ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एरेहरू

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ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एरेहरू

Vishay Siliconix

SI4567DY-T1-E3

भाग स्टक: 2783

FET प्रकार: N and P-Channel, FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 40V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 5A, 4.4A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 60 mOhm @ 4.1A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.2V @ 250µA,

इच्छा सुची

SI5906DU-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI5906DU-T1-GE3

भाग स्टक: 2915

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 6A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 31 mOhm @ 4.8A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.2V @ 250µA,

इच्छा सुची

SI4500BDY-T1-E3

Vishay Siliconix

SI4500BDY-T1-E3

भाग स्टक: 2701

FET प्रकार: N and P-Channel, Common Drain, FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 6.6A, 3.8A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 20 mOhm @ 9.1A, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1.5V @ 250µA,

इच्छा सुची

Vishay Siliconix

SI3909DV-T1-E3

भाग स्टक: 2856

FET प्रकार: 2 P-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 200 mOhm @ 1.8A, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 500mV @ 250µA (Min),

इच्छा सुची

SI4830CDY-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI4830CDY-T1-GE3

भाग स्टक: 135529

FET प्रकार: 2 N-Channel (Half Bridge), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 8A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 20 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 3V @ 1mA,

इच्छा सुची

SI9933BDY-T1-E3

Vishay Siliconix

SI9933BDY-T1-E3

भाग स्टक: 2801

FET प्रकार: 2 P-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 3.6A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 60 mOhm @ 4.7A, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1.4V @ 250µA,

इच्छा सुची

Vishay Siliconix

SI1553DL-T1-E3

भाग स्टक: 2696

FET प्रकार: N and P-Channel, FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 660mA, 410mA, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 385 mOhm @ 660mA, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 600mV @ 250µA (Min),

इच्छा सुची

Vishay Siliconix

SI9945AEY-T1

भाग स्टक: 2814

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 60V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 3.7A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 80 mOhm @ 3.7A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 3V @ 250µA,

इच्छा सुची

SI1539DL-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI1539DL-T1-GE3

भाग स्टक: 2837

FET प्रकार: N and P-Channel, FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 540mA, 420mA, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 480 mOhm @ 590mA, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.6V @ 250µA,

इच्छा सुची

SI4330DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI4330DY-T1-GE3

भाग स्टक: 2810

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 6.6A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 16.5 mOhm @ 8.7A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 3V @ 250µA,

इच्छा सुची

Vishay Siliconix

SI3905DV-T1-E3

भाग स्टक: 2795

FET प्रकार: 2 P-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 8V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 125 mOhm @ 2.5A, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 450mV @ 250µA (Min),

इच्छा सुची

SI7501DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI7501DN-T1-GE3

भाग स्टक: 57296

FET प्रकार: N and P-Channel, Common Drain, FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 5.4A, 4.5A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 35 mOhm @ 7.7A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 3V @ 250µA,

इच्छा सुची

SI5975DC-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI5975DC-T1-GE3

भाग स्टक: 2853

FET प्रकार: 2 P-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 12V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 3.1A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 86 mOhm @ 3.1A, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 450mV @ 1mA (Min),

इच्छा सुची

SI6943BDQ-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI6943BDQ-T1-GE3

भाग स्टक: 2834

FET प्रकार: 2 P-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 12V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 2.3A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 80 mOhm @ 2.5A, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 800mV @ 250µA,

इच्छा सुची

SI6963BDQ-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI6963BDQ-T1-GE3

भाग स्टक: 2791

FET प्रकार: 2 P-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 3.4A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 45 mOhm @ 3.9A, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1.4V @ 250µA,

इच्छा सुची

Vishay Siliconix

SI5975DC-T1-E3

भाग स्टक: 2864

FET प्रकार: 2 P-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 12V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 3.1A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 86 mOhm @ 3.1A, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 450mV @ 1mA (Min),

इच्छा सुची

Vishay Siliconix

SI6973DQ-T1-E3

भाग स्टक: 2882

FET प्रकार: 2 P-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 4.1A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 30 mOhm @ 4.8A, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 450mV @ 250µA (Min),

इच्छा सुची

SI1988DH-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI1988DH-T1-GE3

भाग स्टक: 2796

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 1.3A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 168 mOhm @ 1.4A, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1V @ 250µA,

इच्छा सुची

SIZ900DT-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIZ900DT-T1-GE3

भाग स्टक: 87000

FET प्रकार: 2 N-Channel (Half Bridge), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 24A, 28A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 7.2 mOhm @ 19.4A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.4V @ 250µA,

इच्छा सुची

Vishay Siliconix

SI7958DP-T1-E3

भाग स्टक: 3297

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 40V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 7.2A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 16.5 mOhm @ 11.3A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 3V @ 250µA,

इच्छा सुची

SI4816DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI4816DY-T1-GE3

भाग स्टक: 2804

FET प्रकार: 2 N-Channel (Half Bridge), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 5.3A, 7.7A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 22 mOhm @ 6.3A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2V @ 250µA,

इच्छा सुची

SI1912EDH-T1-E3

Vishay Siliconix

SI1912EDH-T1-E3

भाग स्टक: 2739

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 1.13A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 280 mOhm @ 1.13A, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 450mV @ 100µA (Min),

इच्छा सुची

Vishay Siliconix

SI1563DH-T1-E3

भाग स्टक: 3284

FET प्रकार: N and P-Channel, FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 1.13A, 880mA, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 280 mOhm @ 1.13A, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1V @ 100µA,

इच्छा सुची

SI4834CDY-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI4834CDY-T1-GE3

भाग स्टक: 135475

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 8A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 20 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 3V @ 1mA,

इच्छा सुची

SI6943BDQ-T1-E3

Vishay Siliconix

SI6943BDQ-T1-E3

भाग स्टक: 2779

FET प्रकार: 2 P-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 12V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 2.3A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 80 mOhm @ 2.5A, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 800mV @ 250µA,

इच्छा सुची

SI7960DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI7960DP-T1-GE3

भाग स्टक: 2812

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 60V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 6.2A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 21 mOhm @ 9.7A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 3V @ 250µA,

इच्छा सुची

Vishay Siliconix

SI7222DN-T1-E3

भाग स्टक: 2764

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 40V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 6A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 42 mOhm @ 5.7A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1.6V @ 250µA,

इच्छा सुची

Vishay Siliconix

SI1553DL-T1

भाग स्टक: 2791

FET प्रकार: N and P-Channel, FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 660mA, 410mA, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 385 mOhm @ 660mA, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 600mV @ 250µA (Min),

इच्छा सुची

SI6955ADQ-T1-E3

Vishay Siliconix

SI6955ADQ-T1-E3

भाग स्टक: 2891

FET प्रकार: 2 P-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 2.5A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 80 mOhm @ 2.9A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1V @ 250µA (Min),

इच्छा सुची

SI4834CDY-T1-E3

Vishay Siliconix

SI4834CDY-T1-E3

भाग स्टक: 135916

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 8A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 20 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 3V @ 1mA,

इच्छा सुची

SI4230DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI4230DY-T1-GE3

भाग स्टक: 2831

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 8A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 20.5 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 3V @ 250µA,

इच्छा सुची

Vishay Siliconix

SI7216DN-T1-E3

भाग स्टक: 113570

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 40V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 6A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 32 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 3V @ 250µA,

इच्छा सुची

Vishay Siliconix

SI1034X-T1-E3

भाग स्टक: 2786

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 180mA, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 5 Ohm @ 200mA, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1.2V @ 250µA,

इच्छा सुची

SI3850ADV-T1-E3

Vishay Siliconix

SI3850ADV-T1-E3

भाग स्टक: 2773

FET प्रकार: N and P-Channel, Common Drain, FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 1.4A, 960mA, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 300 mOhm @ 500mA, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1.5V @ 250µA,

इच्छा सुची

SI7222DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI7222DN-T1-GE3

भाग स्टक: 2787

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 40V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 6A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 42 mOhm @ 5.7A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1.6V @ 250µA,

इच्छा सुची

SI6966EDQ-T1-E3

Vishay Siliconix

SI6966EDQ-T1-E3

भाग स्टक: 2830

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 30 mOhm @ 5.2A, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 600mV @ 250µA (Min),

इच्छा सुची

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