Menu
नेपालीनेपाली
Rfqs / अर्डर
0Rfqs / अर्डर

डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एर्रेहरू

1N6660
Microsemi Corporation

1N6660

भाग स्टक: 559

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 45V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 15A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1V @ 30A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि
161CMQ040
SMC Diode Solutions

161CMQ040

भाग स्टक: 2930

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 40V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 80A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 880mV @ 80A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि
16CTQ200
SMC Diode Solutions

16CTQ200

भाग स्टक: 111096

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 8A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 840mV @ 8A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि
16CTQ150
SMC Diode Solutions

16CTQ150

भाग स्टक: 165466

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 150V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 8A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 800mV @ 8A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि
161CMQ035
SMC Diode Solutions

161CMQ035

भाग स्टक: 2957

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 35V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 80A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 880mV @ 80A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि
12CTQ040STR
SMC Diode Solutions

12CTQ040STR

भाग स्टक: 187844

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 40V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 6A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 600mV @ 6A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि
160CMQ035
SMC Diode Solutions

160CMQ035

भाग स्टक: 2901

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 35V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 80A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 860mV @ 80A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि
10CTQ150STR
SMC Diode Solutions

10CTQ150STR

भाग स्टक: 128111

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 150V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 5A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 930mV @ 5A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि
16CTQ080
SMC Diode Solutions

16CTQ080

भाग स्टक: 124974

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 80V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 8A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 750mV @ 8A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि
161CMQ045
SMC Diode Solutions

161CMQ045

भाग स्टक: 2935

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 45V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 80A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 880mV @ 80A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि
166CMQ200
SMC Diode Solutions

166CMQ200

भाग स्टक: 2944

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 80A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.1V @ 80A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि
160CMQ040
SMC Diode Solutions

160CMQ040

भाग स्टक: 2929

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 40V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 80A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 860mV @ 80A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि
169CMQ150
SMC Diode Solutions

169CMQ150

भाग स्टक: 2925

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 150V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 80A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 850mV @ 80A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि
169CMQ135
SMC Diode Solutions

169CMQ135

भाग स्टक: 2892

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 135V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 80A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 850mV @ 80A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि
163CMQ100
SMC Diode Solutions

163CMQ100

भाग स्टक: 2627

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 980mV @ 80A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि
1PS66SB82,115
Nexperia USA Inc.

1PS66SB82,115

भाग स्टक: 141995

डायोड कन्फिगरेसन: 3 Independent, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 15V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 30mA (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 700mV @ 30mA, गति: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

ईच्छाको लागि
1PS88SB48,115
Nexperia USA Inc.

1PS88SB48,115

भाग स्टक: 185243

डायोड कन्फिगरेसन: 2 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 40V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 120mA (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1V @ 40mA, गति: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

ईच्छाको लागि
1SS374(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

1SS374(TE85L,F)

भाग स्टक: 104

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Series Connection, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 10V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 100mA, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 500mV @ 100mA, गति: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

ईच्छाको लागि
1SS398TE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage

1SS398TE85LF

भाग स्टक: 103828

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Series Connection, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 400V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 100mA, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.3V @ 100mA, गति: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

ईच्छाको लागि
1SS383(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

1SS383(TE85L,F)

भाग स्टक: 189087

डायोड कन्फिगरेसन: 2 Independent, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 40V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 100mA, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 600mV @ 100mA, गति: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

ईच्छाको लागि
1SS309(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

1SS309(TE85L,F)

भाग स्टक: 132008

डायोड कन्फिगरेसन: 4 Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 80V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 100mA, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.2V @ 100mA, गति: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

ईच्छाको लागि
1SS384TE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage

1SS384TE85LF

भाग स्टक: 156547

डायोड कन्फिगरेसन: 2 Independent, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 10V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 100mA, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 500mV @ 100mA, गति: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

ईच्छाको लागि
1SS308(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage

1SS308(TE85L,F

भाग स्टक: 130

डायोड कन्फिगरेसन: 4 Common Anode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 80V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 100mA, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.2V @ 100mA, गति: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

ईच्छाको लागि
1SS392,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

1SS392,LF

भाग स्टक: 145638

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 40V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 100mA, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 600mV @ 100mA, गति: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

ईच्छाको लागि
1SS402TE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage

1SS402TE85LF

भाग स्टक: 78

डायोड कन्फिगरेसन: 2 Independent, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 20V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 50mA, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 550mV @ 50mA, गति: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

ईच्छाको लागि
1SS382TE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage

1SS382TE85LF

भाग स्टक: 149

डायोड कन्फिगरेसन: 2 Independent, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 80V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 100mA, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.2V @ 100mA, गति: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

ईच्छाको लागि
1SS226,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

1SS226,LF

भाग स्टक: 116

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Series Connection, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 80V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 100mA, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.2V @ 100mA, गति: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

ईच्छाको लागि
1SS362TE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage

1SS362TE85LF

भाग स्टक: 187

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Series Connection, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 80V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 80mA, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.2V @ 100mA, गति: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

ईच्छाको लागि
1SS378(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

1SS378(TE85L,F)

भाग स्टक: 135022

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 10V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 100mA, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 500mV @ 100mA, गति: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

ईच्छाको लागि
1SS301,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

1SS301,LF

भाग स्टक: 167193

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 80V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 100mA, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.2V @ 100mA, गति: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

ईच्छाको लागि
1SS423(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

1SS423(TE85L,F)

भाग स्टक: 199611

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Series Connection, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 40V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 100mA, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 620mV @ 100mA, गति: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

ईच्छाको लागि
1SS300,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

1SS300,LF

भाग स्टक: 105400

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Anode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 80V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 100mA, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.2V @ 100mA, गति: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

ईच्छाको लागि
1SS393,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

1SS393,LF

भाग स्टक: 187666

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 40V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 100mA, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 600mV @ 100mA, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि
1SS181-TP
Micro Commercial Co

1SS181-TP

भाग स्टक: 178386

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Anode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 80V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 100mA (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.2V @ 100mA, गति: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

ईच्छाको लागि
1SS184-TP
Micro Commercial Co

1SS184-TP

भाग स्टक: 183265

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 80V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 100mA, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.2V @ 100mA, गति: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

ईच्छाको लागि
1SS226-TP
Micro Commercial Co

1SS226-TP

भाग स्टक: 165282

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Series Connection, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 80V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 100mA, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.2V @ 100mA, गति: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

ईच्छाको लागि