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डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एर्रेहरू

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MBR20H45CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBR20H45CT-E3/45

भाग स्टक: 3955

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 45V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 10A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 630mV @ 10A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
MBRB25H60CT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBRB25H60CT-E3/81

भाग स्टक: 3917

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 60V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 15A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 700mV @ 15A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
FEPB6BTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division

FEPB6BTHE3/81

भाग स्टक: 99436

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 6A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 975mV @ 3A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
SBLB2040CT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division

SBLB2040CT-E3/81

भाग स्टक: 3930

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 40V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 10A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 600mV @ 10A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
SBLB1030CTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division

SBLB1030CTHE3/81

भाग स्टक: 3892

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 30V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 5A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 550mV @ 5A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
MBRF1550CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBRF1550CT-E3/45

भाग स्टक: 3994

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 50V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 7.5A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 750mV @ 7.5A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
FEPB6DT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

FEPB6DT-E3/45

भाग स्टक: 135588

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 6A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 975mV @ 3A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
MBRF15H60CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBRF15H60CT-E3/45

भाग स्टक: 3943

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 60V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 7.5A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 730mV @ 7.5A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
MBRF2050CTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBRF2050CTHE3/45

भाग स्टक: 3947

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 50V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 10A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 800mV @ 10A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
MBRB20H90CT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBRB20H90CT-E3/81

भाग स्टक: 3971

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 90V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 10A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 770mV @ 10A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
FEPF6ATHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

FEPF6ATHE3/45

भाग स्टक: 132860

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 50V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 6A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 975mV @ 3A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
MBRB20H100CTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBRB20H100CTHE3/45

भाग स्टक: 3938

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 10A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 770mV @ 10A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VS-47CTQ020-1PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-47CTQ020-1PBF

भाग स्टक: 50922

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 20V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 20A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 450mV @ 20A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VS-12CWQ10FNTRRPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-12CWQ10FNTRRPBF

भाग स्टक: 4117

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 6A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 800mV @ 6A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
MBR15H60CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBR15H60CT-E3/45

भाग स्टक: 3910

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 60V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 7.5A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 730mV @ 7.5A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
MBRF2050CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBRF2050CT-E3/45

भाग स्टक: 3925

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 50V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 10A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 800mV @ 10A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
MBR1535CTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBR1535CTHE3/45

भाग स्टक: 3933

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 35V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 7.5A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 570mV @ 7.5A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
MBR2060CTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBR2060CTHE3/45

भाग स्टक: 3955

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 60V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 10A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 800mV @ 10A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
UG18DCTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

UG18DCTHE3/45

भाग स्टक: 90818

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 18A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.1V @ 9A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
MBRB1550CT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBRB1550CT-E3/81

भाग स्टक: 3958

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 50V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 7.5A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 750mV @ 7.5A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
MBRF10H100CTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBRF10H100CTHE3/45

भाग स्टक: 4407

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 5A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 760mV @ 5A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VS-12CTQ035STRRPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-12CTQ035STRRPBF

भाग स्टक: 50617

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 35V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 6A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 600mV @ 6A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VS-HFA08TA60CSTRRP
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-HFA08TA60CSTRRP

भाग स्टक: 41691

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 8A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 2.2V @ 8A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
MBR20H90CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBR20H90CT-E3/45

भाग स्टक: 4007

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 90V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 10A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 770mV @ 10A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
MBRB1550CTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBRB1550CTHE3/81

भाग स्टक: 3925

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 50V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 7.5A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 750mV @ 7.5A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
FEPF6AT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

FEPF6AT-E3/45

भाग स्टक: 137822

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 50V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 6A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 975mV @ 3A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
MBRB1550CTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBRB1550CTHE3/45

भाग स्टक: 3953

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 50V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 7.5A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 750mV @ 7.5A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
MBRF25H45CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBRF25H45CT-E3/45

भाग स्टक: 4027

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 45V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 15A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 640mV @ 15A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
SBL25L25CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

SBL25L25CT-E3/45

भाग स्टक: 3953

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 25V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 12.5A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 490mV @ 12.5A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
FEP16ATHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

FEP16ATHE3/45

भाग स्टक: 90780

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 50V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 16A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 950mV @ 8A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
FEP6DTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

FEP6DTHE3/45

भाग स्टक: 146601

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 6A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 975mV @ 3A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VS-30CTQ035STRRPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-30CTQ035STRRPBF

भाग स्टक: 40025

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 35V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 30A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 760mV @ 30A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
SBLB1640CTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

SBLB1640CTHE3/45

भाग स्टक: 3978

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 40V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 8A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 550mV @ 8A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
SS10P3CHM3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS10P3CHM3/87A

भाग स्टक: 3884

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 30V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 5A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 530mV @ 5A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VS-HFA16TA60CSTRLP
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-HFA16TA60CSTRLP

भाग स्टक: 21096

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 8A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.7V @ 8A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
FEPF6CTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

FEPF6CTHE3/45

भाग स्टक: 132863

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 150V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 6A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 975mV @ 3A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची