Menu
नेपालीनेपाली
Rfqs / अर्डर
0Rfqs / अर्डर

डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एर्रेहरू

  • घर
  •  
  • डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एर्रेहरू
VS-300CNQ045PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-300CNQ045PBF

भाग स्टक: 1541

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 45V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 150A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 770mV @ 300A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VS-VSKD196/04PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKD196/04PBF

भाग स्टक: 1257

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 400V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 97.5A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
SBLF25L30CTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

SBLF25L30CTHE3/45

भाग स्टक: 78332

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 30V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 12.5A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 490mV @ 12.5A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VS-VSKC196/16PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKC196/16PBF

भाग स्टक: 482

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Series Connection, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1600V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 97.5A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VB40150C-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division

VB40150C-E3/4W

भाग स्टक: 71671

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 150V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 20A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.43V @ 20A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VS-HFA140FA60
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-HFA140FA60

भाग स्टक: 1679

डायोड कन्फिगरेसन: 2 Independent, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 70A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.7V @ 60A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
MBRB25H60CTHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBRB25H60CTHE3_A/I

भाग स्टक: 65351

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 60V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 15A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 600mV @ 15A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
SBLB25L30CTHE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division

SBLB25L30CTHE3_A/P

भाग स्टक: 78920

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 30V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 12.5A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 390mV @ 12.5A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
MBRB2045CTHE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBRB2045CTHE3_A/P

भाग स्टक: 100816

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 45V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 10A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 650mV @ 10A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VS-83CNQ100ASLPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-83CNQ100ASLPBF

भाग स्टक: 8060

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 40A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1V @ 80A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VS-82CNQ030ASLPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-82CNQ030ASLPBF

भाग स्टक: 8068

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 30V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 40A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 550mV @ 80A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
UG10DCT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

UG10DCT-E3/45

भाग स्टक: 65449

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 5A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.1V @ 5A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VS-20CTH03-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-20CTH03-M3

भाग स्टक: 3979

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 300V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 10A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.25V @ 10A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VS-UFL80FA60
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-UFL80FA60

भाग स्टक: 3449

डायोड कन्फिगरेसन: 2 Independent, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 65A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.49V @ 60A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VS-15CTQ045SPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-15CTQ045SPBF

भाग स्टक: 29469

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 45V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 7.5A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 550mV @ 7.5A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VS-113CNQ100ASLPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-113CNQ100ASLPBF

भाग स्टक: 7192

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 55A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1V @ 110A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VS-16CTU04-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-16CTU04-M3

भाग स्टक: 5323

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 400V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 8A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.3V @ 8A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VS-63CPQ100-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-63CPQ100-N3

भाग स्टक: 6290

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 30A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 920mV @ 60A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VS-HFA140FA120
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-HFA140FA120

भाग स्टक: 1343

डायोड कन्फिगरेसन: 2 Independent, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1200V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 70A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 4V @ 60A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VF30200C-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division

VF30200C-E3/4W

भाग स्टक: 54100

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 15A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.1V @ 15A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VS-UFL230FA60
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-UFL230FA60

भाग स्टक: 3027

डायोड कन्फिगरेसन: 2 Independent, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 160A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.44V @ 100A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
FEP30HP-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

FEP30HP-E3/45

भाग स्टक: 29672

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 500V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 15A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.5V @ 15A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VS-30CPQ060-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-30CPQ060-N3

भाग स्टक: 12857

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 60V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 30A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 800mV @ 30A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VB60100C-M3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division

VB60100C-M3/8W

भाग स्टक: 43894

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 30A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 790mV @ 30A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VS-30CPH03PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-30CPH03PBF

भाग स्टक: 28925

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 300V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 15A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.25V @ 15A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VF20200C-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division

VF20200C-E3/4W

भाग स्टक: 42102

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 10A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.6V @ 10A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
V60100C-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division

V60100C-E3/4W

भाग स्टक: 25349

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 30A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 790mV @ 30A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VS-UFB280FA20
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-UFB280FA20

भाग स्टक: 3163

डायोड कन्फिगरेसन: 2 Independent, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 175A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.1V @ 120A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VF30100C-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division

VF30100C-E3/4W

भाग स्टक: 86118

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 15A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 800mV @ 15A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VS-40CPQ045PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-40CPQ045PBF

भाग स्टक: 11484

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 45V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 20A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 490mV @ 20A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
SBL3040PT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

SBL3040PT-E3/45

भाग स्टक: 28497

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 40V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 15A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 550mV @ 15A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VF30150C-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division

VF30150C-E3/4W

भाग स्टक: 31197

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 150V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 15A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.36V @ 15A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VS-47CTQ020PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-47CTQ020PBF

भाग स्टक: 26251

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 20V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 20A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 450mV @ 20A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VS-25CTQ045SPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-25CTQ045SPBF

भाग स्टक: 20628

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 45V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 15A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 560mV @ 15A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VS-UFB250FA60
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-UFB250FA60

भाग स्टक: 3295

डायोड कन्फिगरेसन: 2 Independent, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 168A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.19V @ 100A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VBT10200C-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division

VBT10200C-E3/4W

भाग स्टक: 67197

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 5A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.6V @ 5A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची