डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एकल | असक्रिय अर्धचालक उत्पादनहरू | 21

GKN71/04

भाग स्टक: 12912

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 400V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 95A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.5V @ 60A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBR7520R

भाग स्टक: 5414

डायोड प्रकार: Schottky, Reverse Polarity, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 20V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 75A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 650mV @ 75A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

S150JR

भाग स्टक: 2504

डायोड प्रकार: Standard, Reverse Polarity, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 150A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.2V @ 150A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

S320M

भाग स्टक: 2017

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1000V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 320A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.2V @ 300A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

FR6B05

भाग स्टक: 14103

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 16A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.4V @ 6A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 500ns,

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GeneSiC Semiconductor

MBR7535R

भाग स्टक: 5454

डायोड प्रकार: Schottky, Reverse Polarity, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 35V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 75A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 750mV @ 75A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBR3530

भाग स्टक: 5674

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 30V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 35A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 680mV @ 35A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBRH24045R

भाग स्टक: 69

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 45V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 240A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 720mV @ 240A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

S6JR

भाग स्टक: 19568

डायोड प्रकार: Standard, Reverse Polarity, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 6A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.1V @ 6A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

S6BR

भाग स्टक: 13482

डायोड प्रकार: Standard, Reverse Polarity, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 6A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.1V @ 6A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

S40G

भाग स्टक: 9648

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 400V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 40A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.1V @ 40A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

FR12D02

भाग स्टक: 15089

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 12A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 800mV @ 12A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 200ns,

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GeneSiC Semiconductor

S16M

भाग स्टक: 13427

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1000V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 16A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.1V @ 16A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

FR12K05

भाग स्टक: 12936

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 800V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 12A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 800mV @ 12A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 500ns,

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GeneSiC Semiconductor

S25B

भाग स्टक: 17292

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 25A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.1V @ 25A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

S25Q

भाग स्टक: 12888

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1200V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 25A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.1V @ 25A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

FR85K05

भाग स्टक: 7814

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 800V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 85A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.4V @ 85A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 500ns,

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GeneSiC Semiconductor

MURH10040

भाग स्टक: 3680

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 400V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 100A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.3V @ 100A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 90ns,

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GeneSiC Semiconductor

FR70M05

भाग स्टक: 9587

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1000V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 70A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.4V @ 70A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 500ns,

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GeneSiC Semiconductor

S150QR

भाग स्टक: 2579

डायोड प्रकार: Standard, Reverse Polarity, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1200V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 150A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.2V @ 150A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBRH20080R

भाग स्टक: 2556

डायोड प्रकार: Schottky, Reverse Polarity, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 80V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 200A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 840mV @ 200A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

FR12KR05

भाग स्टक: 12910

डायोड प्रकार: Standard, Reverse Polarity, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 800V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 12A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 800mV @ 12A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 500ns,

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GeneSiC Semiconductor

GKR240/16

भाग स्टक: 2322

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1600V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 320A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.4V @ 60A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

S12GR

भाग स्टक: 29131

डायोड प्रकार: Standard, Reverse Polarity, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 400V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 12A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.1V @ 12A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBRH20040R

भाग स्टक: 2633

डायोड प्रकार: Schottky, Reverse Polarity, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 40V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 200A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 650mV @ 200A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

FR16G02

भाग स्टक: 13506

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 400V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 16A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 900mV @ 16A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 200ns,

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GeneSiC Semiconductor

FR16B02

भाग स्टक: 12909

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 16A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 900mV @ 16A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 200ns,

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GeneSiC Semiconductor

FR6GR02

भाग स्टक: 12909

डायोड प्रकार: Standard, Reverse Polarity, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 400V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 6A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.4V @ 6A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 200ns,

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GeneSiC Semiconductor

MBR8080R

भाग स्टक: 5451

डायोड प्रकार: Schottky, Reverse Polarity, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 80V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 80A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 840mV @ 80A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

GKR240/14

भाग स्टक: 2309

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1400V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 320A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.4V @ 60A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

S400Y

भाग स्टक: 2040

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1600V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 400A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.2V @ 400A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBRH24045

भाग स्टक: 51

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 45V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 240A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 720mV @ 240A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

S25QR

भाग स्टक: 12955

डायोड प्रकार: Standard, Reverse Polarity, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1200V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 25A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.1V @ 25A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

FR6BR05

भाग स्टक: 13805

डायोड प्रकार: Standard, Reverse Polarity, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 16A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.4V @ 6A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 500ns,

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GeneSiC Semiconductor

FR20JR02

भाग स्टक: 9585

डायोड प्रकार: Standard, Reverse Polarity, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 20A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1V @ 20A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 250ns,

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GeneSiC Semiconductor

S300Z

भाग स्टक: 1978

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 2000V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 300A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.2V @ 300A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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