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डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एर्रेहरू

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VS-VSKC56/06
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKC56/06

भाग स्टक: 2201

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Series Connection, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 30A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
MBRB30H60CTHE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBRB30H60CTHE3_A/P

भाग स्टक: 99428

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 60V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 15A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 680mV @ 15A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VS-VSMD400CW60
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSMD400CW60

भाग स्टक: 807

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 200A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.31V @ 200A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
MBRB10H100CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBRB10H100CT-E3/45

भाग स्टक: 88507

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 5A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 850mV @ 10A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VBT4060C-M3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division

VBT4060C-M3/8W

भाग स्टक: 54485

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 60V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 20A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 620mV @ 20A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VS-VSKD71/12
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKD71/12

भाग स्टक: 2246

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1200V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 40A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VS-VSKDS403/100
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKDS403/100

भाग स्टक: 1588

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Series Connection, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 200A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 990mV @ 200A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
SBLF25L30CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

SBLF25L30CT-E3/45

भाग स्टक: 78330

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 30V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 12.5A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 490mV @ 12.5A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VS-VSKDS400/045
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKDS400/045

भाग स्टक: 1544

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 45V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 100A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 670mV @ 200A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VS-VSKD56/08
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKD56/08

भाग स्टक: 2136

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 800V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 30A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
MBRB2060CT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBRB2060CT-E3/81

भाग स्टक: 103436

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 60V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 10A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 800mV @ 10A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VS-HFA240NJ40CPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-HFA240NJ40CPBF

भाग स्टक: 1507

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 400V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 240A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.5V @ 240A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VS-VSUD400CW60
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSUD400CW60

भाग स्टक: 1591

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 330A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 2V @ 200A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
MF20H100CTHE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division

MF20H100CTHE3_A/P

भाग स्टक: 261

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 10A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 880mV @ 20A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
MBRB2545CTHE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBRB2545CTHE3_A/P

भाग स्टक: 77842

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 45V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 12.5A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 820mV @ 30A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VS-VSKC196/12PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKC196/12PBF

भाग स्टक: 1262

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Series Connection, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1200V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 97.5A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VS-VSKD196/08PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKD196/08PBF

भाग स्टक: 1244

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 800V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 97.5A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VS-16CTQ080PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-16CTQ080PBF

भाग स्टक: 23789

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 80V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 8A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 720mV @ 8A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VBT3060G-E3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division

VBT3060G-E3/8W

भाग स्टक: 139930

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 60V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 15A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 730mV @ 15A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VS-UFB201FA40
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-UFB201FA40

भाग स्टक: 1806

डायोड कन्फिगरेसन: 2 Independent, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 400V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 120A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.59V @ 100A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VS-VSKCS403/100
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKCS403/100

भाग स्टक: 1596

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Series Connection, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 200A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 990mV @ 200A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
MBRB30H60CTHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBRB30H60CTHE3_A/I

भाग स्टक: 76697

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 60V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 15A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 680mV @ 15A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
MBRB25H60CTHE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBRB25H60CTHE3_A/P

भाग स्टक: 84777

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 60V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 15A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 600mV @ 15A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
SBLB1640CTHE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division

SBLB1640CTHE3_A/P

भाग स्टक: 96875

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 40V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 8A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 550mV @ 8A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
MF10H100CTHE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division

MF10H100CTHE3_A/P

भाग स्टक: 267

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 5A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 850mV @ 10A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VBT2080C-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division

VBT2080C-M3/4W

भाग स्टक: 102050

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 80V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 10A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 810mV @ 10A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VS-VSKJ71/16
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKJ71/16

भाग स्टक: 2197

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Anode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1600V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 40A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VBT1060C-M3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division

VBT1060C-M3/8W

भाग स्टक: 118387

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 60V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 5A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 700mV @ 5A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
MBR20H100CTG-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBR20H100CTG-E3/45

भाग स्टक: 94849

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 10A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 850mV @ 10A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VS-400CNQ045PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-400CNQ045PBF

भाग स्टक: 1410

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 45V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 400A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 730mV @ 400A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VS-HFA280NJ60CPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-HFA280NJ60CPBF

भाग स्टक: 1416

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 280A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 2.1V @ 210A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VS-VSUD400CW20
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSUD400CW20

भाग स्टक: 1418

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 330A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 2V @ 200A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VBT4045C-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division

VBT4045C-M3/4W

भाग स्टक: 52227

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 45V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 20A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 580mV @ 20A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VS-VSKC71/04
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKC71/04

भाग स्टक: 2211

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Series Connection, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 400V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 40A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
MBR3060PT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBR3060PT-E3/45

भाग स्टक: 77317

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 60V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 20A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 750mV @ 20A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VS-VSKJ56/08
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKJ56/08

भाग स्टक: 2180

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Anode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 800V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 30A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची