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डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एर्रेहरू

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VS-30CPQ090PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-30CPQ090PBF

भाग स्टक: 30050

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 90V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 15A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 860mV @ 15A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
IRKC196/04
Vishay Semiconductor Diodes Division

IRKC196/04

भाग स्टक: 4359

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 400V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 195A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VS-MBR20100CT-1PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MBR20100CT-1PBF

भाग स्टक: 64920

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 10A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 800mV @ 10A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VS-82CNQ030ASMPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-82CNQ030ASMPBF

भाग स्टक: 11279

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 30V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 40A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 470mV @ 40A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VS-61CTQ045PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-61CTQ045PBF

भाग स्टक: 30990

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 45V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 30A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 610mV @ 30A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VSKD600-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

VSKD600-08

भाग स्टक: 3578

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Series Connection, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 800V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 600A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.24V @ 1800A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
MBR40L15CW
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBR40L15CW

भाग स्टक: 3637

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 15V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 20A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 420mV @ 20A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
IRKC91/08A
Vishay Semiconductor Diodes Division

IRKC91/08A

भाग स्टक: 3594

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 800V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 100A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
IRKC71/06A
Vishay Semiconductor Diodes Division

IRKC71/06A

भाग स्टक: 3581

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 80A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VS-83CNQ080ASMPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-83CNQ080ASMPBF

भाग स्टक: 11245

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 80V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 40A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 810mV @ 40A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
IRKD236/04
Vishay Semiconductor Diodes Division

IRKD236/04

भाग स्टक: 3645

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Series Connection, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 400V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 230A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VS-48CTQ060SPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-48CTQ060SPBF

भाग स्टक: 20738

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 60V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 20A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 610mV @ 20A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
HFA32PA120C
Vishay Semiconductor Diodes Division

HFA32PA120C

भाग स्टक: 3679

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1200V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 16A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 3V @ 16A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
MBRB20100CTTRL
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBRB20100CTTRL

भाग स्टक: 3639

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 10A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 800mV @ 10A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
IRKD71/08A
Vishay Semiconductor Diodes Division

IRKD71/08A

भाग स्टक: 3576

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Series Connection, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 800V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 80A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
MBRB2090CT
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBRB2090CT

भाग स्टक: 3683

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 90V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 10A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 820mV @ 30A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VS-30CTQ050PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-30CTQ050PBF

भाग स्टक: 43761

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 50V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 15A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 620mV @ 15A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VS-MUR1620CTPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MUR1620CTPBF

भाग स्टक: 43876

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 8A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 950mV @ 8A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
IRKC166/16
Vishay Semiconductor Diodes Division

IRKC166/16

भाग स्टक: 3643

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1600V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 165A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
IRKD56/14A
Vishay Semiconductor Diodes Division

IRKD56/14A

भाग स्टक: 3580

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Series Connection, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1400V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 60A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
MBRB2545CTTRR
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBRB2545CTTRR

भाग स्टक: 3640

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 45V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 15A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 820mV @ 30A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
MBRB2035CT
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBRB2035CT

भाग स्टक: 3673

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 35V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 10A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 570mV @ 10A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
V40100G-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

V40100G-E3/45

भाग स्टक: 4414

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 20A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 810mV @ 20A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
MBRB2535CT
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBRB2535CT

भाग स्टक: 3711

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 35V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 15A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 820mV @ 30A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VS-MBR3045CTPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MBR3045CTPBF

भाग स्टक: 51841

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 45V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 15A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 760mV @ 30A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VS-30CPQ100PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-30CPQ100PBF

भाग स्टक: 22944

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 15A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 860mV @ 15A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
IRKC166/12
Vishay Semiconductor Diodes Division

IRKC166/12

भाग स्टक: 3616

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1200V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 165A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VS-20CTH03PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-20CTH03PBF

भाग स्टक: 44150

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 300V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 10A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.25V @ 10A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
V80100P-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

V80100P-E3/45

भाग स्टक: 3822

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 40A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 780mV @ 40A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VSKDL240-25S30
Vishay Semiconductor Diodes Division

VSKDL240-25S30

भाग स्टक: 3605

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Series Connection, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 2500V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 240A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.75V @ 800A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
IRKJ71/04A
Vishay Semiconductor Diodes Division

IRKJ71/04A

भाग स्टक: 4376

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Anode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 400V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 80A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VSKJ250-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

VSKJ250-08

भाग स्टक: 3608

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Anode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 800V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 250A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VS-MBR2035CTPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MBR2035CTPBF

भाग स्टक: 83453

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 35V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 10A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 840mV @ 20A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VSKD320-20
Vishay Semiconductor Diodes Division

VSKD320-20

भाग स्टक: 3630

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Series Connection, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 2000V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 320A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
MBR2545CT
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBR2545CT

भाग स्टक: 47956

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 45V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 15A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 820mV @ 30A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
IRKD71/06A
Vishay Semiconductor Diodes Division

IRKD71/06A

भाग स्टक: 3612

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Series Connection, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 80A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची