डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एर्रेहरू | असक्रिय अर्धचालक उत्पादनहरू | 97

IRKJ236/12

भाग स्टक: 3598

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Anode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1200V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 230A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

Vishay Semiconductor Diodes Division

IRKD196/12

भाग स्टक: 3611

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Series Connection, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1200V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 195A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

Vishay Semiconductor Diodes Division

IRKJ56/10A

भाग स्टक: 3569

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Anode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1000V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 60A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

Vishay Semiconductor Diodes Division

SS10P4C-M3/86A

भाग स्टक: 185239

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 40V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 5A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 530mV @ 5A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

Vishay Semiconductor Diodes Division

MBRD650CTTRL

भाग स्टक: 3731

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 50V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 3A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 700mV @ 3A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

Vishay Semiconductor Diodes Division

MBRB2545CT/45

भाग स्टक: 3731

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 45V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 15A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 820mV @ 30A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-81CNQ045ASMPBF

भाग स्टक: 11452

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 45V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 40A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 600mV @ 40A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

Vishay Semiconductor Diodes Division

IRKJ71/06A

भाग स्टक: 3588

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Anode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 80A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

Vishay Semiconductor Diodes Division

IRKC236/16

भाग स्टक: 3618

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1600V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 230A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

Vishay Semiconductor Diodes Division

MBR10H150CT-E3/45

भाग स्टक: 100256

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 150V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 5A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 880mV @ 5A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

Vishay Semiconductor Diodes Division

MBR2045CT-1

भाग स्टक: 3661

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 45V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 10A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 570mV @ 10A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

Vishay Semiconductor Diodes Division

VSKDL240-20S30

भाग स्टक: 3624

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Series Connection, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 2000V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 240A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.75V @ 800A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

Vishay Semiconductor Diodes Division

IRKD236/08

भाग स्टक: 3568

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Series Connection, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 800V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 230A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

Vishay Semiconductor Diodes Division

VSKD320-12

भाग स्टक: 3643

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Series Connection, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1200V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 320A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

Vishay Semiconductor Diodes Division

IRKJ166/04

भाग स्टक: 3610

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Anode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 400V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 165A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-16CTU04PBF

भाग स्टक: 44177

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 400V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 8A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.3V @ 8A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

Vishay Semiconductor Diodes Division

VSKD250-12

भाग स्टक: 3651

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Series Connection, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1200V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 250A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

Vishay Semiconductor Diodes Division

VSKD320-08

भाग स्टक: 3602

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Series Connection, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 800V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 320A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

Vishay Semiconductor Diodes Division

MURB1020CTTRL

भाग स्टक: 3708

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 5A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 990mV @ 5A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-12CTQ035PBF

भाग स्टक: 69742

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 35V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 6A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 600mV @ 6A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

Vishay Semiconductor Diodes Division

HFA16PA120C

भाग स्टक: 3655

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1200V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 8A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 3.3V @ 8A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-30CPQ140PBF

भाग स्टक: 17511

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 140V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 15A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1V @ 15A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-30CPU04PBF

भाग स्टक: 28589

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 400V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 15A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.25V @ 15A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

Vishay Semiconductor Diodes Division

IRKJ71/16A

भाग स्टक: 3655

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Anode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1600V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 80A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MBRB2045CTPBF

भाग स्टक: 27906

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 45V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 10A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 570mV @ 10A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

Vishay Semiconductor Diodes Division

V30D202C-M3/I

भाग स्टक: 34654

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 15A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 880mV @ 15A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

Vishay Semiconductor Diodes Division

IRKD71/12A

भाग स्टक: 3604

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Series Connection, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1200V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 80A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MBR3035WTPBF

भाग स्टक: 54244

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 35V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 15A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 760mV @ 30A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

Vishay Semiconductor Diodes Division

VSKCL240-14S20

भाग स्टक: 3587

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1400V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 250A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.57V @ 800A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

Vishay Semiconductor Diodes Division

IRKJ91/12A

भाग स्टक: 3563

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Anode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1200V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 100A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-30CTQ035PBF

भाग स्टक: 79279

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 35V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 15A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 620mV @ 15A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

Vishay Semiconductor Diodes Division

V50100P-E3/45

भाग स्टक: 3814

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 25A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 780mV @ 25A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

Vishay Semiconductor Diodes Division

HFA140MD60D

भाग स्टक: 3603

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Series Connection, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 99A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.7V @ 70A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-113CNQ100ASMPBF

भाग स्टक: 10057

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 55A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1V @ 110A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

Vishay Semiconductor Diodes Division

VSKCL240-25S30

भाग स्टक: 3631

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 2500V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 240A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.75V @ 800A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

Vishay Semiconductor Diodes Division

IRKD56/10A

भाग स्टक: 4440

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Series Connection, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1000V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 60A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची