डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एकल

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डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एकल

GeneSiC Semiconductor

FR85DR02

भाग स्टक: 7995

डायोड प्रकार: Standard, Reverse Polarity, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 85A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.4V @ 85A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 200ns,

इच्छा सुची

GeneSiC Semiconductor

FR30MR05

भाग स्टक: 9627

डायोड प्रकार: Standard, Reverse Polarity, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1000V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 30A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1V @ 30A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 500ns,

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GeneSiC Semiconductor

SD41R

भाग स्टक: 6549

डायोड प्रकार: Schottky, Reverse Polarity, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 35V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 30A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 680mV @ 30A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBRH24035R

भाग स्टक: 30

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 35V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 240A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 720mV @ 240A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

S400K

भाग स्टक: 1975

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 800V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 400A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.2V @ 400A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MUR7060

भाग स्टक: 7555

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 70A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.7V @ 70A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 75ns,

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GeneSiC Semiconductor

FR16GR05

भाग स्टक: 13464

डायोड प्रकार: Standard, Reverse Polarity, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 400V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 16A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.1V @ 16A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 500ns,

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GeneSiC Semiconductor

GKR130/14

भाग स्टक: 3092

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1400V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 165A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.5V @ 60A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

FR6M05

भाग स्टक: 12958

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1000V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 6A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.4V @ 6A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 500ns,

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GeneSiC Semiconductor

S25KR

भाग स्टक: 13900

डायोड प्रकार: Standard, Reverse Polarity, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 800V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 25A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.1V @ 25A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

S40DR

भाग स्टक: 14101

डायोड प्रकार: Standard, Reverse Polarity, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 40A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.1V @ 40A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MUR7040R

भाग स्टक: 7580

डायोड प्रकार: Standard, Reverse Polarity, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 400V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 70A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.3V @ 70A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 75ns,

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GeneSiC Semiconductor

MURH10010

भाग स्टक: 3674

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 100A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.3V @ 100A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 75ns,

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GeneSiC Semiconductor

MBR80100R

भाग स्टक: 5432

डायोड प्रकार: Schottky, Reverse Polarity, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 80A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 840mV @ 80A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MUR5060

भाग स्टक: 7628

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 50A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1V @ 50A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 90ns,

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GeneSiC Semiconductor

MBR8030

भाग स्टक: 5443

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 30V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 80A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 750mV @ 80A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

S320MR

भाग स्टक: 2048

डायोड प्रकार: Standard, Reverse Polarity, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1000V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 320A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.2V @ 300A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBRH24035

भाग स्टक: 69

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 35V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 240A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 720mV @ 240A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

FR30B02

भाग स्टक: 9643

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 30A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1V @ 30A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 200ns,

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GeneSiC Semiconductor

MUR2510R

भाग स्टक: 8698

डायोड प्रकार: Standard, Reverse Polarity, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 25A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1V @ 25A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 75ns,

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GeneSiC Semiconductor

MUR2540

भाग स्टक: 9597

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 400V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 25A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.3V @ 25A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 75ns,

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GeneSiC Semiconductor

FR70B05

भाग स्टक: 9593

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 70A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.4V @ 70A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 500ns,

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GeneSiC Semiconductor

MBR8020

भाग स्टक: 5398

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 20V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 80A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 750mV @ 80A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBRH200150R

भाग स्टक: 2466

डायोड प्रकार: Schottky, Reverse Polarity, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 200A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 920mV @ 200A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

FR20BR02

भाग स्टक: 9648

डायोड प्रकार: Standard, Reverse Polarity, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 20A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1V @ 20A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 200ns,

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GeneSiC Semiconductor

FR40BR02

भाग स्टक: 12150

डायोड प्रकार: Standard, Reverse Polarity, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 40A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1V @ 40A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 200ns,

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GeneSiC Semiconductor

MBRH12035R

भाग स्टक: 2876

डायोड प्रकार: Schottky, Reverse Polarity, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 35V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 120A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 650mV @ 120A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

S85G

भाग स्टक: 9574

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 400V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 85A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.1V @ 85A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

GeneSiC Semiconductor

MUR5020

भाग स्टक: 7584

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 50A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1V @ 50A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 75ns,

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GeneSiC Semiconductor

FR40DR02

भाग स्टक: 9956

डायोड प्रकार: Standard, Reverse Polarity, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 40A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1V @ 40A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 200ns,

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GeneSiC Semiconductor

MBR7545

भाग स्टक: 5434

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 45V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 75A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 650mV @ 75A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

GeneSiC Semiconductor

MBR7580R

भाग स्टक: 5440

डायोड प्रकार: Schottky, Reverse Polarity, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 80V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 75A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 840mV @ 75A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBRH120200R

भाग स्टक: 2763

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 120A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 920mV @ 120A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

GKR130/04

भाग स्टक: 3067

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 400V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 165A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.5V @ 60A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

GeneSiC Semiconductor

MUR7020

भाग स्टक: 7564

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 70A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1V @ 70A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 75ns,

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GeneSiC Semiconductor

S16B

भाग स्टक: 19985

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 16A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.1V @ 16A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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