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डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एर्रेहरू

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UG10DCTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

UG10DCTHE3/45

भाग स्टक: 135415

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 5A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.1V @ 5A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
UGF8HCT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

UGF8HCT-E3/45

भाग स्टक: 94817

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 500V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 4A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.75V @ 4A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
FEPF6DT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

FEPF6DT-E3/45

भाग स्टक: 137812

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 6A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 975mV @ 3A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
SBLB2040CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

SBLB2040CT-E3/45

भाग स्टक: 4026

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 40V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 10A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 600mV @ 10A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VS-MBRB2545CTTRRP
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MBRB2545CTTRRP

भाग स्टक: 34746

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 45V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 15A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 820mV @ 30A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
MBRB15H45CTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBRB15H45CTHE3/45

भाग स्टक: 4010

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 45V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 7.5A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 630mV @ 7.5A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
MBRB1545CTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBRB1545CTHE3/45

भाग स्टक: 3986

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 45V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 7.5A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 840mV @ 7.5A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
MBR30H35CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBR30H35CT-E3/45

भाग स्टक: 4475

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 35V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 15A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 620mV @ 15A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
UB10CCT-E3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division

UB10CCT-E3/8W

भाग स्टक: 145959

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 150V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 5A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.1V @ 5A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
FEP16DTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

FEP16DTHE3/45

भाग स्टक: 90842

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 16A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 950mV @ 8A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
UG10BCTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

UG10BCTHE3/45

भाग स्टक: 135391

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 5A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.1V @ 5A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
MBRF10H90CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBRF10H90CT-E3/45

भाग स्टक: 3995

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 90V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 5A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 760mV @ 5A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
UGF8HCTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

UGF8HCTHE3/45

भाग स्टक: 94860

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 500V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 4A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.75V @ 4A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
MBRB30H100CTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBRB30H100CTHE3/81

भाग स्टक: 4405

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 15A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 820mV @ 15A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
V60200PGW-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division

V60200PGW-M3/4W

भाग स्टक: 23375

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 30A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.48V @ 30A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VS-20CTQ045STRRPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-20CTQ045STRRPBF

भाग स्टक: 41732

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 45V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 20A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 760mV @ 20A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VS-MURB1020CTTRLP
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MURB1020CTTRLP

भाग स्टक: 99958

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 5A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 990mV @ 5A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
MBRB1560CTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBRB1560CTHE3/81

भाग स्टक: 3933

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 60V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 7.5A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 750mV @ 7.5A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
MBRF1535CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBRF1535CT-E3/45

भाग स्टक: 3997

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 35V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 7.5A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 570mV @ 7.5A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VS-12CWQ04FNTRLPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-12CWQ04FNTRLPBF

भाग स्टक: 4429

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 40V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 6A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 530mV @ 6A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
MBRF1550CTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBRF1550CTHE3/45

भाग स्टक: 3992

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 50V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 7.5A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 750mV @ 7.5A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
MBRB10H100CT/31
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBRB10H100CT/31

भाग स्टक: 3714

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 5A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 760mV @ 5A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VS-20CTQ040PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-20CTQ040PBF

भाग स्टक: 56601

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 40V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 10A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 640mV @ 10A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
MBRB2535CTTRR
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBRB2535CTTRR

भाग स्टक: 3675

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 35V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 15A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 820mV @ 30A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VSKC320-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

VSKC320-08

भाग स्टक: 3660

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 800V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 320A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VSKC250-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

VSKC250-08

भाग स्टक: 3658

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 800V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 250A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VS-81CNQ040ASMPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-81CNQ040ASMPBF

भाग स्टक: 11402

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 40V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 40A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 600mV @ 40A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
HFA180MD60D
Vishay Semiconductor Diodes Division

HFA180MD60D

भाग स्टक: 3605

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 600V, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VS-MBRB1545CTPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MBRB1545CTPBF

भाग स्टक: 81890

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 45V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 7.5A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 840mV @ 7.5A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
IRKJ56/06A
Vishay Semiconductor Diodes Division

IRKJ56/06A

भाग स्टक: 3585

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Anode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 60A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VS-MBRB20100CTPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MBRB20100CTPBF

भाग स्टक: 35637

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 10A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 800mV @ 10A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VS-30CTQ080PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-30CTQ080PBF

भाग स्टक: 76406

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 80V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 15A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 860mV @ 15A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
IRKD91/10A
Vishay Semiconductor Diodes Division

IRKD91/10A

भाग स्टक: 3614

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Series Connection, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1000V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 100A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
FEP16GT/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

FEP16GT/45

भाग स्टक: 3593

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 400V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 16A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.3V @ 8A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VSKD600-20
Vishay Semiconductor Diodes Division

VSKD600-20

भाग स्टक: 4431

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Series Connection, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 2000V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 600A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.24V @ 1800A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VS-52CPQ030PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-52CPQ030PBF

भाग स्टक: 10063

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 30V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 25A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 480mV @ 25A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची