ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एरेहरू

FDMS3616S

भाग स्टक: 2851

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 25V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 16A, 18A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 6.6 mOhm @ 16A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.5V @ 250µA,

ईच्छाको लागि

FDW2507NZ

भाग स्टक: 2692

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 7.5A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 19 mOhm @ 7.5A, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1.5V @ 250µA,

ईच्छाको लागि

NTQD6968NR2G

भाग स्टक: 2683

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 6.2A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 22 mOhm @ 7A, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1.2V @ 250µA,

ईच्छाको लागि

NDS9925A

भाग स्टक: 2695

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 4.5A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 60 mOhm @ 4.5A, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1V @ 250µA,

ईच्छाको लागि

NTZD3154NT1H

भाग स्टक: 188943

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 540mA, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 550 mOhm @ 540mA, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1V @ 250µA,

ईच्छाको लागि

ECH8675-TL-H

भाग स्टक: 2918

FET प्रकार: 2 P-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 4.5A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 46 mOhm @ 3A, 4.5V,

ईच्छाको लागि

FDS6984S

भाग स्टक: 2757

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 5.5A, 8.5A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 19 mOhm @ 8.5A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 3V @ 250µA,

ईच्छाको लागि

NDS9942

भाग स्टक: 2712

FET प्रकार: N and P-Channel, FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 3A, 2.5A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 125 mOhm @ 1A, 10V,

ईच्छाको लागि

NTMD2P01R2

भाग स्टक: 2666

FET प्रकार: 2 P-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 16V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 2.3A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 100 mOhm @ 2.4A, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1.5V @ 250µA,

ईच्छाको लागि

FDJ1027P

भाग स्टक: 2758

FET प्रकार: 2 P-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 2.8A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 160 mOhm @ 2.8A, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1.5V @ 250µA,

ईच्छाको लागि

NDS9956A

भाग स्टक: 2657

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 3.7A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 80 mOhm @ 2.2A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.8V @ 250µA,

ईच्छाको लागि

NTHD5905T1

भाग स्टक: 2720

FET प्रकार: 2 P-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 8V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 3A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 90 mOhm @ 3A, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 450mV @ 250µA,

ईच्छाको लागि

MMDF2N02ER2

भाग स्टक: 2712

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 25V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 3.6A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 100 mOhm @ 2.2A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 3V @ 250µA,

ईच्छाको लागि

NDM3000

भाग स्टक: 2702

FET प्रकार: 3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 3A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 90 mOhm @ 3A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 3V @ 250µA,

ईच्छाको लागि

NDS8926

भाग स्टक: 2667

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 5.5A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 35 mOhm @ 5.5A, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1V @ 250µA,

ईच्छाको लागि

SIA511DJ-T1-GE3

भाग स्टक: 2748

FET प्रकार: N and P-Channel, FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 12V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 4.5A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 40 mOhm @ 4.2A, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1V @ 250µA,

ईच्छाको लागि

SI1970DH-T1-GE3

भाग स्टक: 3345

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 1.3A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 225 mOhm @ 1.2A, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1.6V @ 250µA,

ईच्छाको लागि

SI7911DN-T1-GE3

भाग स्टक: 3351

FET प्रकार: 2 P-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 4.2A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 51 mOhm @ 5.7A, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1V @ 250µA,

ईच्छाको लागि

SIA914DJ-T1-E3

भाग स्टक: 2809

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 4.5A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 53 mOhm @ 3.7A, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1V @ 250µA,

ईच्छाको लागि

SQJ940EP-T1_GE3

भाग स्टक: 137151

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 40V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 15A (Ta), 18A (Tc), Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 16 mOhm @ 15A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.5V @ 250µA,

ईच्छाको लागि

SI4804BDY-T1-E3

भाग स्टक: 2731

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 5.7A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 22 mOhm @ 7.5A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 3V @ 250µA,

ईच्छाको लागि

SI1025X-T1-E3

भाग स्टक: 2759

FET प्रकार: 2 P-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 60V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 190mA, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 4 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 3V @ 250µA,

ईच्छाको लागि

SI1033X-T1-E3

भाग स्टक: 2716

FET प्रकार: 2 P-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 145mA, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 8 Ohm @ 150mA, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1.2V @ 250µA,

ईच्छाको लागि

SI4544DY-T1-E3

भाग स्टक: 2827

FET प्रकार: N and P-Channel, Common Drain, FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 35 mOhm @ 6.5A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1V @ 250µA (Min),

ईच्छाको लागि

SIS902DN-T1-GE3

भाग स्टक: 5353

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 75V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 4A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 186 mOhm @ 3A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.5V @ 250µA,

ईच्छाको लागि

SI4830ADY-T1-GE3

भाग स्टक: 2864

FET प्रकार: 2 N-Channel (Half Bridge), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 5.7A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 22 mOhm @ 7.5A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 3V @ 250µA,

ईच्छाको लागि

SI5504DC-T1-GE3

भाग स्टक: 2847

FET प्रकार: N and P-Channel, FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 2.9A, 2.1A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 85 mOhm @ 2.9A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1V @ 250µA (Min),

ईच्छाको लागि

Diodes Incorporated

ZXMHC10A07T8TA

भाग स्टक: 83530

FET प्रकार: 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 100V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 1A, 800mA, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 700 mOhm @ 1.5A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 4V @ 250µA,

ईच्छाको लागि

Diodes Incorporated

DI9945T

भाग स्टक: 2659

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 60V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 3.5A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 100 mOhm @ 3.5A, 10V,

ईच्छाको लागि

IRFHS9351TR2PBF

भाग स्टक: 2826

FET प्रकार: 2 P-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 2.3A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 170 mOhm @ 3.1A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.4V @ 10µA,

ईच्छाको लागि

IRF7750

भाग स्टक: 2669

FET प्रकार: 2 P-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 4.7A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 30 mOhm @ 4.7A, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1.2V @ 250µA,

ईच्छाको लागि

IRF7754GTRPBF

भाग स्टक: 2807

FET प्रकार: 2 P-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 12V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 5.5A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 25 mOhm @ 5.4A, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 900mV @ 250µA,

ईच्छाको लागि