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डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एर्रेहरू

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VS-HFA16PA60CPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-HFA16PA60CPBF

भाग स्टक: 20484

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 8A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.7V @ 8A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VS-MBRB2545CTR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MBRB2545CTR-M3

भाग स्टक: 74796

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 45V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 15A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 820mV @ 30A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VS-HFA12PA120C-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-HFA12PA120C-N3

भाग स्टक: 14874

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1200V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 6A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 3V @ 6A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VBT3045CBP-M3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division

VBT3045CBP-M3/8W

भाग स्टक: 68103

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 45V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 15A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 570mV @ 15A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VS-6CWH02FNTRHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-6CWH02FNTRHM3

भाग स्टक: 85732

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 3A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.2V @ 6A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VS-MURD620CTTRRHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MURD620CTTRRHM3

भाग स्टक: 85804

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 3A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1V @ 3A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VS-VSKC320-20PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKC320-20PBF

भाग स्टक: 504

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Series Connection, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 2000V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 40A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VS-15CTQ035-1-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-15CTQ035-1-M3

भाग स्टक: 117305

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 35V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 7.5A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 550mV @ 7.5A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VS-20CTH03SHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-20CTH03SHM3

भाग स्टक: 207

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 300V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 10A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.25V @ 10A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VS-30CTQ100STRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-30CTQ100STRR-M3

भाग स्टक: 70452

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 15A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 860mV @ 15A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VB30M120C-E3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division

VB30M120C-E3/8W

भाग स्टक: 103227

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 120V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 15A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 980mV @ 15A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VS-10CWH02FNTRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-10CWH02FNTRL-M3

भाग स्टक: 179683

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 10A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.15V @ 10A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VS-MURB1620CT-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MURB1620CT-M3

भाग स्टक: 165

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 8A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 975mV @ 8A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VS-VSKC250-08PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKC250-08PBF

भाग स्टक: 488

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Series Connection, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 800V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 125A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VS-12CWQ10FNHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-12CWQ10FNHM3

भाग स्टक: 62749

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 6A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 950mV @ 12A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VS-6CWH02FNTRLHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-6CWH02FNTRLHM3

भाग स्टक: 85775

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 3A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.2V @ 6A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VS-12CWQ04FNTRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-12CWQ04FNTRR-M3

भाग स्टक: 187417

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 40V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 6A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 680mV @ 12A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VS-16CTQ060STRLHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-16CTQ060STRLHM3

भाग स्टक: 75231

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 60V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 8A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 720mV @ 8A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VBT3060C-E3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division

VBT3060C-E3/8W

भाग स्टक: 127910

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 60V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 15A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 700mV @ 15A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VS-6CWQ10FNTRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-6CWQ10FNTRR-M3

भाग स्टक: 161349

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 3.5A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 810mV @ 3A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VS-MURB2020CT-1HM3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MURB2020CT-1HM3

भाग स्टक: 73321

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 10A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 850mV @ 8A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VS-20CTQ040STRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-20CTQ040STRL-M3

भाग स्टक: 70764

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 40V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 10A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 640mV @ 10A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VS-30CPQ035-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-30CPQ035-N3

भाग स्टक: 20468

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 35V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 30A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 680mV @ 30A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VBT2045C-M3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division

VBT2045C-M3/8W

भाग स्टक: 87422

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 45V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 10A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 580mV @ 10A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VS-HFA30TA60CSL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-HFA30TA60CSL-M3

भाग स्टक: 182

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 15A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 2V @ 30A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VS-CPU6006L-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-CPU6006L-M3

भाग स्टक: 30628

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 30A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.75V @ 30A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VS-8CWH02FNTRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-8CWH02FNTRL-M3

भाग स्टक: 179680

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 4A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 950mV @ 4A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VS-12CWQ04FNTRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-12CWQ04FNTRL-M3

भाग स्टक: 187509

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 40V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 6A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 680mV @ 12A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VBT2060G-E3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division

VBT2060G-E3/8W

भाग स्टक: 177044

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 60V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 10A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 900mV @ 10A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VS-60CPU04-F3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-60CPU04-F3

भाग स्टक: 30466

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 400V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 30A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.3V @ 30A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VS-30CPQ080-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-30CPQ080-N3

भाग स्टक: 19784

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 80V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 30A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.05V @ 30A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VS-VSKC320-08PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKC320-08PBF

भाग स्टक: 504

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Series Connection, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 800V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 40A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VBT1080C-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division

VBT1080C-M3/4W

भाग स्टक: 121108

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 80V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 5A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 720mV @ 5A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VBT2045CBP-M3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division

VBT2045CBP-M3/8W

भाग स्टक: 87353

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 45V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 10A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 580mV @ 10A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VS-30CPQ040-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-30CPQ040-N3

भाग स्टक: 20536

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 300V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 15A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.25V @ 15A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VS-MURB1620CTRHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MURB1620CTRHM3

भाग स्टक: 60553

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 8A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 975mV @ 8A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची