Menu
नेपालीनेपाली
Rfqs / अर्डर
0Rfqs / अर्डर

डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एर्रेहरू

  • घर
  •  
  • डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एर्रेहरू
VS-20CTQ045STRLPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-20CTQ045STRLPBF

भाग स्टक: 41741

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 45V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 20A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 760mV @ 20A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
MBRF15H45CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBRF15H45CT-E3/45

भाग स्टक: 4455

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 45V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 7.5A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 630mV @ 7.5A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
MBRB2550CTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBRB2550CTHE3/81

भाग स्टक: 3938

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 50V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 15A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 750mV @ 15A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
SS8P4CHM3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS8P4CHM3/87A

भाग स्टक: 3936

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 40V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 4A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 580mV @ 4A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
V60100PW-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division

V60100PW-M3/4W

भाग स्टक: 41568

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 30A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 860mV @ 30A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
UF10DCT-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division

UF10DCT-E3/4W

भाग स्टक: 184630

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 5A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.1V @ 5A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
MBR2045CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBR2045CT-E3/45

भाग स्टक: 3949

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 45V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 10A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 650mV @ 10A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
MBRF20H45CTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBRF20H45CTHE3/45

भाग स्टक: 3932

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 45V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 10A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 630mV @ 10A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
MBRB30H45CTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBRB30H45CTHE3/81

भाग स्टक: 4443

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 45V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 15A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 620mV @ 15A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
MBR2560CTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBR2560CTHE3/45

भाग स्टक: 3932

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 60V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 15A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 750mV @ 15A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
UGB8HCTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division

UGB8HCTHE3/81

भाग स्टक: 95943

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 500V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 4A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.75V @ 4A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
MBRF2035CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBRF2035CT-E3/45

भाग स्टक: 3999

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 35V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 10A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 650mV @ 10A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
SBLB25L30CTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division

SBLB25L30CTHE3/81

भाग स्टक: 3957

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 30V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 12.5A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 490mV @ 12.5A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
MBRB2050CTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBRB2050CTHE3/45

भाग स्टक: 4396

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 50V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 10A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 800mV @ 10A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
V60200PG-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

V60200PG-E3/45

भाग स्टक: 3960

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 30A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.48V @ 30A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
FEPB6DTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

FEPB6DTHE3/45

भाग स्टक: 125941

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 6A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 975mV @ 3A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
MBRB3035CTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBRB3035CTHE3/45

भाग स्टक: 3960

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 35V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 15A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 600mV @ 20A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
SBLB1030CTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

SBLB1030CTHE3/45

भाग स्टक: 3977

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 30V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 5A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 550mV @ 5A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
SBL1640CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

SBL1640CT-E3/45

भाग स्टक: 3981

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 40V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 8A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 550mV @ 8A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
SB30H150CT-1E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

SB30H150CT-1E3/45

भाग स्टक: 59361

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 150V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 15A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 900mV @ 15A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
MBR15H45CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBR15H45CT-E3/45

भाग स्टक: 3915

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 45V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 7.5A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 630mV @ 7.5A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
MBR3035CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBR3035CT-E3/45

भाग स्टक: 3953

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 35V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 15A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 600mV @ 15A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
SBLB25L20CTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

SBLB25L20CTHE3/45

भाग स्टक: 3957

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 20V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 12.5A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 490mV @ 12.5A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
UG18CCTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

UG18CCTHE3/45

भाग स्टक: 90756

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 150V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 18A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.1V @ 9A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VS-12CWQ10FNPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-12CWQ10FNPBF

भाग स्टक: 4098

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 6A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 800mV @ 6A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
U10DCT-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division

U10DCT-E3/4W

भाग स्टक: 173124

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 5A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.1V @ 5A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VS-MBRB2545CTTRLP
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MBRB2545CTTRLP

भाग स्टक: 34779

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 45V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 15A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 820mV @ 30A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
UH4PBCHM3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division

UH4PBCHM3/87A

भाग स्टक: 3954

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 2A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.05V @ 2A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VS-HFA30TA60CSTRLP
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-HFA30TA60CSTRLP

भाग स्टक: 20592

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 15A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.7V @ 15A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VS-12CTQ045STRLPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-12CTQ045STRLPBF

भाग स्टक: 59407

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 45V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 6A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 600mV @ 6A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
FEP16HTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

FEP16HTHE3/45

भाग स्टक: 89085

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 500V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 16A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.5V @ 8A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VS-MBRB2035CTPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MBRB2035CTPBF

भाग स्टक: 58079

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 35V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 10A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 570mV @ 10A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
UH4PDCHM3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division

UH4PDCHM3/86A

भाग स्टक: 3913

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 2A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.05V @ 2A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
MBR20H60CTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBR20H60CTHE3/45

भाग स्टक: 3957

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 60V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 10A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 710mV @ 10A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
FEP6DT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

FEP6DT-E3/45

भाग स्टक: 148705

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 6A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 975mV @ 3A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
MBRB15H45CT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBRB15H45CT-E3/81

भाग स्टक: 3910

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 45V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 7.5A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 630mV @ 7.5A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची