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डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एकल

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FR20G02
GeneSiC Semiconductor

FR20G02

भाग स्टक: 9608

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 400V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 20A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1V @ 20A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 200ns,

इच्छा सुची
MBR6040R
GeneSiC Semiconductor

MBR6040R

भाग स्टक: 5431

डायोड प्रकार: Schottky, Reverse Polarity, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 40V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 60A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 650mV @ 60A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
S12Q
GeneSiC Semiconductor

S12Q

भाग स्टक: 12884

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1200V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 12A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.1V @ 12A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
MBR3540R
GeneSiC Semiconductor

MBR3540R

भाग स्टक: 5687

डायोड प्रकार: Schottky, Reverse Polarity, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 40V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 35A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 680mV @ 35A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
MBRH20020R
GeneSiC Semiconductor

MBRH20020R

भाग स्टक: 2608

डायोड प्रकार: Schottky, Reverse Polarity, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 20V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 200A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 650mV @ 200A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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MBRH12045R
GeneSiC Semiconductor

MBRH12045R

भाग स्टक: 2845

डायोड प्रकार: Schottky, Reverse Polarity, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 45V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 120A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 700mV @ 120A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
MBR8060
GeneSiC Semiconductor

MBR8060

भाग स्टक: 5403

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 60V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 80A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 750mV @ 80A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
MBRH240200R
GeneSiC Semiconductor

MBRH240200R

भाग स्टक: 32

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 240A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 920mV @ 240A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
MBR7520
GeneSiC Semiconductor

MBR7520

भाग स्टक: 5420

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 20V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 75A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 650mV @ 75A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
MBR7545R
GeneSiC Semiconductor

MBR7545R

भाग स्टक: 5427

डायोड प्रकार: Schottky, Reverse Polarity, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 45V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 75A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 650mV @ 75A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
MBR7530R
GeneSiC Semiconductor

MBR7530R

भाग स्टक: 5376

डायोड प्रकार: Schottky, Reverse Polarity, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 30V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 75A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 750mV @ 75A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
MBRH120150R
GeneSiC Semiconductor

MBRH120150R

भाग स्टक: 2740

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 150V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 120A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 880mV @ 120A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
S70J
GeneSiC Semiconductor

S70J

भाग स्टक: 9616

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 70A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.1V @ 70A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
GKR71/08
GeneSiC Semiconductor

GKR71/08

भाग स्टक: 9662

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 800V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 95A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.5V @ 60A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
MUR5005
GeneSiC Semiconductor

MUR5005

भाग स्टक: 7605

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 50V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 50A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1V @ 50A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 75ns,

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FR12B02
GeneSiC Semiconductor

FR12B02

भाग स्टक: 15891

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 12A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 800mV @ 12A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 200ns,

इच्छा सुची
S25DR
GeneSiC Semiconductor

S25DR

भाग स्टक: 19271

डायोड प्रकार: Standard, Reverse Polarity, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 25A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.1V @ 25A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
FR12GR05
GeneSiC Semiconductor

FR12GR05

भाग स्टक: 12931

डायोड प्रकार: Standard, Reverse Polarity, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 400V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 12A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 800mV @ 12A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 500ns,

इच्छा सुची
FR16D02
GeneSiC Semiconductor

FR16D02

भाग स्टक: 14942

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 16A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 900mV @ 16A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 200ns,

इच्छा सुची
FR30AR02
GeneSiC Semiconductor

FR30AR02

भाग स्टक: 9632

डायोड प्रकार: Standard, Reverse Polarity, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 50V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 30A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.4V @ 30A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 200ns,

इच्छा सुची
MBR35100R
GeneSiC Semiconductor

MBR35100R

भाग स्टक: 5747

डायोड प्रकार: Schottky, Reverse Polarity, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 35A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 840mV @ 35A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
MBRH20020
GeneSiC Semiconductor

MBRH20020

भाग स्टक: 2616

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 20V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 200A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 650mV @ 200A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
FR70J02
GeneSiC Semiconductor

FR70J02

भाग स्टक: 9664

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 70A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.4V @ 70A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 250ns,

इच्छा सुची
MBRH20040
GeneSiC Semiconductor

MBRH20040

भाग स्टक: 2588

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 40V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 200A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 650mV @ 200A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
S12BR
GeneSiC Semiconductor

S12BR

भाग स्टक: 33090

डायोड प्रकार: Standard, Reverse Polarity, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 12A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.1V @ 12A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
S300GR
GeneSiC Semiconductor

S300GR

भाग स्टक: 1959

डायोड प्रकार: Standard, Reverse Polarity, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 400V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 300A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.2V @ 300A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
FR40BR05
GeneSiC Semiconductor

FR40BR05

भाग स्टक: 12084

डायोड प्रकार: Standard, Reverse Polarity, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 40A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1V @ 40A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 500ns,

इच्छा सुची
FR70BR02
GeneSiC Semiconductor

FR70BR02

भाग स्टक: 9630

डायोड प्रकार: Standard, Reverse Polarity, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 70A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.4V @ 70A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 200ns,

इच्छा सुची
MBR7580
GeneSiC Semiconductor

MBR7580

भाग स्टक: 5436

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 80V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 75A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 840mV @ 75A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
FR40J02
GeneSiC Semiconductor

FR40J02

भाग स्टक: 9655

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 40A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1V @ 40A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 250ns,

इच्छा सुची
FR70JR05
GeneSiC Semiconductor

FR70JR05

भाग स्टक: 9665

डायोड प्रकार: Standard, Reverse Polarity, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 70A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.4V @ 70A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 500ns,

इच्छा सुची
S400YR
GeneSiC Semiconductor

S400YR

भाग स्टक: 1977

डायोड प्रकार: Standard, Reverse Polarity, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1600V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 400A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.2V @ 400A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
MBRH24060R
GeneSiC Semiconductor

MBRH24060R

भाग स्टक: 73

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 60V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 240A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 780mV @ 240A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
FR6JR02
GeneSiC Semiconductor

FR6JR02

भाग स्टक: 12965

डायोड प्रकार: Standard, Reverse Polarity, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 6A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.4V @ 6A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 250ns,

इच्छा सुची
FR70B02
GeneSiC Semiconductor

FR70B02

भाग स्टक: 9666

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 70A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.4V @ 70A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 200ns,

इच्छा सुची
MBR3560
GeneSiC Semiconductor

MBR3560

भाग स्टक: 5740

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 60V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 35A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 750mV @ 35A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची