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Thyristors - SCRs

12TTS08STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division

12TTS08STRR

भाग स्टक: 4797

भोल्टेज - अफ स्टेट: 800V, भोल्टेज - गेट ट्रिगर (Vgt) (अधिकतम): 1V, वर्तमान - गेट ट्रिगर (आईजीटी) (अधिकतम): 15mA, भोल्टेज - राज्यमा (Vtm) (अधिकतम): 1.2V, वर्तमान - राज्यमा (यो (AV)) (अधिकतम): 8A, वर्तमान - राज्यमा (यो (आरएमएस)) (अधिकतम): 12.5A,

इच्छा सुची
10TTS08STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division

10TTS08STRL

भाग स्टक: 7584

भोल्टेज - अफ स्टेट: 800V, भोल्टेज - गेट ट्रिगर (Vgt) (अधिकतम): 1V, वर्तमान - गेट ट्रिगर (आईजीटी) (अधिकतम): 15mA, भोल्टेज - राज्यमा (Vtm) (अधिकतम): 1.15V, वर्तमान - राज्यमा (यो (AV)) (अधिकतम): 6.5A, वर्तमान - राज्यमा (यो (आरएमएस)) (अधिकतम): 10A,

इच्छा सुची
10TTS08STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division

10TTS08STRR

भाग स्टक: 7614

भोल्टेज - अफ स्टेट: 800V, भोल्टेज - गेट ट्रिगर (Vgt) (अधिकतम): 1V, वर्तमान - गेट ट्रिगर (आईजीटी) (अधिकतम): 15mA, भोल्टेज - राज्यमा (Vtm) (अधिकतम): 1.15V, वर्तमान - राज्यमा (यो (AV)) (अधिकतम): 6.5A, वर्तमान - राज्यमा (यो (आरएमएस)) (अधिकतम): 10A,

इच्छा सुची
12TTS08
Vishay Semiconductor Diodes Division

12TTS08

भाग स्टक: 7644

भोल्टेज - अफ स्टेट: 800V, भोल्टेज - गेट ट्रिगर (Vgt) (अधिकतम): 1V, वर्तमान - गेट ट्रिगर (आईजीटी) (अधिकतम): 15mA, भोल्टेज - राज्यमा (Vtm) (अधिकतम): 1.2V, वर्तमान - राज्यमा (यो (AV)) (अधिकतम): 8A, वर्तमान - राज्यमा (यो (आरएमएस)) (अधिकतम): 12.5A,

इच्छा सुची
12TTS08S
Vishay Semiconductor Diodes Division

12TTS08S

भाग स्टक: 4813

भोल्टेज - अफ स्टेट: 800V, भोल्टेज - गेट ट्रिगर (Vgt) (अधिकतम): 1V, वर्तमान - गेट ट्रिगर (आईजीटी) (अधिकतम): 15mA, भोल्टेज - राज्यमा (Vtm) (अधिकतम): 1.2V, वर्तमान - राज्यमा (यो (AV)) (अधिकतम): 8A, वर्तमान - राज्यमा (यो (आरएमएस)) (अधिकतम): 12.5A,

इच्छा सुची
10TTS08S
Vishay Semiconductor Diodes Division

10TTS08S

भाग स्टक: 7583

भोल्टेज - अफ स्टेट: 800V, भोल्टेज - गेट ट्रिगर (Vgt) (अधिकतम): 1V, वर्तमान - गेट ट्रिगर (आईजीटी) (अधिकतम): 15mA, भोल्टेज - राज्यमा (Vtm) (अधिकतम): 1.15V, वर्तमान - राज्यमा (यो (AV)) (अधिकतम): 6.5A, वर्तमान - राज्यमा (यो (आरएमएस)) (अधिकतम): 10A,

इच्छा सुची
10TTS08
Vishay Semiconductor Diodes Division

10TTS08

भाग स्टक: 7620

भोल्टेज - अफ स्टेट: 800V, भोल्टेज - गेट ट्रिगर (Vgt) (अधिकतम): 1V, वर्तमान - गेट ट्रिगर (आईजीटी) (अधिकतम): 15mA, भोल्टेज - राज्यमा (Vtm) (अधिकतम): 1.15V, वर्तमान - राज्यमा (यो (AV)) (अधिकतम): 6.5A, वर्तमान - राज्यमा (यो (आरएमएस)) (अधिकतम): 10A,

इच्छा सुची
16TTS12STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division

16TTS12STRR

भाग स्टक: 7665

भोल्टेज - अफ स्टेट: 1.2kV, भोल्टेज - गेट ट्रिगर (Vgt) (अधिकतम): 2V, वर्तमान - गेट ट्रिगर (आईजीटी) (अधिकतम): 60mA, भोल्टेज - राज्यमा (Vtm) (अधिकतम): 1.4V, वर्तमान - राज्यमा (यो (AV)) (अधिकतम): 10A, वर्तमान - राज्यमा (यो (आरएमएस)) (अधिकतम): 16A,

इच्छा सुची
16TTS12STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division

16TTS12STRL

भाग स्टक: 7597

भोल्टेज - अफ स्टेट: 1.2kV, भोल्टेज - गेट ट्रिगर (Vgt) (अधिकतम): 2V, वर्तमान - गेट ट्रिगर (आईजीटी) (अधिकतम): 60mA, भोल्टेज - राज्यमा (Vtm) (अधिकतम): 1.4V, वर्तमान - राज्यमा (यो (AV)) (अधिकतम): 10A, वर्तमान - राज्यमा (यो (आरएमएस)) (अधिकतम): 16A,

इच्छा सुची
16TTS08STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division

16TTS08STRR

भाग स्टक: 7581

भोल्टेज - अफ स्टेट: 800V, भोल्टेज - गेट ट्रिगर (Vgt) (अधिकतम): 2V, वर्तमान - गेट ट्रिगर (आईजीटी) (अधिकतम): 60mA, भोल्टेज - राज्यमा (Vtm) (अधिकतम): 1.4V, वर्तमान - राज्यमा (यो (AV)) (अधिकतम): 10A, वर्तमान - राज्यमा (यो (आरएमएस)) (अधिकतम): 16A,

इच्छा सुची
112RKI80
Vishay Semiconductor Diodes Division

112RKI80

भाग स्टक: 7616

भोल्टेज - अफ स्टेट: 800V, भोल्टेज - गेट ट्रिगर (Vgt) (अधिकतम): 2V, वर्तमान - गेट ट्रिगर (आईजीटी) (अधिकतम): 120mA, भोल्टेज - राज्यमा (Vtm) (अधिकतम): 1.57V, वर्तमान - राज्यमा (यो (AV)) (अधिकतम): 110A, वर्तमान - राज्यमा (यो (आरएमएस)) (अधिकतम): 172A,

इच्छा सुची
16TTS08STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division

16TTS08STRL

भाग स्टक: 7605

भोल्टेज - अफ स्टेट: 800V, भोल्टेज - गेट ट्रिगर (Vgt) (अधिकतम): 2V, वर्तमान - गेट ट्रिगर (आईजीटी) (अधिकतम): 60mA, भोल्टेज - राज्यमा (Vtm) (अधिकतम): 1.4V, वर्तमान - राज्यमा (यो (AV)) (अधिकतम): 10A, वर्तमान - राज्यमा (यो (आरएमएस)) (अधिकतम): 16A,

इच्छा सुची
112RKI40
Vishay Semiconductor Diodes Division

112RKI40

भाग स्टक: 7639

भोल्टेज - अफ स्टेट: 400V, भोल्टेज - गेट ट्रिगर (Vgt) (अधिकतम): 2V, वर्तमान - गेट ट्रिगर (आईजीटी) (अधिकतम): 120mA, भोल्टेज - राज्यमा (Vtm) (अधिकतम): 1.57V, वर्तमान - राज्यमा (यो (AV)) (अधिकतम): 110A, वर्तमान - राज्यमा (यो (आरएमएस)) (अधिकतम): 172A,

इच्छा सुची
16TTS12FP
Vishay Semiconductor Diodes Division

16TTS12FP

भाग स्टक: 7603

भोल्टेज - अफ स्टेट: 1.2kV, भोल्टेज - गेट ट्रिगर (Vgt) (अधिकतम): 2V, वर्तमान - गेट ट्रिगर (आईजीटी) (अधिकतम): 60mA, भोल्टेज - राज्यमा (Vtm) (अधिकतम): 1.4V, वर्तमान - राज्यमा (यो (AV)) (अधिकतम): 10A, वर्तमान - राज्यमा (यो (आरएमएस)) (अधिकतम): 16A,

इच्छा सुची
16TTS08FP
Vishay Semiconductor Diodes Division

16TTS08FP

भाग स्टक: 7640

भोल्टेज - अफ स्टेट: 800V, भोल्टेज - गेट ट्रिगर (Vgt) (अधिकतम): 2V, वर्तमान - गेट ट्रिगर (आईजीटी) (अधिकतम): 60mA, भोल्टेज - राज्यमा (Vtm) (अधिकतम): 1.4V, वर्तमान - राज्यमा (यो (AV)) (अधिकतम): 10A, वर्तमान - राज्यमा (यो (आरएमएस)) (अधिकतम): 16A,

इच्छा सुची
16TTS12S
Vishay Semiconductor Diodes Division

16TTS12S

भाग स्टक: 7612

भोल्टेज - अफ स्टेट: 1.2kV, भोल्टेज - गेट ट्रिगर (Vgt) (अधिकतम): 2V, वर्तमान - गेट ट्रिगर (आईजीटी) (अधिकतम): 60mA, भोल्टेज - राज्यमा (Vtm) (अधिकतम): 1.4V, वर्तमान - राज्यमा (यो (AV)) (अधिकतम): 10A, वर्तमान - राज्यमा (यो (आरएमएस)) (अधिकतम): 16A,

इच्छा सुची
16TTS12
Vishay Semiconductor Diodes Division

16TTS12

भाग स्टक: 7561

भोल्टेज - अफ स्टेट: 1.2kV, भोल्टेज - गेट ट्रिगर (Vgt) (अधिकतम): 2V, वर्तमान - गेट ट्रिगर (आईजीटी) (अधिकतम): 60mA, भोल्टेज - राज्यमा (Vtm) (अधिकतम): 1.4V, वर्तमान - राज्यमा (यो (AV)) (अधिकतम): 10A, वर्तमान - राज्यमा (यो (आरएमएस)) (अधिकतम): 16A,

इच्छा सुची
16TTS08S
Vishay Semiconductor Diodes Division

16TTS08S

भाग स्टक: 7567

भोल्टेज - अफ स्टेट: 800V, भोल्टेज - गेट ट्रिगर (Vgt) (अधिकतम): 2V, वर्तमान - गेट ट्रिगर (आईजीटी) (अधिकतम): 60mA, भोल्टेज - राज्यमा (Vtm) (अधिकतम): 1.4V, वर्तमान - राज्यमा (यो (AV)) (अधिकतम): 10A, वर्तमान - राज्यमा (यो (आरएमएस)) (अधिकतम): 16A,

इच्छा सुची
16TTS08
Vishay Semiconductor Diodes Division

16TTS08

भाग स्टक: 7649

भोल्टेज - अफ स्टेट: 800V, भोल्टेज - गेट ट्रिगर (Vgt) (अधिकतम): 2V, वर्तमान - गेट ट्रिगर (आईजीटी) (अधिकतम): 60mA, भोल्टेज - राज्यमा (Vtm) (अधिकतम): 1.4V, वर्तमान - राज्यमा (यो (AV)) (अधिकतम): 10A, वर्तमान - राज्यमा (यो (आरएमएस)) (अधिकतम): 16A,

इच्छा सुची
12TTS08STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division

12TTS08STRL

भाग स्टक: 7552

भोल्टेज - अफ स्टेट: 800V, भोल्टेज - गेट ट्रिगर (Vgt) (अधिकतम): 1V, वर्तमान - गेट ट्रिगर (आईजीटी) (अधिकतम): 15mA, भोल्टेज - राज्यमा (Vtm) (अधिकतम): 1.2V, वर्तमान - राज्यमा (यो (AV)) (अधिकतम): 8A, वर्तमान - राज्यमा (यो (आरएमएस)) (अधिकतम): 12.5A,

इच्छा सुची
2N5204
Vishay Semiconductor Diodes Division

2N5204

भाग स्टक: 6353

भोल्टेज - अफ स्टेट: 600V, भोल्टेज - गेट ट्रिगर (Vgt) (अधिकतम): 2V, वर्तमान - गेट ट्रिगर (आईजीटी) (अधिकतम): 40mA, भोल्टेज - राज्यमा (Vtm) (अधिकतम): 2.3V, वर्तमान - राज्यमा (यो (AV)) (अधिकतम): 22A, वर्तमान - राज्यमा (यो (आरएमएस)) (अधिकतम): 35A,

इच्छा सुची
25TTS12STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division

25TTS12STRR

भाग स्टक: 7636

भोल्टेज - अफ स्टेट: 1.2kV, भोल्टेज - गेट ट्रिगर (Vgt) (अधिकतम): 2V, वर्तमान - गेट ट्रिगर (आईजीटी) (अधिकतम): 45mA, भोल्टेज - राज्यमा (Vtm) (अधिकतम): 1.25V, वर्तमान - राज्यमा (यो (AV)) (अधिकतम): 16A, वर्तमान - राज्यमा (यो (आरएमएस)) (अधिकतम): 25A,

इच्छा सुची
25TTS12STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division

25TTS12STRL

भाग स्टक: 7571

भोल्टेज - अफ स्टेट: 1.2kV, भोल्टेज - गेट ट्रिगर (Vgt) (अधिकतम): 2V, वर्तमान - गेट ट्रिगर (आईजीटी) (अधिकतम): 45mA, भोल्टेज - राज्यमा (Vtm) (अधिकतम): 1.25V, वर्तमान - राज्यमा (यो (AV)) (अधिकतम): 16A, वर्तमान - राज्यमा (यो (आरएमएस)) (अधिकतम): 25A,

इच्छा सुची
25TTS08STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division

25TTS08STRR

भाग स्टक: 7576

भोल्टेज - अफ स्टेट: 800V, भोल्टेज - गेट ट्रिगर (Vgt) (अधिकतम): 2V, वर्तमान - गेट ट्रिगर (आईजीटी) (अधिकतम): 45mA, भोल्टेज - राज्यमा (Vtm) (अधिकतम): 1.25V, वर्तमान - राज्यमा (यो (AV)) (अधिकतम): 16A, वर्तमान - राज्यमा (यो (आरएमएस)) (अधिकतम): 25A,

इच्छा सुची
25TTS12FP
Vishay Semiconductor Diodes Division

25TTS12FP

भाग स्टक: 7581

भोल्टेज - अफ स्टेट: 1.2kV, भोल्टेज - गेट ट्रिगर (Vgt) (अधिकतम): 2V, वर्तमान - गेट ट्रिगर (आईजीटी) (अधिकतम): 45mA, भोल्टेज - राज्यमा (Vtm) (अधिकतम): 1.25V, वर्तमान - राज्यमा (यो (AV)) (अधिकतम): 16A, वर्तमान - राज्यमा (यो (आरएमएस)) (अधिकतम): 25A,

इच्छा सुची
25TTS12S
Vishay Semiconductor Diodes Division

25TTS12S

भाग स्टक: 7613

भोल्टेज - अफ स्टेट: 1.2kV, भोल्टेज - गेट ट्रिगर (Vgt) (अधिकतम): 2V, वर्तमान - गेट ट्रिगर (आईजीटी) (अधिकतम): 45mA, भोल्टेज - राज्यमा (Vtm) (अधिकतम): 1.25V, वर्तमान - राज्यमा (यो (AV)) (अधिकतम): 16A, वर्तमान - राज्यमा (यो (आरएमएस)) (अधिकतम): 25A,

इच्छा सुची
25TTS08STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division

25TTS08STRL

भाग स्टक: 7660

भोल्टेज - अफ स्टेट: 800V, भोल्टेज - गेट ट्रिगर (Vgt) (अधिकतम): 2V, वर्तमान - गेट ट्रिगर (आईजीटी) (अधिकतम): 45mA, भोल्टेज - राज्यमा (Vtm) (अधिकतम): 1.25V, वर्तमान - राज्यमा (यो (AV)) (अधिकतम): 16A, वर्तमान - राज्यमा (यो (आरएमएस)) (अधिकतम): 25A,

इच्छा सुची
25TTS12
Vishay Semiconductor Diodes Division

25TTS12

भाग स्टक: 7607

भोल्टेज - अफ स्टेट: 1.2kV, भोल्टेज - गेट ट्रिगर (Vgt) (अधिकतम): 2V, वर्तमान - गेट ट्रिगर (आईजीटी) (अधिकतम): 45mA, भोल्टेज - राज्यमा (Vtm) (अधिकतम): 1.25V, वर्तमान - राज्यमा (यो (AV)) (अधिकतम): 16A, वर्तमान - राज्यमा (यो (आरएमएस)) (अधिकतम): 25A,

इच्छा सुची
25TTS08FP
Vishay Semiconductor Diodes Division

25TTS08FP

भाग स्टक: 7638

भोल्टेज - अफ स्टेट: 800V, भोल्टेज - गेट ट्रिगर (Vgt) (अधिकतम): 2V, वर्तमान - गेट ट्रिगर (आईजीटी) (अधिकतम): 45mA, भोल्टेज - राज्यमा (Vtm) (अधिकतम): 1.25V, वर्तमान - राज्यमा (यो (AV)) (अधिकतम): 16A, वर्तमान - राज्यमा (यो (आरएमएस)) (अधिकतम): 25A,

इच्छा सुची
25TTS08S
Vishay Semiconductor Diodes Division

25TTS08S

भाग स्टक: 7653

भोल्टेज - अफ स्टेट: 800V, भोल्टेज - गेट ट्रिगर (Vgt) (अधिकतम): 2V, वर्तमान - गेट ट्रिगर (आईजीटी) (अधिकतम): 45mA, भोल्टेज - राज्यमा (Vtm) (अधिकतम): 1.25V, वर्तमान - राज्यमा (यो (AV)) (अधिकतम): 16A, वर्तमान - राज्यमा (यो (आरएमएस)) (अधिकतम): 25A,

इच्छा सुची
25TTS08
Vishay Semiconductor Diodes Division

25TTS08

भाग स्टक: 7614

भोल्टेज - अफ स्टेट: 800V, भोल्टेज - गेट ट्रिगर (Vgt) (अधिकतम): 2V, वर्तमान - गेट ट्रिगर (आईजीटी) (अधिकतम): 45mA, भोल्टेज - राज्यमा (Vtm) (अधिकतम): 1.25V, वर्तमान - राज्यमा (यो (AV)) (अधिकतम): 16A, वर्तमान - राज्यमा (यो (आरएमएस)) (अधिकतम): 25A,

इच्छा सुची
30TPS12
Vishay Semiconductor Diodes Division

30TPS12

भाग स्टक: 7665

भोल्टेज - अफ स्टेट: 1.2kV, भोल्टेज - गेट ट्रिगर (Vgt) (अधिकतम): 2V, वर्तमान - गेट ट्रिगर (आईजीटी) (अधिकतम): 45mA, भोल्टेज - राज्यमा (Vtm) (अधिकतम): 1.3V, वर्तमान - राज्यमा (यो (AV)) (अधिकतम): 20A, वर्तमान - राज्यमा (यो (आरएमएस)) (अधिकतम): 30A,

इच्छा सुची
30TPS08
Vishay Semiconductor Diodes Division

30TPS08

भाग स्टक: 4828

भोल्टेज - अफ स्टेट: 800V, भोल्टेज - गेट ट्रिगर (Vgt) (अधिकतम): 2V, वर्तमान - गेट ट्रिगर (आईजीटी) (अधिकतम): 45mA, भोल्टेज - राज्यमा (Vtm) (अधिकतम): 1.3V, वर्तमान - राज्यमा (यो (AV)) (अधिकतम): 20A, वर्तमान - राज्यमा (यो (आरएमएस)) (अधिकतम): 30A,

इच्छा सुची
40TPS08A
Vishay Semiconductor Diodes Division

40TPS08A

भाग स्टक: 4854

भोल्टेज - अफ स्टेट: 800V, भोल्टेज - गेट ट्रिगर (Vgt) (अधिकतम): 2.5V, वर्तमान - गेट ट्रिगर (आईजीटी) (अधिकतम): 150mA, भोल्टेज - राज्यमा (Vtm) (अधिकतम): 1.85V, वर्तमान - राज्यमा (यो (AV)) (अधिकतम): 35A, वर्तमान - राज्यमा (यो (आरएमएस)) (अधिकतम): 55A,

इच्छा सुची
40TPS12A
Vishay Semiconductor Diodes Division

40TPS12A

भाग स्टक: 4839

भोल्टेज - अफ स्टेट: 1.2kV, भोल्टेज - गेट ट्रिगर (Vgt) (अधिकतम): 2.5V, वर्तमान - गेट ट्रिगर (आईजीटी) (अधिकतम): 150mA, भोल्टेज - राज्यमा (Vtm) (अधिकतम): 1.85V, वर्तमान - राज्यमा (यो (AV)) (अधिकतम): 35A, वर्तमान - राज्यमा (यो (आरएमएस)) (अधिकतम): 55A,

इच्छा सुची
40TPS08
Vishay Semiconductor Diodes Division

40TPS08

भाग स्टक: 7657

भोल्टेज - अफ स्टेट: 800V, भोल्टेज - गेट ट्रिगर (Vgt) (अधिकतम): 2.5V, वर्तमान - गेट ट्रिगर (आईजीटी) (अधिकतम): 150mA, भोल्टेज - राज्यमा (Vtm) (अधिकतम): 1.85V, वर्तमान - राज्यमा (यो (AV)) (अधिकतम): 35A, वर्तमान - राज्यमा (यो (आरएमएस)) (अधिकतम): 55A,

इच्छा सुची