ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एरेहरू | असक्रिय अर्धचालक उत्पादनहरू | 18

SI4952DY-T1-GE3

भाग स्टक: 3339

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 25V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 8A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 23 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.2V @ 250µA,

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Vishay Siliconix

SI3850ADV-T1-GE3

भाग स्टक: 2805

FET प्रकार: N and P-Channel, Common Drain, FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 1.4A, 960mA, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 300 mOhm @ 500mA, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1.5V @ 250µA,

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Vishay Siliconix

SI4388DY-T1-E3

भाग स्टक: 2702

FET प्रकार: 2 N-Channel (Half Bridge), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 10.7A, 11.3A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 16 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 3V @ 250µA,

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SI6983DQ-T1-GE3

भाग स्टक: 2899

FET प्रकार: 2 P-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 4.6A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 24 mOhm @ 5.4A, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1V @ 400µA,

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SI5905DC-T1-GE3

भाग स्टक: 2839

FET प्रकार: 2 P-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 8V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 3A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 90 mOhm @ 3A, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 450mV @ 250µA (Min),

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SI5517DU-T1-E3

भाग स्टक: 2805

FET प्रकार: N and P-Channel, FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 6A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 39 mOhm @ 4.4A, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1V @ 250µA,

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SI4544DY-T1-GE3

भाग स्टक: 2824

FET प्रकार: N and P-Channel, Common Drain, FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 35 mOhm @ 6.5A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1V @ 250µA (Min),

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SI4210DY-T1-GE3

भाग स्टक: 124384

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 6.5A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 35.5 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.5V @ 250µA,

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SI5903DC-T1-E3

भाग स्टक: 2754

FET प्रकार: 2 P-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 2.1A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 155 mOhm @ 2.1A, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 600mV @ 250µA (Min),

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SI6966DQ-T1-GE3

भाग स्टक: 2838

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 4A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 30 mOhm @ 4.5A, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1.4V @ 250µA,

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SI1553DL-T1-GE3

भाग स्टक: 2851

FET प्रकार: N and P-Channel, FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 660mA, 410mA, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 385 mOhm @ 660mA, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 600mV @ 250µA (Min),

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SI6969DQ-T1-E3

भाग स्टक: 2898

FET प्रकार: 2 P-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 12V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 34 mOhm @ 4.6A, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 450mV @ 250µA (Min),

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SI4561DY-T1-GE3

भाग स्टक: 2816

FET प्रकार: N and P-Channel, FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 40V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 6.8A, 7.2A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 35.5 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 3V @ 250µA,

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SI1917EDH-T1-E3

भाग स्टक: 2713

FET प्रकार: 2 P-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 12V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 1A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 370 mOhm @ 1A, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 450mV @ 100µA (Min),

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SI4830ADY-T1-E3

भाग स्टक: 2782

FET प्रकार: 2 N-Channel (Half Bridge), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 5.7A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 22 mOhm @ 7.5A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 3V @ 250µA,

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SIZ910DT-T1-GE3

भाग स्टक: 77131

FET प्रकार: 2 N-Channel (Half Bridge), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 40A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 5.8 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.2V @ 250µA,

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SI4804BDY-T1-GE3

भाग स्टक: 2795

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 5.7A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 22 mOhm @ 7.5A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 3V @ 250µA,

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SI5511DC-T1-E3

भाग स्टक: 2730

FET प्रकार: N and P-Channel, FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 4A, 3.6A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 55 mOhm @ 4.8A, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2V @ 250µA,

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SI9926BDY-T1-GE3

भाग स्टक: 2824

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 6.2A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 20 mOhm @ 8.2A, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1.5V @ 250µA,

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SI5999EDU-T1-GE3

भाग स्टक: 128567

FET प्रकार: 2 P-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 6A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 59 mOhm @ 3.5A, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1.5V @ 250µA,

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SIA911EDJ-T1-GE3

भाग स्टक: 2796

FET प्रकार: 2 P-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 4.5A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 101 mOhm @ 2.7A, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1V @ 250µA,

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Vishay Siliconix

SI7940DP-T1-E3

भाग स्टक: 2854

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 12V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 7.6A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 17 mOhm @ 11.8A, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1.5V @ 250µA,

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Vishay Siliconix

SI1972DH-T1-GE3

भाग स्टक: 2790

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 1.3A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 225 mOhm @ 1.3A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.8V @ 250µA,

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Vishay Siliconix

SI4966DY-T1-E3

भाग स्टक: 85796

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 25 mOhm @ 7.1A, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1.5V @ 250µA,

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Vishay Siliconix

SI4910DY-T1-GE3

भाग स्टक: 2838

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 40V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 7.6A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 27 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2V @ 250µA,

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Vishay Siliconix

SI4906DY-T1-E3

भाग स्टक: 2797

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 40V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 6.6A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 39 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.2V @ 250µA,

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Vishay Siliconix

VQ1001P-2

भाग स्टक: 2955

FET प्रकार: 4 N-Channel, FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 830mA, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 1.75 Ohm @ 200mA, 5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.5V @ 1mA,

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Vishay Siliconix

SI4953ADY-T1-E3

भाग स्टक: 3366

FET प्रकार: 2 P-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 3.7A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 53 mOhm @ 4.9A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1V @ 250µA (Min),

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SQ4946EY-T1-E3

भाग स्टक: 2909

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 60V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 4.5A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 55 mOhm @ 4.5A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 3V @ 250µA,

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Vishay Siliconix

SI1551DL-T1-E3

भाग स्टक: 3285

FET प्रकार: N and P-Channel, FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 290mA, 410mA, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 1.9 Ohm @ 290mA, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1.5V @ 250µA,

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Vishay Siliconix

SI5947DU-T1-GE3

भाग स्टक: 2813

FET प्रकार: 2 P-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 6A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 58 mOhm @ 3.6A, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1.5V @ 250µA,

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VQ1006P-2

भाग स्टक: 2934

FET प्रकार: 4 N-Channel, FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 90V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 400mA, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 4.5 Ohm @ 1A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.5V @ 1mA,

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Vishay Siliconix

SI4561DY-T1-E3

भाग स्टक: 2835

FET प्रकार: N and P-Channel, FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 40V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 6.8A, 7.2A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 35.5 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 3V @ 250µA,

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Vishay Siliconix

SI6993DQ-T1-E3

भाग स्टक: 2760

FET प्रकार: 2 P-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 3.6A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 31 mOhm @ 4.7A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 3V @ 250µA,

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Vishay Siliconix

SI5905DC-T1-E3

भाग स्टक: 2878

FET प्रकार: 2 P-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 8V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 3A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 90 mOhm @ 3A, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 450mV @ 250µA (Min),

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Vishay Siliconix

SIA912DJ-T1-GE3

भाग स्टक: 2835

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 12V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 4.5A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 40 mOhm @ 4.2A, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1V @ 250µA,

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