डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एकल | असक्रिय अर्धचालक उत्पादनहरू | 21

GKN240/12

भाग स्टक: 2355

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1200V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 320A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.4V @ 60A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

S300J

भाग स्टक: 2052

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 300A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.2V @ 300A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBR6045

भाग स्टक: 5433

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 45V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 60A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 650mV @ 60A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

S320JR

भाग स्टक: 1959

डायोड प्रकार: Standard, Reverse Polarity, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 320A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.2V @ 300A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBRH120100R

भाग स्टक: 2683

डायोड प्रकार: Schottky, Reverse Polarity, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 120A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 840mV @ 120A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

GKN130/04

भाग स्टक: 3738

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 400V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 165A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.5V @ 60A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

GKN71/16

भाग स्टक: 12880

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1600V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 95A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.5V @ 60A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

FR16JR05

भाग स्टक: 13647

डायोड प्रकार: Standard, Reverse Polarity, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 16A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.1V @ 16A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 500ns,

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GeneSiC Semiconductor

FR40B02

भाग स्टक: 9617

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 40A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1V @ 40A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 200ns,

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GeneSiC Semiconductor

S150MR

भाग स्टक: 2539

डायोड प्रकार: Standard, Reverse Polarity, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1000V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 150A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.2V @ 150A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MURH10040R

भाग स्टक: 3710

डायोड प्रकार: Standard, Reverse Polarity, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 400V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 100A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.3V @ 100A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 90ns,

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GeneSiC Semiconductor

FR85B02

भाग स्टक: 7804

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 85A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.4V @ 85A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 200ns,

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GeneSiC Semiconductor

MBR8020R

भाग स्टक: 5366

डायोड प्रकार: Schottky, Reverse Polarity, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 20V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 80A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 750mV @ 80A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MURH7005R

भाग स्टक: 117

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 50V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 70A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1V @ 70A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 75ns,

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GeneSiC Semiconductor

MBRH12020

भाग स्टक: 2900

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 20V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 120A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 650mV @ 120A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

S70G

भाग स्टक: 9616

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 400V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 70A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.1V @ 70A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

S380Z

भाग स्टक: 1964

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 2000V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 380A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.2V @ 380A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBRH24040R

भाग स्टक: 64

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 40V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 240A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 720mV @ 240A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

S70YR

भाग स्टक: 9576

डायोड प्रकार: Standard, Reverse Polarity, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1600V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 70A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.1V @ 70A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBRH12035

भाग स्टक: 2861

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 35V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 120A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 650mV @ 120A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

FR20A02

भाग स्टक: 9627

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 50V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 20A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1V @ 20A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 200ns,

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GeneSiC Semiconductor

GKN130/12

भाग स्टक: 3687

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1200V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 165A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.5V @ 60A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBRH240150

भाग स्टक: 50

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 150V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 240A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 880mV @ 240A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBRH120100

भाग स्टक: 2716

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 120A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 840mV @ 120A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

GKR71/14

भाग स्टक: 9573

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1400V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 95A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.5V @ 60A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

S6J

भाग स्टक: 18937

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 6A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.1V @ 6A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBR7530

भाग स्टक: 5447

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 30V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 75A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 650mV @ 75A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

GKN240/14

भाग स्टक: 2352

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1400V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 320A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.4V @ 60A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

SD41

भाग स्टक: 6564

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 35V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 30A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 680mV @ 30A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

S150J

भाग स्टक: 2509

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 150A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.2V @ 150A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

FR16BR05

भाग स्टक: 12966

डायोड प्रकार: Standard, Reverse Polarity, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 16A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.1V @ 16A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 500ns,

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GeneSiC Semiconductor

FR70MR05

भाग स्टक: 9655

डायोड प्रकार: Standard, Reverse Polarity, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1000V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 70A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.4V @ 70A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 500ns,

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GeneSiC Semiconductor

FR40K05

भाग स्टक: 9575

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 800V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 40A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1V @ 40A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 500ns,

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GeneSiC Semiconductor

FR30KR05

भाग स्टक: 9582

डायोड प्रकार: Standard, Reverse Polarity, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 800V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 30A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1V @ 30A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 500ns,

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GeneSiC Semiconductor

MUR7005R

भाग स्टक: 7621

डायोड प्रकार: Standard, Reverse Polarity, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 50V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 70A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1V @ 70A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 75ns,

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GeneSiC Semiconductor

FR40G05

भाग स्टक: 9612

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 400V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 40A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1V @ 40A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 500ns,

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