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डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एकल

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1N8026-GA
GeneSiC Semiconductor

1N8026-GA

भाग स्टक: 413

डायोड प्रकार: Silicon Carbide Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1200V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 8A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.6V @ 2.5A, गति: No Recovery Time > 500mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 0ns,

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1N1183A
GeneSiC Semiconductor

1N1183A

भाग स्टक: 9667

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 50V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 40A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.1V @ 40A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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1N3209R
GeneSiC Semiconductor

1N3209R

भाग स्टक: 13664

डायोड प्रकार: Standard, Reverse Polarity, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 15A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.5V @ 15A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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1N3294AR
GeneSiC Semiconductor

1N3294AR

भाग स्टक: 3460

डायोड प्रकार: Standard, Reverse Polarity, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 800V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 100A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.5V @ 100A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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1N1188A
GeneSiC Semiconductor

1N1188A

भाग स्टक: 9645

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 400V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 40A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.1V @ 40A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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1N4596R
GeneSiC Semiconductor

1N4596R

भाग स्टक: 3424

डायोड प्रकार: Standard, Reverse Polarity, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1400V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 150A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.5V @ 150A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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1N4590
GeneSiC Semiconductor

1N4590

भाग स्टक: 3411

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 400V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 150A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.5V @ 150A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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1N5834
GeneSiC Semiconductor

1N5834

भाग स्टक: 5569

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 40V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 40A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 590mV @ 40A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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1N6097R
GeneSiC Semiconductor

1N6097R

भाग स्टक: 5569

डायोड प्रकार: Schottky, Reverse Polarity, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 30V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 50A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 700mV @ 50A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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1N3211
GeneSiC Semiconductor

1N3211

भाग स्टक: 13543

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 300V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 15A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.5V @ 15A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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1N4592
GeneSiC Semiconductor

1N4592

भाग स्टक: 3455

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 150A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.5V @ 150A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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1N2128AR
GeneSiC Semiconductor

1N2128AR

भाग स्टक: 11438

डायोड प्रकार: Standard, Reverse Polarity, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 50V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 60A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.1V @ 60A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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150KR80A
GeneSiC Semiconductor

150KR80A

भाग स्टक: 3417

डायोड प्रकार: Standard, Reverse Polarity, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 800V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 150A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.33V @ 150A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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1N5831R
GeneSiC Semiconductor

1N5831R

भाग स्टक: 5568

डायोड प्रकार: Schottky, Reverse Polarity, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 35V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 25A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 580mV @ 25A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
150K80A
GeneSiC Semiconductor

150K80A

भाग स्टक: 3418

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 800V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 150A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.33V @ 150A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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1N3295AR
GeneSiC Semiconductor

1N3295AR

भाग स्टक: 3433

डायोड प्रकार: Standard, Reverse Polarity, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1000V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 100A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.5V @ 100A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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1N3882
GeneSiC Semiconductor

1N3882

भाग स्टक: 13603

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 300V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 6A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.4V @ 6A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 200ns,

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1N5829R
GeneSiC Semiconductor

1N5829R

भाग स्टक: 5592

डायोड प्रकार: Schottky, Reverse Polarity, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 20V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 25A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 580mV @ 25A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
1N5831
GeneSiC Semiconductor

1N5831

भाग स्टक: 5574

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 35V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 25A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 580mV @ 25A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
1N1206A
GeneSiC Semiconductor

1N1206A

भाग स्टक: 15000

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 12A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.1V @ 12A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
150K40A
GeneSiC Semiconductor

150K40A

भाग स्टक: 3458

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 400V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 150A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.33V @ 150A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
150KR100A
GeneSiC Semiconductor

150KR100A

भाग स्टक: 3439

डायोड प्रकार: Standard, Reverse Polarity, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1000V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 150A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.33V @ 150A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
1N2135AR
GeneSiC Semiconductor

1N2135AR

भाग स्टक: 9650

डायोड प्रकार: Standard, Reverse Polarity, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 400V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 60A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.1V @ 60A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
1N3293AR
GeneSiC Semiconductor

1N3293AR

भाग स्टक: 3442

डायोड प्रकार: Standard, Reverse Polarity, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 100A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.5V @ 100A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
1N6096
GeneSiC Semiconductor

1N6096

भाग स्टक: 5594

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 40V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 25A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 580mV @ 25A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
1N5828R
GeneSiC Semiconductor

1N5828R

भाग स्टक: 5618

डायोड प्रकार: Schottky, Reverse Polarity, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 40V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 15A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 500mV @ 15A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
1N1204AR
GeneSiC Semiconductor

1N1204AR

भाग स्टक: 29070

डायोड प्रकार: Standard, Reverse Polarity, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 400V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 12A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.1V @ 12A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
1N3893
GeneSiC Semiconductor

1N3893

भाग स्टक: 12917

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 12A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.4V @ 12A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 200ns,

इच्छा सुची
1N2137AR
GeneSiC Semiconductor

1N2137AR

भाग स्टक: 9629

डायोड प्रकार: Standard, Reverse Polarity, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 500V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 60A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.1V @ 60A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
1N1188
GeneSiC Semiconductor

1N1188

भाग स्टक: 9467

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 400V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 35A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.2V @ 35A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
1N1199A
GeneSiC Semiconductor

1N1199A

भाग स्टक: 24991

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 50V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 12A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.1V @ 12A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
1N1204A
GeneSiC Semiconductor

1N1204A

भाग स्टक: 21792

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 400V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 12A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.1V @ 12A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
1N3214R
GeneSiC Semiconductor

1N3214R

भाग स्टक: 13835

डायोड प्रकार: Standard, Reverse Polarity, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 15A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.5V @ 15A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
1N3890R
GeneSiC Semiconductor

1N3890R

भाग स्टक: 13730

डायोड प्रकार: Standard, Reverse Polarity, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 12A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.4V @ 12A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 200ns,

इच्छा सुची
1N4594
GeneSiC Semiconductor

1N4594

भाग स्टक: 3451

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1000V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 150A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.5V @ 150A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
1N4596
GeneSiC Semiconductor

1N4596

भाग स्टक: 3402

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1400V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 150A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.5V @ 150A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची