ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एरेहरू

FDW2502P

भाग स्टक: 2769

FET प्रकार: 2 P-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 4.4A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 35 mOhm @ 4.4A, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1.5V @ 250µA,

ईच्छाको लागि

FDW2508P

भाग स्टक: 2776

FET प्रकार: 2 P-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 12V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 6A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 18 mOhm @ 6A, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1.5V @ 250µA,

ईच्छाको लागि

FDD8424H-F085A

भाग स्टक: 2940

FET प्रकार: N and P-Channel, FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 40V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 9A, 6.5A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 24 mOhm @ 9A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 3V @ 250µA,

ईच्छाको लागि

EFC6612R-A-TF

भाग स्टक: 2936

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, FET फिचर: Logic Level Gate, 2.5V Drive,

ईच्छाको लागि

ECH8652-TL-H

भाग स्टक: 2893

FET प्रकार: 2 P-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 12V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 6A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 28 mOhm @ 3A, 4.5V,

ईच्छाको लागि

NTHD4102PT3G

भाग स्टक: 2764

FET प्रकार: 2 P-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 2.9A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 80 mOhm @ 2.9A, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1.5V @ 250µA,

ईच्छाको लागि

SI9936DY

भाग स्टक: 2776

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 5A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 50 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1V @ 250µA,

ईच्छाको लागि

NDC7002N_SB9G007

भाग स्टक: 2756

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 50V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 510mA, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 2 Ohm @ 510mA, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.5V @ 250µA,

ईच्छाको लागि

FW906-TL-E

भाग स्टक: 2911

FET प्रकार: N and P-Channel, FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 8A, 6A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 24 mOhm @ 8A, 10V,

ईच्छाको लागि

VEC2315-TL-H

भाग स्टक: 2838

FET प्रकार: 2 P-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 60V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 2.5A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 137 mOhm @ 1.5A, 10V,

ईच्छाको लागि

SI3951DV-T1-E3

भाग स्टक: 2720

FET प्रकार: 2 P-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 2.7A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 115 mOhm @ 2.5A, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1.5V @ 250µA,

ईच्छाको लागि

VQ1001P

भाग स्टक: 2888

FET प्रकार: 4 N-Channel, FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 830mA, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 1.75 Ohm @ 200mA, 5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.5V @ 1mA,

ईच्छाको लागि

SI6955ADQ-T1-GE3

भाग स्टक: 3376

FET प्रकार: 2 P-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 2.5A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 80 mOhm @ 2.9A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1V @ 250µA (Min),

ईच्छाको लागि

SI7983DP-T1-E3

भाग स्टक: 2716

FET प्रकार: 2 P-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 7.7A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 17 mOhm @ 12A, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1V @ 600µA,

ईच्छाको लागि

SI8904EDB-T2-E1

भाग स्टक: 2770

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 3.8A, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1.6V @ 250µA,

ईच्छाको लागि

Toshiba Semiconductor and Storage

SI4511DY-T1-GE3

भाग स्टक: 2835

FET प्रकार: N and P-Channel, FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 7.2A, 4.6A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 14.5 mOhm @ 9.6A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1.8V @ 250µA,

ईच्छाको लागि

TPC8207(TE12L,Q)

भाग स्टक: 2742

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 6A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 20 mOhm @ 4.8A, 4V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1.2V @ 200µA,

ईच्छाको लागि

IRF9389PBF

भाग स्टक: 2968

FET प्रकार: N and P-Channel, FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 6.8A, 4.6A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 27 mOhm @ 6.8A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.3V @ 10µA,

ईच्छाको लागि

IRF7530PBF

भाग स्टक: 3352

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 5.4A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 30 mOhm @ 5.4A, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1.2V @ 250µA,

ईच्छाको लागि

IRF7103QTRPBF

भाग स्टक: 2795

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 50V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 3A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 130 mOhm @ 3A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 3V @ 250µA,

ईच्छाको लागि

IPG20N06S3L-23

भाग स्टक: 2870

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 55V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 20A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 23 mOhm @ 16A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.2V @ 20µA,

ईच्छाको लागि

IRF5851

भाग स्टक: 2672

FET प्रकार: N and P-Channel, FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 2.7A, 2.2A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 90 mOhm @ 2.7A, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1.25V @ 250µA,

ईच्छाको लागि

IRF8910GPBF

भाग स्टक: 2804

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 10A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 13.4 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.55V @ 250µA,

ईच्छाको लागि

IRF7905PBF

भाग स्टक: 2764

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 7.8A, 8.9A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 21.8 mOhm @ 7.8A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.25V @ 25µA,

ईच्छाको लागि