ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एरेहरू | असक्रिय अर्धचालक उत्पादनहरू | 18

SI7216DN-T1-GE3

भाग स्टक: 113546

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 40V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 6A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 32 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 3V @ 250µA,

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Vishay Siliconix

SI4963BDY-T1-E3

भाग स्टक: 147270

FET प्रकार: 2 P-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 4.9A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 32 mOhm @ 6.5A, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1.4V @ 250µA,

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Vishay Siliconix

SI1926DL-T1-GE3

भाग स्टक: 137693

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 60V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 370mA, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 1.4 Ohm @ 340mA, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.5V @ 250µA,

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SQJQ906E-T1_GE3

भाग स्टक: 8627

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 40V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 95A (Tc), Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 3.3 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 3.5V @ 250µA,

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Vishay Siliconix

SI4542DY-T1-E3

भाग स्टक: 5348

FET प्रकार: N and P-Channel, FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 25 mOhm @ 6.9A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1V @ 250µA (Min),

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Vishay Siliconix

SIZ320DT-T1-GE3

भाग स्टक: 9923

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 25V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 30A (Tc), 40A (Tc), Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 8.3 mOhm @ 8A, 10V, 4.24 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.4V @ 250µA,

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Vishay Siliconix

SIZ926DT-T1-GE3

भाग स्टक: 127180

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 25V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 40A (Tc), 60A (Tc), Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 4.8 mOhm @ 5A, 10V, 2.2 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.2V @ 250µA,

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Vishay Siliconix

SIZ328DT-T1-GE3

भाग स्टक: 221

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 25V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 11.1A (Ta), 25.3A (Tc), 15A (Ta), 30A (Tc), Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 15 mOhm @ 5A, 10V, 10 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.5V @ 250µA,

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SIZF916DT-T1-GE3

भाग स्टक: 281

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 23A (Ta), 40A (Tc), Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 4 mOhm @ 10A, 10V, 1.25 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.4V @ 250µA, 2.2V @ 250µA,

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SI7905DN-T1-E3

भाग स्टक: 73624

FET प्रकार: 2 P-Channel (Dual), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 40V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 6A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 60 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 3V @ 250µA,

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SI1900DL-T1-GE3

भाग स्टक: 337

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 630mA (Ta), 590mA (Ta), Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 480 mOhm @ 590mA, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 3V @ 250µA,

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SISB46DN-T1-GE3

भाग स्टक: 104289

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 40V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 34A (Tc), Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 11.71 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.2V @ 250µA,

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Vishay Siliconix

SIZ988DT-T1-GE3

भाग स्टक: 16265

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 40A (Tc), 60A (Tc), Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 7.5 mOhm @ 10A, 10V, 4.1 mOhm @ 19A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.4V @ 250µA, 2.2V @ 250µA,

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Vishay Siliconix

SI6913DQ-T1-E3

भाग स्टक: 71472

FET प्रकार: 2 P-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 12V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 4.9A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 21 mOhm @ 5.8A, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 900mV @ 400µA,

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Vishay Siliconix

SI4670DY-T1-E3

भाग स्टक: 139946

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 25V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 8A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 23 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.2V @ 250µA,

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SI5922DU-T1-GE3

भाग स्टक: 127635

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 6A (Tc), Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 19.2 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.2V @ 250µA,

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Vishay Siliconix

SIZ348DT-T1-GE3

भाग स्टक: 277

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 18A (Ta), 30A (Tc), Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 7.12 mOhm @ 15A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.4V @ 250µA,

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Vishay Siliconix

SIA931DJ-T1-GE3

भाग स्टक: 160155

FET प्रकार: 2 P-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 4.5A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 65 mOhm @ 3A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.2V @ 250µA,

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Vishay Siliconix

SI5904DC-T1-E3

भाग स्टक: 2972

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 3.1A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 75 mOhm @ 3.1A, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1.5V @ 250µA,

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SI4965DY-T1-GE3

भाग स्टक: 3019

FET प्रकार: 2 P-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 8V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 21 mOhm @ 8A, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 450mV @ 250µA (Min),

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Vishay Siliconix

SI1902CDL-T1-GE3

भाग स्टक: 181662

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 1.1A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 235 mOhm @ 1A, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1.5V @ 250µA,

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Vishay Siliconix

SIA936EDJ-T1-GE3

भाग स्टक: 3020

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 4.5A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 34 mOhm @ 4A, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1.3V @ 250µA,

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SQ4532AEY-T1_GE3

भाग स्टक: 10809

FET प्रकार: N and P-Channel, FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 7.3A (Tc), 5.3A (Tc), Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 31 mOhm @ 4.9A, 10V, 70 mOhm @ 3.5A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.5V @ 250µA,

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Vishay Siliconix

SI4532ADY-T1-GE3

भाग स्टक: 135915

FET प्रकार: N and P-Channel, FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 3.7A, 3A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 53 mOhm @ 4.9A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1V @ 250µA,

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Vishay Siliconix

SI7236DP-T1-E3

भाग स्टक: 45599

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 60A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 5.2 mOhm @ 20.7A, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1.5V @ 250µA,

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Vishay Siliconix

SI4936BDY-T1-GE3

भाग स्टक: 125167

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 6.9A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 35 mOhm @ 5.9A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 3V @ 250µA,

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Vishay Siliconix

SIZ902DT-T1-GE3

भाग स्टक: 110652

FET प्रकार: 2 N-Channel (Half Bridge), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 16A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 12 mOhm @ 13.8A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.2V @ 250µA,

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Vishay Siliconix

SIZ720DT-T1-GE3

भाग स्टक: 109371

FET प्रकार: 2 N-Channel (Half Bridge), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 16A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 8.7 mOhm @ 16.8A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2V @ 250µA,

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Vishay Siliconix

SI4200DY-T1-GE3

भाग स्टक: 161224

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 25V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 8A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 25 mOhm @ 7.3A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.2V @ 250µA,

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Vishay Siliconix

SQJ560EP-T1_GE3

भाग स्टक: 9941

FET प्रकार: N and P-Channel, FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 60V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 30A (Tc), 18A (Tc), Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 12 mOhm @ 10A, 10V, 52.6 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.5V @ 250µA,

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Vishay Siliconix

SI4542DY-T1-GE3

भाग स्टक: 2980

FET प्रकार: N and P-Channel, FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 25 mOhm @ 6.9A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1V @ 250µA (Min),

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SQJ941EP-T1-GE3

भाग स्टक: 3133

FET प्रकार: 2 P-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 8A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 24 mOhm @ 9A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.5V @ 250µA,

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Vishay Siliconix

SQJ200EP-T1_GE3

भाग स्टक: 165186

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 20A, 60A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 8.8 mOhm @ 16A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2V @ 250µA,

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Vishay Siliconix

SIZF906DT-T1-GE3

भाग स्टक: 98746

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 60A (Tc), Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 3.8 mOhm @ 15A, 10V, 1.17 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.2V @ 250µA,

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SI4963BDY-T1-GE3

भाग स्टक: 89691

FET प्रकार: 2 P-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 4.9A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 32 mOhm @ 6.5A, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1.4V @ 250µA,

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Vishay Siliconix

SI5517DU-T1-GE3

भाग स्टक: 139934

FET प्रकार: N and P-Channel, FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 6A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 39 mOhm @ 4.4A, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1V @ 250µA,

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