ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एरेहरू

FDS9933BZ

भाग स्टक: 5427

FET प्रकार: 2 P-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 4.9A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 46 mOhm @ 4.9A, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1.5V @ 250µA,

FDW9926A

भाग स्टक: 2756

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 4.5A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 32 mOhm @ 4.5A, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1.5V @ 250µA,

VEC2415-TL-E

भाग स्टक: 3310

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 60V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 3A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 80 mOhm @ 1.5A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.6V @ 1mA,

FDPC8011S

भाग स्टक: 43392

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 25V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 13A, 27A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 6 mOhm @ 13A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.2V @ 250µA,

NTJD4105CT4

भाग स्टक: 2730

FET प्रकार: N and P-Channel, FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, 8V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 630mA, 775mA, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 375 mOhm @ 630mA, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1.5V @ 250µA,

FDW2516NZ

भाग स्टक: 2695

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 5.8A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 30 mOhm @ 5.8A, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1.5V @ 250µA,

NDS8961

भाग स्टक: 2685

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 3.1A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 100 mOhm @ 3.1A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 3V @ 250µA,

NTLJD2104PTBG

भाग स्टक: 2768

FET प्रकार: 2 P-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 12V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 2.4A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 90 mOhm @ 3A, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 800mV @ 250µA,

SP8M6FU6TB

भाग स्टक: 2843

FET प्रकार: N and P-Channel, FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 5A, 3.5A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 51 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.5V @ 1mA,

SP8M7TB

भाग स्टक: 2650

FET प्रकार: N and P-Channel, FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 5A, 7A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 51 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.5V @ 1mA,

SP8M10TB

भाग स्टक: 2633

FET प्रकार: N and P-Channel, FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 7A, 4.5A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 25 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.5V @ 1mA,

IRF7507TRPBF

भाग स्टक: 173654

FET प्रकार: N and P-Channel, FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 2.4A, 1.7A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 140 mOhm @ 1.7A, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 700mV @ 250µA,

IRF6702M2DTR1PBF

भाग स्टक: 2812

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 15A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 6.6 mOhm @ 15A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.35V @ 25µA,

IRF7751TR

भाग स्टक: 2708

FET प्रकार: 2 P-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 4.5A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 35 mOhm @ 4.5A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.5V @ 250µA,

IRF5852TRPBF

भाग स्टक: 2825

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 2.7A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 90 mOhm @ 2.7A, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1.25V @ 250µA,

IRF7311PBF

भाग स्टक: 80304

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 6.6A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 29 mOhm @ 6A, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 700mV @ 250µA,

SIA914ADJ-T1-GE3

भाग स्टक: 101260

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 4.5A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 43 mOhm @ 3.7A, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 900mV @ 250µA,

SI3529DV-T1-E3

भाग स्टक: 2823

FET प्रकार: N and P-Channel, FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 40V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 2.5A, 1.95A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 125 mOhm @ 2.2A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 3V @ 250µA,

SI4834BDY-T1-GE3

भाग स्टक: 2808

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 5.7A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 22 mOhm @ 7.5A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 3V @ 250µA,

SI4569DY-T1-E3

भाग स्टक: 2765

FET प्रकार: N and P-Channel, FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 40V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 7.6A, 7.9A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 27 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2V @ 250µA,

SI5915DC-T1-GE3

भाग स्टक: 2892

FET प्रकार: 2 P-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 8V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 3.4A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 70 mOhm @ 3.4A, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 450mV @ 250µA (Min),

SI7925DN-T1-GE3

भाग स्टक: 2863

FET प्रकार: 2 P-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 12V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 4.8A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 42 mOhm @ 6.5A, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1V @ 250µA,

SIZ700DT-T1-GE3

भाग स्टक: 110609

FET प्रकार: 2 N-Channel (Half Bridge), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 16A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 8.6 mOhm @ 15A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.2V @ 250µA,

SI3588DV-T1-GE3

भाग स्टक: 2780

FET प्रकार: N and P-Channel, FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 2.5A, 570mA, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 80 mOhm @ 3A, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 450mV @ 250µA (Min),

SI7540DP-T1-E3

भाग स्टक: 2781

FET प्रकार: N and P-Channel, FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 12V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 7.6A, 5.7A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 17 mOhm @ 11.8A, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1.5V @ 250µA,

SI4562DY-T1-GE3

भाग स्टक: 2828

FET प्रकार: N and P-Channel, FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 25 mOhm @ 7.1A, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1.6V @ 250µA,

SQJ962EP-T1-GE3

भाग स्टक: 3339

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 60V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 8A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 60 mOhm @ 4.3A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.5V @ 250µA,

SI4562DY-T1-E3

भाग स्टक: 2860

FET प्रकार: N and P-Channel, FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 25 mOhm @ 7.1A, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1.6V @ 250µA,

SI3983DV-T1-E3

भाग स्टक: 2699

FET प्रकार: 2 P-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 2.1A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 110 mOhm @ 2.5A, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1.1V @ 250µA,

SIA913DJ-T1-GE3

भाग स्टक: 2844

FET प्रकार: 2 P-Channel (Dual), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 12V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 4.5A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 70 mOhm @ 3.3A, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1V @ 250µA,

SI3983DV-T1-GE3

भाग स्टक: 2859

FET प्रकार: 2 P-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 2.1A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 110 mOhm @ 2.5A, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1.1V @ 250µA,

SI5515DC-T1-E3

भाग स्टक: 153398

FET प्रकार: N and P-Channel, FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 4.4A, 3A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 40 mOhm @ 4.4A, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1V @ 250µA,

SI1557DH-T1-E3

भाग स्टक: 2849

FET प्रकार: N and P-Channel, FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 12V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 1.2A, 770mA, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 235 mOhm @ 1.2A, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1V @ 100µA,

JANTX2N7334

भाग स्टक: 2911

FET प्रकार: 4 N-Channel, FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 100V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 1A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 700 mOhm @ 600mA, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 4V @ 250µA,

UPA2385T1P-E1-A

भाग स्टक: 2930

PMDPB70EN,115

भाग स्टक: 2938

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 3.5A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 57 mOhm @ 3.5A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.5V @ 250µA,