ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एरेहरू | असक्रिय अर्धचालक उत्पादनहरू | 18

19MT050XF

भाग स्टक: 2704

FET प्रकार: 4 N-Channel (H-Bridge), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 500V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 31A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 220 mOhm @ 19A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 6V @ 250µA,

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Vishay Siliconix

SI1033X-T1-GE3

भाग स्टक: 174190

FET प्रकार: 2 P-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 145mA, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 8 Ohm @ 150mA, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1.2V @ 250µA,

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Vishay Siliconix

SIA777EDJ-T1-GE3

भाग स्टक: 187147

FET प्रकार: N and P-Channel, FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, 12V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 1.5A, 4.5A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 225 mOhm @ 1.6A, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1V @ 250µA,

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Vishay Siliconix

SI4505DY-T1-E3

भाग स्टक: 118937

FET प्रकार: N and P-Channel, FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, 8V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 6A, 3.8A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 18 mOhm @ 7.8A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1.8V @ 250µA,

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Vishay Siliconix

SI4808DY-T1-E3

भाग स्टक: 80900

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 5.7A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 22 mOhm @ 7.5A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 800mV @ 250µA (Min),

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Vishay Siliconix

SI7962DP-T1-E3

भाग स्टक: 38892

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 40V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 7.1A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 17 mOhm @ 11.1A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 4.5V @ 250µA,

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Vishay Siliconix

SI7900AEDN-T1-GE3

भाग स्टक: 139913

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 6A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 26 mOhm @ 8.5A, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 900mV @ 250µA,

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Vishay Siliconix

SUD50NP04-77P-T4E3

भाग स्टक: 118918

FET प्रकार: N and P-Channel, Common Drain, FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 40V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 8A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 37 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.5V @ 250µA,

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Vishay Siliconix

SI6968BEDQ-T1-GE3

भाग स्टक: 192809

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 5.2A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 22 mOhm @ 6.5A, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1.6V @ 250µA,

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Vishay Siliconix

SI4936CDY-T1-E3

भाग स्टक: 152475

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 5.8A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 40 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 3V @ 250µA,

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Vishay Siliconix

SI3948DV-T1-GE3

भाग स्टक: 139953

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 105 mOhm @ 2.5A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1V @ 250µA (Min),

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Vishay Siliconix

SI6975DQ-T1-E3

भाग स्टक: 56765

FET प्रकार: 2 P-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 12V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 4.3A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 27 mOhm @ 5.1A, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 450mV @ 5mA (Min),

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Vishay Siliconix

SI6975DQ-T1-GE3

भाग स्टक: 89660

FET प्रकार: 2 P-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 12V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 4.3A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 27 mOhm @ 5.1A, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 450mV @ 5mA (Min),

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Vishay Siliconix

SI6954ADQ-T1-GE3

भाग स्टक: 102782

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 3.1A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 53 mOhm @ 3.4A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1V @ 250µA (Min),

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Vishay Siliconix

SI7904BDN-T1-GE3

भाग स्टक: 165688

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 6A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 30 mOhm @ 7.1A, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1V @ 250µA,

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Vishay Siliconix

SI4276DY-T1-E3

भाग स्टक: 139906

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 8A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 15.3 mOhm @ 9.5A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.5V @ 250µA,

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SI4943BDY-T1-GE3

भाग स्टक: 73684

FET प्रकार: 2 P-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 6.3A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 19 mOhm @ 8.4A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 3V @ 250µA,

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Vishay Siliconix

SI6954ADQ-T1-E3

भाग स्टक: 197681

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 3.1A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 53 mOhm @ 3.4A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1V @ 250µA (Min),

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Vishay Siliconix

SI8900EDB-T2-E1

भाग स्टक: 45537

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 5.4A, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1V @ 1.1mA,

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Vishay Siliconix

SI7913DN-T1-GE3

भाग स्टक: 93108

FET प्रकार: 2 P-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 5A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 37 mOhm @ 7.4A, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1V @ 250µA,

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Vishay Siliconix

SI6968BEDQ-T1-E3

भाग स्टक: 118914

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 5.2A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 22 mOhm @ 6.5A, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1.6V @ 250µA,

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Vishay Siliconix

SI7904BDN-T1-E3

भाग स्टक: 165763

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 6A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 30 mOhm @ 7.1A, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1V @ 250µA,

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Vishay Siliconix

SI4948BEY-T1-GE3

भाग स्टक: 125231

FET प्रकार: 2 P-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 60V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 2.4A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 120 mOhm @ 3.1A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 3V @ 250µA,

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Vishay Siliconix

SI4946BEY-T1-E3

भाग स्टक: 150097

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 60V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 6.5A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 41 mOhm @ 5.3A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 3V @ 250µA,

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Vishay Siliconix

SI4808DY-T1-GE3

भाग स्टक: 80857

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 5.7A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 22 mOhm @ 7.5A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 800mV @ 250µA (Min),

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Vishay Siliconix

SI3951DV-T1-GE3

भाग स्टक: 199685

FET प्रकार: 2 P-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 2.7A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 115 mOhm @ 2.5A, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1.5V @ 250µA,

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Vishay Siliconix

SI7923DN-T1-E3

भाग स्टक: 101885

FET प्रकार: 2 P-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 4.3A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 47 mOhm @ 6.4A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 3V @ 250µA,

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Vishay Siliconix

SI5902BDC-T1-E3

भाग स्टक: 125159

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 4A (Tc), Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 65 mOhm @ 3.1A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 3V @ 250µA,

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Vishay Siliconix

SI5908DC-T1-GE3

भाग स्टक: 118967

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 4.4A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 40 mOhm @ 4.4A, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1V @ 250µA,

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Vishay Siliconix

SIZ904DT-T1-GE3

भाग स्टक: 140725

FET प्रकार: 2 N-Channel (Half Bridge), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 12A, 16A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 24 mOhm @ 7.8A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.5V @ 250µA,

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Vishay Siliconix

SI7923DN-T1-GE3

भाग स्टक: 101842

FET प्रकार: 2 P-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 4.3A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 47 mOhm @ 6.4A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 3V @ 250µA,

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Vishay Siliconix

SIZ918DT-T1-GE3

भाग स्टक: 132159

FET प्रकार: 2 N-Channel (Half Bridge), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 16A, 28A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 12 mOhm @ 13.8A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.2V @ 250µA,

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Vishay Siliconix

SI4505DY-T1-GE3

भाग स्टक: 118954

FET प्रकार: N and P-Channel, FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, 8V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 6A, 3.8A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 18 mOhm @ 7.8A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1.8V @ 250µA,

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Vishay Siliconix

SI7913DN-T1-E3

भाग स्टक: 93083

FET प्रकार: 2 P-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 5A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 37 mOhm @ 7.4A, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1V @ 250µA,

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Vishay Siliconix

SI4554DY-T1-GE3

भाग स्टक: 106365

FET प्रकार: N and P-Channel, FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 40V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 8A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 24 mOhm @ 6.8A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.2V @ 250µA,

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Vishay Siliconix

SQ4282EY-T1_GE3

भाग स्टक: 10808

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 8A (Tc), Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 12.3 mOhm @ 15A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.5V @ 250µA,

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