वर्गीकरण गर्नु | वर्णन |
भाग स्थिति | Active |
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FET प्रकार | 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge) |
FET फिचर | Standard |
स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी | 100V |
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस | 1A, 800mA |
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs | 700 mOhm @ 1.5A, 10V |
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी | 4V @ 250µA |
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs | 2.9nC @ 10V |
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds | 138pF @ 60V |
पावर - अधिकतम | 1.3W |
अपरेटिंग तापमान | -55°C ~ 150°C (TJ) |
माउन्टिंग प्रकार | Surface Mount |
प्याकेज / केस | SOT-223-8 |
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज | SM8 |
रोच स्थिति | रोच अनुकूलन |
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ओसिलो संवेदनशीलता स्तर (MSL) | लागु हुँदैन |
लाइफसाइकल स्थिति | अप्रचलित / जीवनको अन्त्य |
सुचारु कोटि | उपलब्ध स्टक |