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डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एर्रेहरू

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VS-40CTQ045SPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-40CTQ045SPBF

भाग स्टक: 28808

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 45V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 20A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 530mV @ 20A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
IRKC91/04A
Vishay Semiconductor Diodes Division

IRKC91/04A

भाग स्टक: 3602

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 400V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 100A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
IRKJ56/12A
Vishay Semiconductor Diodes Division

IRKJ56/12A

भाग स्टक: 3643

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Anode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1200V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 60A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
IRKC236/04
Vishay Semiconductor Diodes Division

IRKC236/04

भाग स्टक: 3629

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 400V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 230A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
UFB200FA20
Vishay Semiconductor Diodes Division

UFB200FA20

भाग स्टक: 3648

डायोड कन्फिगरेसन: 2 Independent, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 120A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.1V @ 120A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VS-30CTQ060-1PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-30CTQ060-1PBF

भाग स्टक: 36871

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 60V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 15A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 620mV @ 15A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
HFA75MC40C
Vishay Semiconductor Diodes Division

HFA75MC40C

भाग स्टक: 3677

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 400V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 75A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.5V @ 75A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VS-MBR20100CTPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MBR20100CTPBF

भाग स्टक: 3754

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 10A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 800mV @ 10A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VS-111CNQ045ASLPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-111CNQ045ASLPBF

भाग स्टक: 10244

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 45V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 110A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
IRKC196/12
Vishay Semiconductor Diodes Division

IRKC196/12

भाग स्टक: 3606

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1200V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 195A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VSKD71/10P
Vishay Semiconductor Diodes Division

VSKD71/10P

भाग स्टक: 4390

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Series Connection, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1000V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 80A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VS-60CTQ045PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-60CTQ045PBF

भाग स्टक: 15155

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 45V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 30A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 560mV @ 30A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VS-MBR2535CTPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MBR2535CTPBF

भाग स्टक: 75132

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 35V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 15A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 820mV @ 30A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VS-40L15CWPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-40L15CWPBF

भाग स्टक: 30088

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 15V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 20A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 410mV @ 20A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VS-MBR40L15CWPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MBR40L15CWPBF

भाग स्टक: 41968

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 15V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 20A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 420mV @ 20A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VS-30CTQ045SPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-30CTQ045SPBF

भाग स्टक: 36645

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 45V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 15A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 620mV @ 15A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
IRKD166/08
Vishay Semiconductor Diodes Division

IRKD166/08

भाग स्टक: 3563

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Series Connection, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 800V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 165A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
MURB2020CTTRR
Vishay Semiconductor Diodes Division

MURB2020CTTRR

भाग स्टक: 3713

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 10A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 850mV @ 8A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
MURD620CTTRL
Vishay Semiconductor Diodes Division

MURD620CTTRL

भाग स्टक: 3736

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 3A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.2V @ 3A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
IRKJ91/16A
Vishay Semiconductor Diodes Division

IRKJ91/16A

भाग स्टक: 3649

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Anode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1600V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 100A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VS-30CTQ100PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-30CTQ100PBF

भाग स्टक: 35744

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 15A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 860mV @ 15A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VS-80CNQ040ASLPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-80CNQ040ASLPBF

भाग स्टक: 11625

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 35V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 40A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 520mV @ 40A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
MBR3045CT-1
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBR3045CT-1

भाग स्टक: 3604

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 45V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 15A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 760mV @ 30A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
MBRB2080CTTRR
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBRB2080CTTRR

भाग स्टक: 3660

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 80V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 10A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 800mV @ 10A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VS-10CWH02FN-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-10CWH02FN-M3

भाग स्टक: 76279

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 10A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.15V @ 10A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VF40100C-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

VF40100C-E3/45

भाग स्टक: 3843

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 20A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 730mV @ 20A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
IRKJ56/16A
Vishay Semiconductor Diodes Division

IRKJ56/16A

भाग स्टक: 3630

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Anode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1600V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 60A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
HFA30TA60CS
Vishay Semiconductor Diodes Division

HFA30TA60CS

भाग स्टक: 3580

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 15A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.7V @ 15A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
HFA120EA60
Vishay Semiconductor Diodes Division

HFA120EA60

भाग स्टक: 3639

डायोड कन्फिगरेसन: 2 Independent, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 75A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.7V @ 60A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VS-MBRB2545CTPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MBRB2545CTPBF

भाग स्टक: 41239

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 45V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 15A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 820mV @ 30A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VSKDL450-25S20
Vishay Semiconductor Diodes Division

VSKDL450-25S20

भाग स्टक: 3634

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Series Connection, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 2500V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 460A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 2.2V @ 1800A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
MBRB2545CT
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBRB2545CT

भाग स्टक: 3684

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 45V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 15A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 820mV @ 30A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VS-15CTQ035PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-15CTQ035PBF

भाग स्टक: 69780

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 35V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 7.5A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 550mV @ 7.5A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VS-48CTQ060-1PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-48CTQ060-1PBF

भाग स्टक: 30341

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 60V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 20A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 610mV @ 20A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
HFA75MB40C
Vishay Semiconductor Diodes Division

HFA75MB40C

भाग स्टक: 3671

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 400V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 75A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.5V @ 75A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VSKD320-16
Vishay Semiconductor Diodes Division

VSKD320-16

भाग स्टक: 3594

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Series Connection, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1600V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 320A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची