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डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एकल

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MUR2520
GeneSiC Semiconductor

MUR2520

भाग स्टक: 9625

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 25A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1V @ 25A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 75ns,

इच्छा सुची
GKR240/12
GeneSiC Semiconductor

GKR240/12

भाग स्टक: 2388

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1200V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 320A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.4V @ 60A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
FR20K05
GeneSiC Semiconductor

FR20K05

भाग स्टक: 9607

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 800V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 20A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1V @ 20A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 500ns,

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MURH10010R
GeneSiC Semiconductor

MURH10010R

भाग स्टक: 3694

डायोड प्रकार: Standard, Reverse Polarity, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 100A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.3V @ 100A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 75ns,

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FR6G05
GeneSiC Semiconductor

FR6G05

भाग स्टक: 13535

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 400V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 16A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.4V @ 6A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 500ns,

इच्छा सुची
FR70D02
GeneSiC Semiconductor

FR70D02

भाग स्टक: 9583

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 70A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.4V @ 70A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 200ns,

इच्छा सुची
FR40GR02
GeneSiC Semiconductor

FR40GR02

भाग स्टक: 8715

डायोड प्रकार: Standard, Reverse Polarity, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 400V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 40A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1V @ 40A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 200ns,

इच्छा सुची
S16MR
GeneSiC Semiconductor

S16MR

भाग स्टक: 12925

डायोड प्रकार: Standard, Reverse Polarity, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1000V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 16A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.1V @ 16A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
S300JR
GeneSiC Semiconductor

S300JR

भाग स्टक: 1992

डायोड प्रकार: Standard, Reverse Polarity, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 300A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.2V @ 300A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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S40Y
GeneSiC Semiconductor

S40Y

भाग स्टक: 9658

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1600V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 40A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.1V @ 40A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
FR16DR05
GeneSiC Semiconductor

FR16DR05

भाग स्टक: 15107

डायोड प्रकार: Standard, Reverse Polarity, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 16A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.1V @ 16A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 500ns,

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S25K
GeneSiC Semiconductor

S25K

भाग स्टक: 13922

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 800V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 25A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.1V @ 25A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
FR20M05
GeneSiC Semiconductor

FR20M05

भाग स्टक: 9639

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1000V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 20A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1V @ 20A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 500ns,

इच्छा सुची
S12G
GeneSiC Semiconductor

S12G

भाग स्टक: 21791

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 400V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 12A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.1V @ 12A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
FR12G02
GeneSiC Semiconductor

FR12G02

भाग स्टक: 12890

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 400V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 12A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 800mV @ 12A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 200ns,

इच्छा सुची
FR16DR02
GeneSiC Semiconductor

FR16DR02

भाग स्टक: 15135

डायोड प्रकार: Standard, Reverse Polarity, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 16A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 900mV @ 16A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 200ns,

इच्छा सुची
FR20D02
GeneSiC Semiconductor

FR20D02

भाग स्टक: 9581

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 20A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1V @ 20A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 200ns,

इच्छा सुची
FR6D02
GeneSiC Semiconductor

FR6D02

भाग स्टक: 12964

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 6A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.4V @ 6A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 200ns,

इच्छा सुची
S6Q
GeneSiC Semiconductor

S6Q

भाग स्टक: 12871

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1200V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 6A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.1V @ 6A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
S12KR
GeneSiC Semiconductor

S12KR

भाग स्टक: 15947

डायोड प्रकार: Standard, Reverse Polarity, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 800V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 12A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.1V @ 12A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
S16DR
GeneSiC Semiconductor

S16DR

भाग स्टक: 19825

डायोड प्रकार: Standard, Reverse Polarity, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 16A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.1V @ 16A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
FR85BR05
GeneSiC Semiconductor

FR85BR05

भाग स्टक: 7819

डायोड प्रकार: Standard, Reverse Polarity, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 85A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.4V @ 85A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 500ns,

इच्छा सुची
FR16GR02
GeneSiC Semiconductor

FR16GR02

भाग स्टक: 13447

डायोड प्रकार: Standard, Reverse Polarity, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 400V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 16A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.1V @ 16A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 200ns,

इच्छा सुची
SD51R
GeneSiC Semiconductor

SD51R

भाग स्टक: 5611

डायोड प्रकार: Schottky, Reverse Polarity, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 45V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 60A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 660mV @ 60A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
MURH10005R
GeneSiC Semiconductor

MURH10005R

भाग स्टक: 3636

डायोड प्रकार: Standard, Reverse Polarity, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 50V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 100A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.3V @ 100A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 75ns,

इच्छा सुची
FR6D05
GeneSiC Semiconductor

FR6D05

भाग स्टक: 12969

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 16A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.4V @ 6A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 500ns,

इच्छा सुची
S150KR
GeneSiC Semiconductor

S150KR

भाग स्टक: 2491

डायोड प्रकार: Standard, Reverse Polarity, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 800V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 150A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.2V @ 150A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
SD51
GeneSiC Semiconductor

SD51

भाग स्टक: 5645

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 45V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 60A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 660mV @ 60A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
FR16D05
GeneSiC Semiconductor

FR16D05

भाग स्टक: 14955

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 16A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.1V @ 16A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 500ns,

इच्छा सुची
MURH7040R
GeneSiC Semiconductor

MURH7040R

भाग स्टक: 75

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 400V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 70A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.3V @ 70A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 90ns,

इच्छा सुची
FR6AR02
GeneSiC Semiconductor

FR6AR02

भाग स्टक: 15938

डायोड प्रकार: Standard, Reverse Polarity, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 50V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 6A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.4V @ 6A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 200ns,

इच्छा सुची
FR6DR05
GeneSiC Semiconductor

FR6DR05

भाग स्टक: 13763

डायोड प्रकार: Standard, Reverse Polarity, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 16A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.4V @ 6A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 500ns,

इच्छा सुची
FR6MR05
GeneSiC Semiconductor

FR6MR05

भाग स्टक: 12941

डायोड प्रकार: Standard, Reverse Polarity, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1000V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 6A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.4V @ 6A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 500ns,

इच्छा सुची
MBR75100
GeneSiC Semiconductor

MBR75100

भाग स्टक: 5397

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 75A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 840mV @ 75A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
S25D
GeneSiC Semiconductor

S25D

भाग स्टक: 12931

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 25A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.1V @ 25A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
S12DR
GeneSiC Semiconductor

S12DR

भाग स्टक: 16035

डायोड प्रकार: Standard, Reverse Polarity, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 12A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.1V @ 12A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची