डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एकल | असक्रिय अर्धचालक उत्पादनहरू | 21

MBR6080

भाग स्टक: 5452

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 80V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 60A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 840mV @ 60A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

S70BR

भाग स्टक: 9658

डायोड प्रकार: Standard, Reverse Polarity, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 70A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.1V @ 70A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBRH12060R

भाग स्टक: 2830

डायोड प्रकार: Schottky, Reverse Polarity, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 60V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 120A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 750mV @ 120A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

FR70BR05

भाग स्टक: 9644

डायोड प्रकार: Standard, Reverse Polarity, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 70A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.4V @ 70A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 500ns,

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GeneSiC Semiconductor

GKN130/16

भाग स्टक: 3733

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1600V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 165A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.5V @ 60A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

FR6BR02

भाग स्टक: 13846

डायोड प्रकार: Standard, Reverse Polarity, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 6A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.4V @ 6A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 200ns,

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GeneSiC Semiconductor

FR6J05

भाग स्टक: 12962

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 6A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.4V @ 6A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 500ns,

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GeneSiC Semiconductor

S85M

भाग स्टक: 9631

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1000V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 85A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.1V @ 85A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

S320QR

भाग स्टक: 2016

डायोड प्रकार: Standard, Reverse Polarity, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1200V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 320A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.2V @ 300A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

S6B

भाग स्टक: 13488

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 6A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.1V @ 6A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBR3545R

भाग स्टक: 5662

डायोड प्रकार: Schottky, Reverse Polarity, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 45V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 35A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 680mV @ 35A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

FR6G02

भाग स्टक: 13616

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 400V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 6A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.4V @ 6A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 200ns,

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GeneSiC Semiconductor

FR70KR05

भाग स्टक: 9595

डायोड प्रकार: Standard, Reverse Polarity, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 800V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 70A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.4V @ 70A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 500ns,

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GeneSiC Semiconductor

MUR2560R

भाग स्टक: 9573

डायोड प्रकार: Standard, Reverse Polarity, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 25A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.7V @ 25A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 90ns,

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GeneSiC Semiconductor

FR12D05

भाग स्टक: 14991

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 12A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 800mV @ 12A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 500ns,

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GeneSiC Semiconductor

S6GR

भाग स्टक: 15201

डायोड प्रकार: Standard, Reverse Polarity, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 400V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 6A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.1V @ 6A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

S300BR

भाग स्टक: 2025

डायोड प्रकार: Standard, Reverse Polarity, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 300A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.2V @ 300A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBR6030R

भाग स्टक: 5417

डायोड प्रकार: Schottky, Reverse Polarity, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 30V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 60A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 650mV @ 60A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

FR40D02

भाग स्टक: 9603

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 40A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1V @ 40A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 200ns,

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GeneSiC Semiconductor

GKR71/04

भाग स्टक: 9611

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 400V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 95A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.5V @ 60A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

FR12BR02

भाग स्टक: 14043

डायोड प्रकार: Standard, Reverse Polarity, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 12A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 800mV @ 12A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 200ns,

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GeneSiC Semiconductor

S400Q

भाग स्टक: 1955

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1200V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 400A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.2V @ 400A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

FR6A05

भाग स्टक: 13962

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 50V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 16A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.4V @ 6A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 500ns,

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GeneSiC Semiconductor

FR12G05

भाग स्टक: 12894

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 400V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 12A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 800mV @ 12A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 500ns,

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GeneSiC Semiconductor

S40V

भाग स्टक: 11010

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1400V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 40A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.1V @ 40A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

S25GR

भाग स्टक: 19324

डायोड प्रकार: Standard, Reverse Polarity, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 400V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 25A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.1V @ 25A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MURH7010R

भाग स्टक: 59

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 70A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1V @ 70A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 75ns,

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GeneSiC Semiconductor

FR30JR02

भाग स्टक: 9663

डायोड प्रकार: Standard, Reverse Polarity, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 30A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1V @ 30A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 200ns,

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GeneSiC Semiconductor

S400QR

भाग स्टक: 2027

डायोड प्रकार: Standard, Reverse Polarity, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1200V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 400A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.2V @ 400A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

GKN240/16

भाग स्टक: 2303

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1600V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 320A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.4V @ 60A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBRH120150

भाग स्टक: 2696

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 150V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 120A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 880mV @ 120A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

FR16J02

भाग स्टक: 14610

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 16A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 900mV @ 16A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 250ns,

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GeneSiC Semiconductor

FR40GR05

भाग स्टक: 9630

डायोड प्रकार: Standard, Reverse Polarity, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 400V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 40A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1V @ 40A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 500ns,

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GeneSiC Semiconductor

MBRH12020R

भाग स्टक: 2847

डायोड प्रकार: Schottky, Reverse Polarity, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 20V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 120A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 650mV @ 120A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBRH24040

भाग स्टक: 40

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 40V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 240A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 720mV @ 240A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBRH20035R

भाग स्टक: 2553

डायोड प्रकार: Schottky, Reverse Polarity, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 35V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 200A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 650mV @ 200A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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