ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एरेहरू

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SI4936ADY-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI4936ADY-T1-GE3

भाग स्टक: 77137

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 4.4A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 36 mOhm @ 5.9A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 3V @ 250µA,

इच्छा सुची

Vishay Siliconix

SI4920DY-T1-E3

भाग स्टक: 2966

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 25 mOhm @ 6.9A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1V @ 250µA (Min),

इच्छा सुची

SI1905BDH-T1-E3

Vishay Siliconix

SI1905BDH-T1-E3

भाग स्टक: 3022

FET प्रकार: 2 P-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 8V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 630mA, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 542 mOhm @ 580mA, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1V @ 250µA,

इच्छा सुची

SI4904DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI4904DY-T1-GE3

भाग स्टक: 68499

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 40V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 8A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 16 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2V @ 250µA,

इच्छा सुची

SI4900DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI4900DY-T1-GE3

भाग स्टक: 132105

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 60V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 5.3A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 58 mOhm @ 4.3A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 3V @ 250µA,

इच्छा सुची

SIA907EDJT-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIA907EDJT-T1-GE3

भाग स्टक: 150001

FET प्रकार: 2 P-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 4.5A (Tc), Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 57 mOhm @ 3.6A, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1.4V @ 250µA,

इच्छा सुची

SI4804CDY-T1-E3

Vishay Siliconix

SI4804CDY-T1-E3

भाग स्टक: 129067

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 8A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 22 mOhm @ 7.5A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.4V @ 250µA,

इच्छा सुची

SI4922BDY-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI4922BDY-T1-GE3

भाग स्टक: 93125

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 8A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 16 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1.8V @ 250µA,

इच्छा सुची

SQJQ900E-T1_GE3

Vishay Siliconix

SQJQ900E-T1_GE3

भाग स्टक: 69083

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 40V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 100A (Tc), Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 3.9 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.5V @ 250µA,

इच्छा सुची

SI6963BDQ-T1-E3

Vishay Siliconix

SI6963BDQ-T1-E3

भाग स्टक: 3001

FET प्रकार: 2 P-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 3.4A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 45 mOhm @ 3.9A, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1.4V @ 250µA,

इच्छा सुची

SI4539ADY-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI4539ADY-T1-GE3

भाग स्टक: 3314

FET प्रकार: N and P-Channel, FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 4.4A, 3.7A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 36 mOhm @ 5.9A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1V @ 250µA (Min),

इच्छा सुची

SI4816BDY-T1-E3

Vishay Siliconix

SI4816BDY-T1-E3

भाग स्टक: 93648

FET प्रकार: 2 N-Channel (Half Bridge), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 5.8A, 8.2A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 18.5 mOhm @ 6.8A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 3V @ 250µA,

इच्छा सुची

Vishay Siliconix

SI1023X-T1-E3

भाग स्टक: 2929

FET प्रकार: 2 P-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 370mA, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 1.2 Ohm @ 350mA, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 450mV @ 250µA (Min),

इच्छा सुची

SQ3987EV-T1_GE3

Vishay Siliconix

SQ3987EV-T1_GE3

भाग स्टक: 16233

FET प्रकार: 2 P-Channel (Dual), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 3A (Tc), Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 133 mOhm @ 1.5A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.5V @ 250µA,

इच्छा सुची

Vishay Siliconix

SI5915DC-T1-E3

भाग स्टक: 2988

FET प्रकार: 2 P-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 8V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 3.4A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 70 mOhm @ 3.4A, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 450mV @ 250µA (Min),

इच्छा सुची

SI3585DV-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI3585DV-T1-GE3

भाग स्टक: 3014

FET प्रकार: N and P-Channel, FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 2A, 1.5A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 125 mOhm @ 2.4A, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 600mV @ 250µA (Min),

इच्छा सुची

Vishay Siliconix

SI7956DP-T1-E3

भाग स्टक: 43929

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 150V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 2.6A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 105 mOhm @ 4.1A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 4V @ 250µA,

इच्छा सुची

SI3552DV-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI3552DV-T1-GE3

भाग स्टक: 189573

FET प्रकार: N and P-Channel, FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 105 mOhm @ 2.5A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1V @ 250µA (Min),

इच्छा सुची

SQJ956EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

SQJ956EP-T1_GE3

भाग स्टक: 9990

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 60V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 23A (Tc), Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 26.7 mOhm @ 5.2A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.5V @ 250µA,

इच्छा सुची

SI7940DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI7940DP-T1-GE3

भाग स्टक: 2920

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 12V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 7.6A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 17 mOhm @ 11.8A, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1.5V @ 250µA,

इच्छा सुची

SI4936ADY-T1-E3

Vishay Siliconix

SI4936ADY-T1-E3

भाग स्टक: 77138

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 4.4A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 36 mOhm @ 5.9A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 3V @ 250µA,

इच्छा सुची

SI5933CDC-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI5933CDC-T1-GE3

भाग स्टक: 181122

FET प्रकार: 2 P-Channel (Dual), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 3.7A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 144 mOhm @ 2.5A, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1V @ 250µA,

इच्छा सुची

SI7223DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI7223DN-T1-GE3

भाग स्टक: 9952

FET प्रकार: 2 P-Channel (Dual), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 6A (Tc), Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 26.4 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.5V @ 250µA,

इच्छा सुची

SI9933CDY-T1-E3

Vishay Siliconix

SI9933CDY-T1-E3

भाग स्टक: 154905

FET प्रकार: 2 P-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 4A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 58 mOhm @ 4.8A, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1.4V @ 250µA,

इच्छा सुची

SIZ346DT-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIZ346DT-T1-GE3

भाग स्टक: 9988

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 17A (Tc), 30A (Tc), Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 28.5 mOhm @ 10A, 10V, 11.5 mOhm @ 14.4A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.2V @ 250µA, 2.4V @ 250µA,

इच्छा सुची

SIZ728DT-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIZ728DT-T1-GE3

भाग स्टक: 110130

FET प्रकार: 2 N-Channel (Half Bridge), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 25V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 16A, 35A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 7.7 mOhm @ 18A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.2V @ 250µA,

इच्छा सुची

SI4288DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI4288DY-T1-GE3

भाग स्टक: 118896

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 40V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 9.2A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 20 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.5V @ 250µA,

इच्छा सुची

Vishay Siliconix

SI5938DU-T1-E3

भाग स्टक: 2940

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 6A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 39 mOhm @ 4.4A, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1V @ 250µA,

इच्छा सुची

Vishay Siliconix

SI4650DY-T1-E3

भाग स्टक: 2953

FET प्रकार: 2 N-Channel (Half Bridge), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 8A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 18 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 3V @ 1mA,

इच्छा सुची

SI5997DU-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI5997DU-T1-GE3

भाग स्टक: 168303

FET प्रकार: 2 P-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 6A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 54 mOhm @ 3A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.4V @ 250µA,

इच्छा सुची

SIZ350DT-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIZ350DT-T1-GE3

भाग स्टक: 220

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 18.5A (Ta), 30A (Tc), Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 6.75 mOhm @ 15A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.4V @ 250µA,

इच्छा सुची

SI4590DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI4590DY-T1-GE3

भाग स्टक: 189788

FET प्रकार: N and P-Channel, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 100V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 3.4A, 2.8A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 57 mOhm @ 2A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.5V @ 250µA,

इच्छा सुची

SI3900DV-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI3900DV-T1-GE3

भाग स्टक: 169893

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 2A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 125 mOhm @ 2.4A, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1.5V @ 250µA,

इच्छा सुची

Vishay Siliconix

SI1023X-T1-GE3

भाग स्टक: 119178

FET प्रकार: 2 P-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 370mA, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 1.2 Ohm @ 350mA, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 450mV @ 250µA (Min),

इच्छा सुची

SI1902DL-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI1902DL-T1-GE3

भाग स्टक: 162518

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 660mA, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 385 mOhm @ 660mA, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1.5V @ 250µA,

इच्छा सुची

SI4532CDY-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI4532CDY-T1-GE3

भाग स्टक: 107643

FET प्रकार: N and P-Channel, FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 6A, 4.3A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 47 mOhm @ 3.5A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 3V @ 250µA,

इच्छा सुची

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