ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एरेहरू

घर
ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एरेहरू

SIA920DJ-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIA920DJ-T1-GE3

भाग स्टक: 118547

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 8V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 4.5A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 27 mOhm @ 5.3A, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 700mV @ 250µA,

इच्छा सुची

Vishay Siliconix

SI3588DV-T1-E3

भाग स्टक: 2762

FET प्रकार: N and P-Channel, FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 2.5A, 570mA, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 80 mOhm @ 3A, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 450mV @ 250µA (Min),

इच्छा सुची

SI4388DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI4388DY-T1-GE3

भाग स्टक: 2870

FET प्रकार: 2 N-Channel (Half Bridge), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 10.7A, 11.3A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 16 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 3V @ 250µA,

इच्छा सुची

SI5933DC-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI5933DC-T1-GE3

भाग स्टक: 2867

FET प्रकार: 2 P-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 2.7A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 110 mOhm @ 2.7A, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1V @ 250µA,

इच्छा सुची

Vishay Siliconix

SI4563DY-T1-E3

भाग स्टक: 2704

FET प्रकार: N and P-Channel, FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 40V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 8A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 16 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2V @ 250µA,

इच्छा सुची

SI6969BDQ-T1-E3

Vishay Siliconix

SI6969BDQ-T1-E3

भाग स्टक: 2784

FET प्रकार: 2 P-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 12V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 4A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 30 mOhm @ 4.6A, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 800mV @ 250µA,

इच्छा सुची

Vishay Siliconix

VQ1006P-E3

भाग स्टक: 2906

FET प्रकार: 4 N-Channel, FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 90V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 400mA, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 4.5 Ohm @ 1A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.5V @ 1mA,

इच्छा सुची

Vishay Siliconix

SI4942DY-T1-E3

भाग स्टक: 2870

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 40V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 5.3A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 21 mOhm @ 7.4A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 3V @ 250µA,

इच्छा सुची

SI4940DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI4940DY-T1-GE3

भाग स्टक: 2808

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 40V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 4.2A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 36 mOhm @ 5.7A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1V @ 250µA (Min),

इच्छा सुची

Vishay Siliconix

SI4816DY-T1-E3

भाग स्टक: 2905

FET प्रकार: 2 N-Channel (Half Bridge), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 5.3A, 7.7A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 22 mOhm @ 6.3A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2V @ 250µA,

इच्छा सुची

Vishay Siliconix

SI5509DC-T1-E3

भाग स्टक: 2749

FET प्रकार: N and P-Channel, FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 6.1A, 4.8A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 52 mOhm @ 5A, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2V @ 250µA,

इच्छा सुची

SI4914BDY-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI4914BDY-T1-GE3

भाग स्टक: 118908

FET प्रकार: 2 N-Channel (Half Bridge), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 8.4A, 8A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 21 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.7V @ 250µA,

इच्छा सुची

Vishay Siliconix

SI4967DY-T1-E3

भाग स्टक: 2883

FET प्रकार: 2 P-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 12V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 23 mOhm @ 7.5A, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 450mV @ 250µA (Min),

इच्छा सुची

Vishay Siliconix

SI4940DY-T1-E3

भाग स्टक: 2875

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 40V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 4.2A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 36 mOhm @ 5.7A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1V @ 250µA (Min),

इच्छा सुची

SI3529DV-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI3529DV-T1-GE3

भाग स्टक: 2831

FET प्रकार: N and P-Channel, FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 40V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 2.5A, 1.95A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 125 mOhm @ 2.2A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 3V @ 250µA,

इच्छा सुची

SI6924AEDQ-T1-E3

Vishay Siliconix

SI6924AEDQ-T1-E3

भाग स्टक: 2801

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 28V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 4.1A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 33 mOhm @ 4.6A, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1.5V @ 250µA,

इच्छा सुची

SI7901EDN-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI7901EDN-T1-GE3

भाग स्टक: 2866

FET प्रकार: 2 P-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 4.3A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 48 mOhm @ 6.3A, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1V @ 800µA,

इच्छा सुची

SI7234DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI7234DP-T1-GE3

भाग स्टक: 47223

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 12V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 60A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 3.4 mOhm @ 20A, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1.5V @ 250µA,

इच्छा सुची

SI7980DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI7980DP-T1-GE3

भाग स्टक: 96693

FET प्रकार: 2 N-Channel (Half Bridge), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 8A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 22 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.5V @ 250µA,

इच्छा सुची

Vishay Siliconix

SI1026X-T1-E3

भाग स्टक: 2694

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 60V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 305mA, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 1.4 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.5V @ 250µA,

इच्छा सुची

SI1551DL-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI1551DL-T1-GE3

भाग स्टक: 2873

FET प्रकार: N and P-Channel, FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 290mA, 410mA, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 1.9 Ohm @ 290mA, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1.5V @ 250µA,

इच्छा सुची

SI7872DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI7872DP-T1-GE3

भाग स्टक: 71532

FET प्रकार: 2 N-Channel (Half Bridge), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 6.4A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 22 mOhm @ 7.5A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 3V @ 250µA,

इच्छा सुची

Vishay Siliconix

SI7980DP-T1-E3

भाग स्टक: 2862

FET प्रकार: 2 N-Channel (Half Bridge), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 8A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 22 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.5V @ 250µA,

इच्छा सुची

SI4539ADY-T1-E3

Vishay Siliconix

SI4539ADY-T1-E3

भाग स्टक: 2626

FET प्रकार: N and P-Channel, FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 4.4A, 3.7A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 36 mOhm @ 5.9A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1V @ 250µA (Min),

इच्छा सुची

Vishay Siliconix

SI4923DY-T1-E3

भाग स्टक: 2886

FET प्रकार: 2 P-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 6.2A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 21 mOhm @ 8.3A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 3V @ 250µA,

इच्छा सुची

Vishay Siliconix

SI4910DY-T1-E3

भाग स्टक: 2756

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 40V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 7.6A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 27 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2V @ 250µA,

इच्छा सुची

Vishay Siliconix

SI3993DV-T1-E3

भाग स्टक: 198401

FET प्रकार: 2 P-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 1.8A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 133 mOhm @ 2.2A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 3V @ 250µA,

इच्छा सुची

SI4972DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI4972DY-T1-GE3

भाग स्टक: 2881

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 10.8A, 7.2A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 14.5 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 3V @ 250µA,

इच्छा सुची

Vishay Siliconix

VQ1001P-E3

भाग स्टक: 2920

FET प्रकार: 4 N-Channel, FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 830mA, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 1.75 Ohm @ 200mA, 5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.5V @ 1mA,

इच्छा सुची

SI7958DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI7958DP-T1-GE3

भाग स्टक: 2819

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 40V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 7.2A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 16.5 mOhm @ 11.3A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 3V @ 250µA,

इच्छा सुची

SI6933DQ-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI6933DQ-T1-GE3

भाग स्टक: 2892

FET प्रकार: 2 P-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 45 mOhm @ 3.5A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1V @ 250µA (Min),

इच्छा सुची

SI4973DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI4973DY-T1-GE3

भाग स्टक: 2865

FET प्रकार: 2 P-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 5.8A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 23 mOhm @ 7.6A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 3V @ 250µA,

इच्छा सुची

SI7983DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI7983DP-T1-GE3

भाग स्टक: 2899

FET प्रकार: 2 P-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 7.7A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 17 mOhm @ 12A, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1V @ 600µA,

इच्छा सुची

SI1563EDH-T1-E3

Vishay Siliconix

SI1563EDH-T1-E3

भाग स्टक: 2699

FET प्रकार: N and P-Channel, FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 1.13A, 880mA, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 280 mOhm @ 1.13A, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1V @ 100µA,

इच्छा सुची

Vishay Siliconix

SI1539DL-T1-E3

भाग स्टक: 2765

FET प्रकार: N and P-Channel, FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 540mA, 420mA, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 480 mOhm @ 590mA, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.6V @ 250µA,

इच्छा सुची

SI7844DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI7844DP-T1-GE3

भाग स्टक: 2794

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 6.4A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 22 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.4V @ 250µA,

इच्छा सुची

648

«
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
»