-04PBF

भाग स्टक: 486

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 400V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 135A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-6CWQ06FNTR-M3

भाग स्टक: 154053

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 60V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 3.5A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 760mV @ 6A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

MBRB2090CT-M3/4W

भाग स्टक: 83421

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 90V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 10A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 800mV @ 10A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-16CTQ080STRR-M3

भाग स्टक: 66243

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 80V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 8A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 720mV @ 8A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-30CTQ035SHM3

भाग स्टक: 61726

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 35V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 15A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 620mV @ 15A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

VBT3045C-E3/4W

भाग स्टक: 80014

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 45V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 15A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 570mV @ 15A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

VB40M120C-E3/8W

भाग स्टक: 67231

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 120V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 20A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 890mV @ 20A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-72CPQ030-N3

भाग स्टक: 24069

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 30V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 35A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 510mV @ 35A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-HFA30PA60CPBF

भाग स्टक: 10558

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 15A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.7V @ 15A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

MBRB10100CT-E3/8W

भाग स्टक: 101052

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 5A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 850mV @ 5A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-30CTQ045-1-M3

भाग स्टक: 86016

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 45V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 15A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 620mV @ 15A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MBRB2545CTL-M3

भाग स्टक: 76223

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 45V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 15A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 820mV @ 30A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-6CWQ03FNTRR-M3

भाग स्टक: 137143

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 30V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 3.5A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 520mV @ 6A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-30CTQ100STRL-M3

भाग स्टक: 72018

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 15A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 860mV @ 15A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKJ320-16PBF

भाग स्टक: 469

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Anode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1600V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 160A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-15CTQ045STRL-M3

भाग स्टक: 91202

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 45V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 7.5A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 550mV @ 7.5A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

Vishay Semiconductor Diodes Division

VBT1045CBP-E3/4W

भाग स्टक: 136985

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 45V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 5A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 580mV @ 5A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKJ250-08PBF

भाग स्टक: 521

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Anode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 800V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 125A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

Vishay Semiconductor Diodes Division

VBT30L60C-E3/8W

भाग स्टक: 75625

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 60V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 15A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 600mV @ 15A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-6CWQ10FNTRHM3

भाग स्टक: 81432

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 3.5A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 960mV @ 6A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-HFA32PA120C-N3

भाग स्टक: 8023

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1200V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 16A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 3V @ 16A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MURB1620CT-1-M3

भाग स्टक: 153

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 8A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 975mV @ 8A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

Vishay Semiconductor Diodes Division

VBT1045C-M3/8W

भाग स्टक: 114313

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 45V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 5A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 580mV @ 5A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

Vishay Semiconductor Diodes Division

VB20200C-E3/8W

भाग स्टक: 73963

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 10A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.6V @ 10A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-30CPQ100-N3

भाग स्टक: 12537

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 30A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.05V @ 30A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKD320-04PBF

भाग स्टक: 466

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 400V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 160A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-16CTQ100-1HM3

भाग स्टक: 90762

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 8A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 720mV @ 8A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

Vishay Semiconductor Diodes Division

VB30100C-M3/8W

भाग स्टक: 86293

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 15A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 800mV @ 15A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MBR4045CT-1-M3

भाग स्टक: 86507

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 45V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 20A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 600mV @ 20A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKJ320-08PBF

भाग स्टक: 520

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Anode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 800V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 160A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-6CWQ10FNTRL-M3

भाग स्टक: 139847

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 3.5A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 810mV @ 3A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-12CTQ045S-M3

भाग स्टक: 113986

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 45V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 6A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 600mV @ 6A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-10CWH02FNTRR-M3

भाग स्टक: 179685

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 10A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.15V @ 10A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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