ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एरेहरू

NTHD2102PT1

भाग स्टक: 2736

FET प्रकार: 2 P-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 8V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 3.4A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 58 mOhm @ 3.4A, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1.5V @ 250µA,

NTJD2152PT2

भाग स्टक: 2687

FET प्रकार: 2 P-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 8V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 775mA, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 300 mOhm @ 570mA, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1V @ 250µA,

FDR8305N

भाग स्टक: 2685

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 4.5A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 22 mOhm @ 4.5A, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1.5V @ 250µA,

NTHD5904T1

भाग स्टक: 3342

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 3.1A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 75 mOhm @ 3.1A, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 600mV @ 250µA,

NTJD2152PT1

भाग स्टक: 3331

FET प्रकार: 2 P-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 8V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 775mA, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 300 mOhm @ 570mA, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1V @ 250µA,

NTMD6N03R2

भाग स्टक: 2644

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 6A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 32 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.5V @ 250µA,

ECH8659-TL-HX

भाग स्टक: 2893

NTUD3171PZT5G

भाग स्टक: 2770

FET प्रकार: 2 P-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 200mA, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 5 Ohm @ 100mA, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1V @ 250µA,

NTHD5903T1G

भाग स्टक: 2841

FET प्रकार: 2 P-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 2.2A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 155 mOhm @ 2.2A, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 600mV @ 250µA,

NDS9933

भाग स्टक: 2913

FET प्रकार: 2 P-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 3.2A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 110 mOhm @ 3.2A, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1V @ 250µA,

NTMD2C02R2

भाग स्टक: 3292

FET प्रकार: N and P-Channel, FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 5.2A, 3.4A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 43 mOhm @ 4A, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1.2V @ 250µA,

FDY3001NZ

भाग स्टक: 2778

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 200mA, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 5 Ohm @ 200mA, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1.5V @ 250µA,

FDS9933

भाग स्टक: 2763

FET प्रकार: 2 P-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 5A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 55 mOhm @ 3.2A, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1.2V @ 250µA,

MMDF2P02HDR2

भाग स्टक: 2669

FET प्रकार: 2 P-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 3.3A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 160 mOhm @ 2A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2V @ 250µA,

SI7214DN-T1-E3

भाग स्टक: 99156

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 4.6A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 40 mOhm @ 6.4A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 3V @ 250µA,

SI4532ADY-T1-E3

भाग स्टक: 139238

FET प्रकार: N and P-Channel, FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 3.7A, 3A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 53 mOhm @ 4.9A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1V @ 250µA (Min),

SI5513DC-T1-E3

भाग स्टक: 2794

FET प्रकार: N and P-Channel, FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 3.1A, 2.1A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 75 mOhm @ 3.1A, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1.5V @ 250µA,

SI5947DU-T1-E3

भाग स्टक: 2793

FET प्रकार: 2 P-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 6A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 58 mOhm @ 3.6A, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1.5V @ 250µA,

SI7909DN-T1-E3

भाग स्टक: 2903

FET प्रकार: 2 P-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 12V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 5.3A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 37 mOhm @ 7.7A, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1V @ 700µA,

SIZ914DT-T1-GE3

भाग स्टक: 89189

FET प्रकार: 2 N-Channel (Half Bridge), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 16A, 40A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 6.4 mOhm @ 19A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.4V @ 250µA,

SI4834BDY-T1-E3

भाग स्टक: 2745

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 5.7A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 22 mOhm @ 7.5A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 3V @ 250µA,

SIB911DK-T1-E3

भाग स्टक: 2804

FET प्रकार: 2 P-Channel (Dual), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 2.6A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 295 mOhm @ 1.5A, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1V @ 250µA,

SI7224DN-T1-GE3

भाग स्टक: 139892

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 6A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 35 mOhm @ 6.5A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.2V @ 250µA,

SMMB911DK-T1-GE3

भाग स्टक: 2878

FET प्रकार: 2 P-Channel (Dual), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 2.6A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 295 mOhm @ 1.5A, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1V @ 250µA,

SI4913DY-T1-E3

भाग स्टक: 2758

FET प्रकार: 2 P-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 7.1A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 15 mOhm @ 9.4A, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1V @ 500µA,

QJD1210011

भाग स्टक: 3308

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Silicon Carbide (SiC), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 1200V (1.2kV), हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 100A (Tc), Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 25 mOhm @ 100A, 20V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 5V @ 10mA,

MP6M12TCR

भाग स्टक: 2901

FET प्रकार: N and P-Channel, FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 5A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 42 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.5V @ 1mA,

IRF7324PBF

भाग स्टक: 40730

FET प्रकार: 2 P-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 9A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 18 mOhm @ 9A, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1V @ 250µA,

IRF7313QTRPBF

भाग स्टक: 2771

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 6.5A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 29 mOhm @ 5.8A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1V @ 250µA,

IRF7103Q

भाग स्टक: 2957

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 50V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 3A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 130 mOhm @ 3A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 3V @ 250µA,

ZXMN6A09DN8TC

भाग स्टक: 2680

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 60V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 4.3A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 40 mOhm @ 8.2A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 3V @ 250µA,

ZXMN3A06DN8TC

भाग स्टक: 2755

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 4.9A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 35 mOhm @ 9A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1V @ 250µA (Min),

UPA2670T1R-E2-AX

भाग स्टक: 2933

FET प्रकार: 2 P-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, 1.8V Drive, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 3A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 79 mOhm @ 1.5A, 4.5V,

PHKD6N02LT,518

भाग स्टक: 148309

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 10.9A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 20 mOhm @ 3A, 5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1.5V @ 250µA,

LP1030DK1-G

भाग स्टक: 2955

FET प्रकार: 2 P-Channel (Dual), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 300V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 180 Ohm @ 20mA, 7V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.4V @ 1mA,

LN100LA-G

भाग स्टक: 2875

FET प्रकार: 2 N-Channel (Cascoded), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 1200V (1.2kV), Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 3000 Ohm @ 2mA, 2.8V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1.6V @ 10µA,