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डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एर्रेहरू

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VS-MBRB4045CTPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MBRB4045CTPBF

भाग स्टक: 22913

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 45V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 20A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 600mV @ 20A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VS-115CNQ015ASMPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-115CNQ015ASMPBF

भाग स्टक: 10483

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 15V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 55A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 460mV @ 110A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
MURD620CTTRR
Vishay Semiconductor Diodes Division

MURD620CTTRR

भाग स्टक: 5470

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 3A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.2V @ 3A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VS-40CTQ045-1PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-40CTQ045-1PBF

भाग स्टक: 57477

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 45V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 20A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 530mV @ 20A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
HFA100MD60C
Vishay Semiconductor Diodes Division

HFA100MD60C

भाग स्टक: 4374

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 83A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.4V @ 50A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
HFA60MB60C
Vishay Semiconductor Diodes Division

HFA60MB60C

भाग स्टक: 3669

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 50A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.5V @ 30A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
IRKD166/12
Vishay Semiconductor Diodes Division

IRKD166/12

भाग स्टक: 3588

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Series Connection, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1200V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 165A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VS-88CNQ060APBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-88CNQ060APBF

भाग स्टक: 3776

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 60V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 40A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 580mV @ 40A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VS-MBR2090CTPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MBR2090CTPBF

भाग स्टक: 3694

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 90V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 10A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 800mV @ 10A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VS-MBR3045WTPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MBR3045WTPBF

भाग स्टक: 60479

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 45V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 15A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 760mV @ 30A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
FEP16CT/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

FEP16CT/45

भाग स्टक: 3537

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 150V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 16A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 950mV @ 8A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VS-80CNQ035ASLPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-80CNQ035ASLPBF

भाग स्टक: 11583

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 35V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 40A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 520mV @ 40A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VSKD270-16
Vishay Semiconductor Diodes Division

VSKD270-16

भाग स्टक: 3607

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Series Connection, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1600V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 270A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
IRKJ71/14A
Vishay Semiconductor Diodes Division

IRKJ71/14A

भाग स्टक: 3556

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Anode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1400V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 80A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
MURB2020CT
Vishay Semiconductor Diodes Division

MURB2020CT

भाग स्टक: 3678

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 10A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 850mV @ 8A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
HFA70NC60CSL
Vishay Semiconductor Diodes Division

HFA70NC60CSL

भाग स्टक: 3629

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 56A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.5V @ 35A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VS-80CPQ150PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-80CPQ150PBF

भाग स्टक: 9992

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 150V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 40A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 860mV @ 40A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
MBRB3045CTTRL
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBRB3045CTTRL

भाग स्टक: 3635

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 45V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 15A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 600mV @ 20A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VS-MURB1020CT-1PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MURB1020CT-1PBF

भाग स्टक: 91688

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 5A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 990mV @ 5A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
MURB1020CTTRR
Vishay Semiconductor Diodes Division

MURB1020CTTRR

भाग स्टक: 3679

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 5A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 990mV @ 5A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
HFA80NC40CSM
Vishay Semiconductor Diodes Division

HFA80NC40CSM

भाग स्टक: 3574

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 400V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 85A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.5V @ 80A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
MBRB1535CT
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBRB1535CT

भाग स्टक: 3652

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 35V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 7.5A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 570mV @ 7.5A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VSKJ320-20
Vishay Semiconductor Diodes Division

VSKJ320-20

भाग स्टक: 3605

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Anode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 2000V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 320A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VS-80CNQ035ASMPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-80CNQ035ASMPBF

भाग स्टक: 11510

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 35V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 40A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 520mV @ 40A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VS-110CNQ045ASMPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-110CNQ045ASMPBF

भाग स्टक: 10251

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 45V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 110A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 700mV @ 110A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VS-MBR1535CTPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MBR1535CTPBF

भाग स्टक: 94715

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 35V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 7.5A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 840mV @ 15A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VS-30CTH03PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-30CTH03PBF

भाग स्टक: 44739

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 300V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 15A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.25V @ 15A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
IRKD71/04A
Vishay Semiconductor Diodes Division

IRKD71/04A

भाग स्टक: 3568

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Series Connection, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 400V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 80A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VS-83CNQ080ASLPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-83CNQ080ASLPBF

भाग स्टक: 11296

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 80V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 40A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 810mV @ 40A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
HFA80NK40C
Vishay Semiconductor Diodes Division

HFA80NK40C

भाग स्टक: 3615

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 400V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 89A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.5V @ 80A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VSKD320-04
Vishay Semiconductor Diodes Division

VSKD320-04

भाग स्टक: 3623

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Series Connection, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 400V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 320A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
MUR1620CT
Vishay Semiconductor Diodes Division

MUR1620CT

भाग स्टक: 3576

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 8A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 950mV @ 8A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VS-40L40CWPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-40L40CWPBF

भाग स्टक: 29726

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 40V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 20A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 530mV @ 20A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
GSD2004C-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

GSD2004C-HE3-08

भाग स्टक: 109437

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 240V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 225mA, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1V @ 100mA, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
MBR2035CT-1
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBR2035CT-1

भाग स्टक: 3639

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 35V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 10A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 840mV @ 20A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VS-40L15CTSPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-40L15CTSPBF

भाग स्टक: 16346

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 15V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 20A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 410mV @ 19A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची