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डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एकल

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S400KR
GeneSiC Semiconductor

S400KR

भाग स्टक: 2009

डायोड प्रकार: Standard, Reverse Polarity, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 800V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 400A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.2V @ 400A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
SD4145
GeneSiC Semiconductor

SD4145

भाग स्टक: 6509

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 45V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 30A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 680mV @ 30A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
FR12M05
GeneSiC Semiconductor

FR12M05

भाग स्टक: 9525

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1000V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 12A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 800mV @ 12A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 500ns,

इच्छा सुची
S85YR
GeneSiC Semiconductor

S85YR

भाग स्टक: 7151

डायोड प्रकार: Standard, Reverse Polarity, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1600V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 85A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.1V @ 85A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
GB02SLT12-214
GeneSiC Semiconductor

GB02SLT12-214

भाग स्टक: 28962

डायोड प्रकार: Silicon Carbide Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1200V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 2A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.8V @ 1A, गति: No Recovery Time > 500mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 0ns,

इच्छा सुची
GB01SLT06-214
GeneSiC Semiconductor

GB01SLT06-214

भाग स्टक: 37909

डायोड प्रकार: Silicon Carbide Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 650V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 1A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 2V @ 1A, गति: No Recovery Time > 500mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 0ns,

इच्छा सुची
GB02SHT01-46
GeneSiC Semiconductor

GB02SHT01-46

भाग स्टक: 1555

डायोड प्रकार: Silicon Carbide Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 4A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.6V @ 1A, गति: No Recovery Time > 500mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 0ns,

इच्छा सुची
S40Q
GeneSiC Semiconductor

S40Q

भाग स्टक: 7175

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1200V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 40A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.1V @ 40A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
FR85JR02
GeneSiC Semiconductor

FR85JR02

भाग स्टक: 5989

डायोड प्रकार: Standard, Reverse Polarity, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 85A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.4V @ 85A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 250ns,

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FR70G02
GeneSiC Semiconductor

FR70G02

भाग स्टक: 9642

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 400V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 70A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.4V @ 70A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 200ns,

इच्छा सुची
GB20SLT12-247
GeneSiC Semiconductor

GB20SLT12-247

भाग स्टक: 2856

डायोड प्रकार: Silicon Carbide Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1200V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 20A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 2V @ 20A, गति: No Recovery Time > 500mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 0ns,

इच्छा सुची
S300YR
GeneSiC Semiconductor

S300YR

भाग स्टक: 1824

डायोड प्रकार: Standard, Reverse Polarity, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1600V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 300A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.2V @ 300A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
S40B
GeneSiC Semiconductor

S40B

भाग स्टक: 11196

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 40A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.1V @ 40A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
GB02SLT12-220
GeneSiC Semiconductor

GB02SLT12-220

भाग स्टक: 17999

डायोड प्रकार: Silicon Carbide Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1200V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 2A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.8V @ 2A, गति: No Recovery Time > 500mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 0ns,

इच्छा सुची
MBR8045R
GeneSiC Semiconductor

MBR8045R

भाग स्टक: 4212

डायोड प्रकार: Schottky, Reverse Polarity, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 45V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 80A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 650mV @ 80A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
FR30J02
GeneSiC Semiconductor

FR30J02

भाग स्टक: 7131

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 30A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1V @ 30A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 200ns,

इच्छा सुची
MBRH20045
GeneSiC Semiconductor

MBRH20045

भाग स्टक: 2177

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 45V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 200A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 650mV @ 200A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
S85VR
GeneSiC Semiconductor

S85VR

भाग स्टक: 7084

डायोड प्रकार: Standard, Reverse Polarity, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1400V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 85A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.1V @ 85A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
MBR3560R
GeneSiC Semiconductor

MBR3560R

भाग स्टक: 4392

डायोड प्रकार: Schottky, Reverse Polarity, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 60V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 35A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 750mV @ 35A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
FR85JR05
GeneSiC Semiconductor

FR85JR05

भाग स्टक: 5997

डायोड प्रकार: Standard, Reverse Polarity, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 85A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.4V @ 85A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 500ns,

इच्छा सुची
S85Q
GeneSiC Semiconductor

S85Q

भाग स्टक: 7124

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1200V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 85A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.1V @ 85A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
S40KR
GeneSiC Semiconductor

S40KR

भाग स्टक: 8348

डायोड प्रकार: Standard, Reverse Polarity, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 800V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 40A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.1V @ 40A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
FR40G02
GeneSiC Semiconductor

FR40G02

भाग स्टक: 7130

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 400V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 40A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1V @ 40A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 200ns,

इच्छा सुची
MBRH12040R
GeneSiC Semiconductor

MBRH12040R

भाग स्टक: 2457

डायोड प्रकार: Schottky, Reverse Polarity, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 40V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 120A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 700mV @ 120A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
GB02SHT03-46
GeneSiC Semiconductor

GB02SHT03-46

भाग स्टक: 1505

डायोड प्रकार: Silicon Carbide Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 300V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 4A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.6V @ 1A, गति: No Recovery Time > 500mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 0ns,

इच्छा सुची
MBRH20045R
GeneSiC Semiconductor

MBRH20045R

भाग स्टक: 2179

डायोड प्रकार: Schottky, Reverse Polarity, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 45V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 200A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 700mV @ 200A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
GB50SLT12-247
GeneSiC Semiconductor

GB50SLT12-247

भाग स्टक: 771

डायोड प्रकार: Silicon Carbide Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1200V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 50A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.8V @ 50A, गति: No Recovery Time > 500mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 0ns,

इच्छा सुची
FR40KR05
GeneSiC Semiconductor

FR40KR05

भाग स्टक: 7134

डायोड प्रकार: Standard, Reverse Polarity, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 800V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 40A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1V @ 40A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 500ns,

इच्छा सुची
FR20GR02
GeneSiC Semiconductor

FR20GR02

भाग स्टक: 7177

डायोड प्रकार: Standard, Reverse Polarity, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 400V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 20A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1V @ 20A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 200ns,

इच्छा सुची
GB02SHT06-46
GeneSiC Semiconductor

GB02SHT06-46

भाग स्टक: 1373

डायोड प्रकार: Silicon Carbide Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 4A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.6V @ 1A, गति: No Recovery Time > 500mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 0ns,

इच्छा सुची
FR70GR02
GeneSiC Semiconductor

FR70GR02

भाग स्टक: 7175

डायोड प्रकार: Standard, Reverse Polarity, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 400V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 70A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.4V @ 70A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 200ns,

इच्छा सुची
FR30G02
GeneSiC Semiconductor

FR30G02

भाग स्टक: 7099

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 400V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 30A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1V @ 30A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 200ns,

इच्छा सुची
S85JR
GeneSiC Semiconductor

S85JR

भाग स्टक: 7155

डायोड प्रकार: Standard, Reverse Polarity, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 85A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.1V @ 85A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
MBR3545
GeneSiC Semiconductor

MBR3545

भाग स्टक: 4428

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 45V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 35A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 680mV @ 35A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
S300Y
GeneSiC Semiconductor

S300Y

भाग स्टक: 1833

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1600V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 300A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.2V @ 300A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
S85J
GeneSiC Semiconductor

S85J

भाग स्टक: 7670

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 85A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.1V @ 85A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची