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VS-10CDH06HM3/I

भाग स्टक: 134642

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 5A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.5V @ 5A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

Vishay Semiconductor Diodes Division

MBRB30H45CTHE3_A/P

भाग स्टक: 65354

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 45V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 15A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 620mV @ 15A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

Vishay Semiconductor Diodes Division

MBRB1560CT-E3/81

भाग स्टक: 89561

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 60V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 7.5A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 750mV @ 7.5A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

Vishay Semiconductor Diodes Division

MBRB25H45CTHE3_A/I

भाग स्टक: 65350

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 45V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 15A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 640mV @ 15A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKJ71/06

भाग स्टक: 2134

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Anode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 40A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKD56/06

भाग स्टक: 2191

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 30A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKD166/12PBF

भाग स्टक: 1357

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1200V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 82.5A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKC56/16

भाग स्टक: 2263

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Series Connection, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1600V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 30A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKDS220/030

भाग स्टक: 1759

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 30V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 110A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 590mV @ 110A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

MBRB15H45CTHE3_A/I

भाग स्टक: 75028

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 45V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 7.5A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 630mV @ 7.5A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

MBRF2560CT-E3/45

भाग स्टक: 70138

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 60V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 15A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 750mV @ 15A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

VBT1545CBP-E3/8W

भाग स्टक: 134802

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 45V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 7.5A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 630mV @ 7.5A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-UFB80FA60

भाग स्टक: 4629

डायोड कन्फिगरेसन: 2 Independent, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 57A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.9V @ 60A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKDS203/100

भाग स्टक: 1705

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 100A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 990mV @ 100A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

Vishay Semiconductor Diodes Division

MBRB15H45CTHE3_A/P

भाग स्टक: 95826

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 45V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 7.5A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 630mV @ 7.5A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-STPS40L45CW-N3

भाग स्टक: 10723

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 45V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 20A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 530mV @ 20A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-220CNQ030PBF

भाग स्टक: 1485

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 30V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 110A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 490mV @ 110A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKJ71/12

भाग स्टक: 2270

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Anode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1200V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 40A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKC166/08PBF

भाग स्टक: 1295

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Series Connection, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 800V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 82.5A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.43V @ 259A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKD56/12

भाग स्टक: 2060

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1200V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 30A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

Vishay Semiconductor Diodes Division

SBL2030PT-E3/45

भाग स्टक: 58682

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 30V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 20A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 550mV @ 10A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKCS401/045

भाग स्टक: 1520

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Series Connection, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 45V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 200A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 720mV @ 200A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKD236/04PBF

भाग स्टक: 1238

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 400V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 115A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKD56/14

भाग स्टक: 2186

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1400V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 15A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

Vishay Semiconductor Diodes Division

M6035P-E3/45

भाग स्टक: 40317

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 35V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 30A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 600mV @ 30A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

Vishay Semiconductor Diodes Division

VBT6045C-M3/4W

भाग स्टक: 52254

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 45V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 30A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 640mV @ 30A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

Vishay Semiconductor Diodes Division

V40100PW-M3/4W

भाग स्टक: 26819

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 20A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 770mV @ 20A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKDS440/030

भाग स्टक: 1521

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 30V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 110A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 680mV @ 220A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSUD405CW60

भाग स्टक: 1921

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 480A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.72V @ 400A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MURD620CTTRLPBF

भाग स्टक: 171438

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 3A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1V @ 3A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

Vishay Semiconductor Diodes Division

VB30120C-E3/8W

भाग स्टक: 53265

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 120V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 15A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 970mV @ 15A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-UFL130FA60

भाग स्टक: 4678

डायोड कन्फिगरेसन: 2 Independent, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 130A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.88V @ 120A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

Vishay Semiconductor Diodes Division

MBRB30H45CT-E3/81

भाग स्टक: 55831

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 45V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 15A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 620mV @ 15A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

Vishay Semiconductor Diodes Division

MBRB2060CTHE3_A/P

भाग स्टक: 96173

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 60V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 10A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 800mV @ 10A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKJS440/030

भाग स्टक: 1803

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Anode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 30V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 220A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 680mV @ 220A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

MBR30H60CT-E3/45

भाग स्टक: 75987

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 60V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 15A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 680mV @ 15A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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