Menu
नेपालीनेपाली
Rfqs / अर्डर
0Rfqs / अर्डर

डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एर्रेहरू

  • घर
  •  
  • डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एर्रेहरू
VS-VSKD196/12PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKD196/12PBF

भाग स्टक: 1251

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1200V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 97.5A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VS-VSKC91/14
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKC91/14

भाग स्टक: 2038

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Series Connection, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1400V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 50A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VS-303CNQ100PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-303CNQ100PBF

भाग स्टक: 1419

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 150A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.09V @ 300A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VS-409CNQ135PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-409CNQ135PBF

भाग स्टक: 1508

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 135V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 400A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.46V @ 400A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VBT3045CBP-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division

VBT3045CBP-M3/4W

भाग स्टक: 68058

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 45V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 15A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 570mV @ 15A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VS-VSKD91/10
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKD91/10

भाग स्टक: 2079

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1000V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 50A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
MBRF2060CTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBRF2060CTHE3/45

भाग स्टक: 94516

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 60V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 10A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 800mV @ 10A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VB20202G-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division

VB20202G-M3/4W

भाग स्टक: 83715

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 10A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 920mV @ 10A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
MBRB2545CTHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBRB2545CTHE3_A/I

भाग स्टक: 64327

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 45V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 12.5A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 820mV @ 30A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VS-401CNQ045PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-401CNQ045PBF

भाग स्टक: 1994

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 45V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 400A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 780mV @ 400A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VS-VSKCS208/060
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKCS208/060

भाग स्टक: 1715

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Series Connection, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 60V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 100A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 690mV @ 100A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
MBRB2560CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBRB2560CT-E3/45

भाग स्टक: 73221

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 60V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 15A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 750mV @ 15A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
MBRF1560CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBRF1560CT-E3/45

भाग स्टक: 106512

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 60V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 7.5A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 750mV @ 7.5A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
SBLB1640CTHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

SBLB1640CTHE3_A/I

भाग स्टक: 87439

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 40V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 8A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 550mV @ 8A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
SBLB1040CT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division

SBLB1040CT-E3/81

भाग स्टक: 90200

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 40V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 5A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 550mV @ 5A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VS-203CNQ100PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-203CNQ100PBF

भाग स्टक: 1454

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 100A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 860mV @ 100A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VS-VSKD71/14
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKD71/14

भाग स्टक: 2256

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1400V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 40A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VS-VSKC91/04
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKC91/04

भाग स्टक: 2111

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Series Connection, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 400V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 50A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
MBRB30H100CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBRB30H100CT-E3/45

भाग स्टक: 68132

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 15A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 820mV @ 15A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
MBRF2045CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBRF2045CT-E3/45

भाग स्टक: 90619

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 45V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 10A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 650mV @ 10A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
MBRB2545CT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBRB2545CT-E3/81

भाग स्टक: 64473

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 45V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 15A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 820mV @ 30A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
M6045P-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

M6045P-E3/45

भाग स्टक: 40409

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 45V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 30A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 600mV @ 30A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VS-VSKDS208/060
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKDS208/060

भाग स्टक: 2108

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 60V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 100A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VFT3060C-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division

VFT3060C-E3/4W

भाग स्टक: 50921

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 60V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 15A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 700mV @ 15A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VB20100C-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division

VB20100C-M3/4W

भाग स्टक: 97889

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 10A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 790mV @ 10A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VS-UFB130FA20
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-UFB130FA20

भाग स्टक: 2563

डायोड कन्फिगरेसन: 2 Independent, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 65A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.13V @ 60A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
MBRB2560CT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBRB2560CT-E3/81

भाग स्टक: 60669

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 60V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 15A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 750mV @ 15A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VS-VSKCS440/030
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKCS440/030

भाग स्टक: 1579

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Series Connection, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 30V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 220A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 680mV @ 220A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VS-VSKC71/14
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKC71/14

भाग स्टक: 2160

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Series Connection, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1400V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 40A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
MBRB10H100CT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBRB10H100CT-E3/81

भाग स्टक: 70690

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 5A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 760mV @ 5A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VS-VSKD71/10
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKD71/10

भाग स्टक: 2109

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1000V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 40A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VS-VSKC71/08
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKC71/08

भाग स्टक: 2117

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Series Connection, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 800V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 40A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
MBR40H60PT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBR40H60PT-E3/45

भाग स्टक: 50217

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 60V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 40A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 830mV @ 40A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
MBRB1560CTHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBRB1560CTHE3_A/I

भाग स्टक: 73950

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 60V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 7.5A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 750mV @ 7.5A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
SBL2040PT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

SBL2040PT-E3/45

भाग स्टक: 58684

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 40V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 20A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 550mV @ 10A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VS-VSKJ91/10
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKJ91/10

भाग स्टक: 1999

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Anode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1000V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 50A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची