डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एर्रेहरू

VS-43CTQ100-011-N3

भाग स्टक: 41174

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 20A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 810mV @ 20A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

VS-VSMD400AW60

भाग स्टक: 745

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Anode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 200A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.31V @ 200A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

VS-VSKD56/04

भाग स्टक: 2199

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 400V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 30A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

VBT2080C-E3/8W

भाग स्टक: 122426

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 80V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 10A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 810mV @ 10A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

MBR3050PT-E3/45

भाग स्टक: 41008

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 50V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 30A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 760mV @ 30A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

MBR3045PT-E3/45

भाग स्टक: 30261

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 45V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 30A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 760mV @ 30A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

VS-VSKD91/04

भाग स्टक: 2052

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 400V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 50A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

MBRB20H60CTHE3_A/P

भाग स्टक: 66878

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 60V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 10A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 710mV @ 10A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

VS-VSUD200CH20PBF

भाग स्टक: 2189

MBR40H35PT-E3/45

भाग स्टक: 41944

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 35V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 40A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 730mV @ 40A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

MBRB30H45CTHE3_A/I

भाग स्टक: 50429

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 45V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 15A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 620mV @ 15A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

VS-201CNQ050PBF

भाग स्टक: 1626

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 50V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 100A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 670mV @ 100A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

VB20202C-M3/8W

भाग स्टक: 71838

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 10A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 900mV @ 10A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

VS-401CNQ040PBF

भाग स्टक: 1387

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 40V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 40A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 590mV @ 40A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

VS-VSKDS408/060

भाग स्टक: 1567

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 60V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 100A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 740mV @ 200A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

MB20H100CTHE3_A/P

भाग स्टक: 60909

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 10A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 770mV @ 10A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

MBR3035PT-E3/45

भाग स्टक: 51126

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 35V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 30A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 760mV @ 30A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

MBRF30H100CT-E3/45

भाग स्टक: 72732

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 15A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 820mV @ 15A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

VS-VSKC56/12

भाग स्टक: 2084

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Series Connection, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1200V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 30A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

MBR2535CT-E3/45

भाग स्टक: 113490

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 35V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 15A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 820mV @ 30A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

VS-209CNQ150PBF

भाग स्टक: 1602

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 150V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 100A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.06V @ 100A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

VS-VSKC236/16PBF

भाग स्टक: 1281

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Series Connection, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1600V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 115A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

VS-VSKCS220/030

भाग स्टक: 1850

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Series Connection, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 30V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 110A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 590mV @ 110A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

VS-VSKJ91/06

भाग स्टक: 2109

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Anode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 50A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

MBR30H100PT/45

भाग स्टक: 42776

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 15A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 820mV @ 15A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

MBR4035PT-E3/45

भाग स्टक: 62793

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 35V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 40A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 800mV @ 40A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

VBT3045C-E3/8W

भाग स्टक: 80026

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 45V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 15A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 570mV @ 15A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

VS-HFA90FA120

भाग स्टक: 1696

डायोड कन्फिगरेसन: 2 Independent, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1200V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 45A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 3.3V @ 40A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

V20100R-E3/4W

भाग स्टक: 118414

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 10A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 900mV @ 10A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

MBR4050PT-E3/45

भाग स्टक: 60539

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 50V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 40A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 720mV @ 20A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

MBRB10100CT-M3/8W

भाग स्टक: 110545

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 90V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 10A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 800mV @ 10A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

MBRF30H45CT-E3/45

भाग स्टक: 75067

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 45V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 15A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 620mV @ 15A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

VS-VSKC71/16

भाग स्टक: 2144

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Series Connection, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1600V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 40A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

VS-VSUD200CH40PBF

भाग स्टक: 2147

VS-VSKJ91/04

भाग स्टक: 2138

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Anode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 400V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 50A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

MBRB1545CTHE3_A/I

भाग स्टक: 75398

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 45V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 7.5A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 750mV @ 7.5A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),