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ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एरेहरू

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SQJ262EP-T1_GE3
Vishay Siliconix

SQJ262EP-T1_GE3

भाग स्टक: 2536

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 60V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 15A (Tc), 40A (Tc), Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 35.5 mOhm @ 2A, 10V, 15.5 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.5V @ 250µA,

इच्छा सुची
SQS944ENW-T1_GE3
Vishay Siliconix

SQS944ENW-T1_GE3

भाग स्टक: 2484

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 40V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 6A (Tc), Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 25 mOhm @ 1.25A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.5V @ 250µA,

इच्छा सुची
SI4202DY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4202DY-T1-GE3

भाग स्टक: 118970

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 12.1A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 14 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.5V @ 250µA,

इच्छा सुची
SI1029X-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI1029X-T1-GE3

भाग स्टक: 164736

FET प्रकार: N and P-Channel, FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 60V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 305mA, 190mA, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 1.4 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.5V @ 250µA,

इच्छा सुची
SIA533EDJ-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIA533EDJ-T1-GE3

भाग स्टक: 106980

FET प्रकार: N and P-Channel, FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 12V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 4.5A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 34 mOhm @ 4.6A, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1V @ 250µA,

इच्छा सुची
SIA975DJ-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIA975DJ-T1-GE3

भाग स्टक: 159548

FET प्रकार: 2 P-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 12V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 4.5A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 41 mOhm @ 4.3A, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1V @ 250µA,

इच्छा सुची
SQJ260EP-T1_GE3
Vishay Siliconix

SQJ260EP-T1_GE3

भाग स्टक: 2593

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 60V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 20A (Tc), 54A (Tc), Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 19 mOhm @ 6A, 10V, 8.5 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.5V @ 250µA,

इच्छा सुची
SI1026X-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI1026X-T1-GE3

भाग स्टक: 107231

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 60V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 305mA, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 1.4 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.5V @ 250µA,

इच्छा सुची
SI5515CDC-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI5515CDC-T1-GE3

भाग स्टक: 185766

FET प्रकार: N and P-Channel, FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 4A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 36 mOhm @ 6A, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 800mV @ 250µA,

इच्छा सुची
SI1539CDL-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI1539CDL-T1-GE3

भाग स्टक: 143752

FET प्रकार: N and P-Channel, FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 700mA, 500mA, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 388 mOhm @ 600mA, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.5V @ 250µA,

इच्छा सुची
SIA517DJ-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIA517DJ-T1-GE3

भाग स्टक: 150755

FET प्रकार: N and P-Channel, FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 12V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 4.5A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 29 mOhm @ 5A, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1V @ 250µA,

इच्छा सुची
SIR770DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIR770DP-T1-GE3

भाग स्टक: 139904

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 8A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 21 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.8V @ 250µA,

इच्छा सुची
SI1553CDL-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI1553CDL-T1-GE3

भाग स्टक: 145828

FET प्रकार: N and P-Channel, FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 700mA, 500mA, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 390 mOhm @ 700mA, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1.5V @ 250µA,

इच्छा सुची
SQJB70EP-T1_GE3
Vishay Siliconix

SQJB70EP-T1_GE3

भाग स्टक: 113439

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 100V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 11.3A (Tc), Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 95 mOhm @ 4A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 3.5V @ 250µA,

इच्छा सुची
SI4936BDY-T1-E3
Vishay Siliconix

SI4936BDY-T1-E3

भाग स्टक: 168524

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 6.9A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 35 mOhm @ 5.9A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 3V @ 250µA,

इच्छा सुची
SI1965DH-T1-E3
Vishay Siliconix

SI1965DH-T1-E3

भाग स्टक: 100544

FET प्रकार: 2 P-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 12V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 1.3A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 390 mOhm @ 1A, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1V @ 250µA,

इच्छा सुची
SIA911ADJ-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIA911ADJ-T1-GE3

भाग स्टक: 139873

FET प्रकार: 2 P-Channel (Dual), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 4.5A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 116 mOhm @ 2.8A, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1V @ 250µA,

इच्छा सुची
SQJ990EP-T1_GE3
Vishay Siliconix

SQJ990EP-T1_GE3

भाग स्टक: 141592

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 100V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 34A (Tc), Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 40 mOhm @ 6A, 10V, 19 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.5V @ 250µA,

इच्छा सुची
SQ1563AEH-T1_GE3
Vishay Siliconix

SQ1563AEH-T1_GE3

भाग स्टक: 2535

FET प्रकार: N and P-Channel, FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 850mA (Tc), Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 280 mOhm @ 850mA, 4.5V, 575 mOhm @ 800mA, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1.5V @ 250µA,

इच्छा सुची
SIA537EDJ-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIA537EDJ-T1-GE3

भाग स्टक: 157576

FET प्रकार: N and P-Channel, FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 12V, 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 4.5A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 28 mOhm @ 5.2A, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1V @ 250µA,

इच्छा सुची
SI5513CDC-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI5513CDC-T1-GE3

भाग स्टक: 193923

FET प्रकार: N and P-Channel, FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 4A, 3.7A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 55 mOhm @ 4.4A, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1.5V @ 250µA,

इच्छा सुची
SQJQ904E-T1_GE3
Vishay Siliconix

SQJQ904E-T1_GE3

भाग स्टक: 54848

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 40V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 100A (Tc), Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 3.4 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 3.5V @ 250µA,

इच्छा सुची
SI1926DL-T1-E3
Vishay Siliconix

SI1926DL-T1-E3

भाग स्टक: 150474

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 60V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 370mA, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 1.4 Ohm @ 340mA, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.5V @ 250µA,

इच्छा सुची
SI7212DN-T1-E3
Vishay Siliconix

SI7212DN-T1-E3

भाग स्टक: 57376

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 4.9A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 36 mOhm @ 6.8A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1.6V @ 250µA,

इच्छा सुची
SQJB40EP-T1_GE3
Vishay Siliconix

SQJB40EP-T1_GE3

भाग स्टक: 152466

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 40V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 30A (Tc), Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 8 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.5V @ 250µA,

इच्छा सुची
SQJ963EP-T1_GE3
Vishay Siliconix

SQJ963EP-T1_GE3

भाग स्टक: 91401

FET प्रकार: 2 P-Channel (Dual), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 60V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 8A (Tc), Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 85 mOhm @ 3.5A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.5V @ 250µA,

इच्छा सुची
SI7972DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI7972DP-T1-GE3

भाग स्टक: 149146

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 8A (Tc), Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 18 mOhm @ 11A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.7V @ 250µA,

इच्छा सुची
SQJQ910EL-T1_GE3
Vishay Siliconix

SQJQ910EL-T1_GE3

भाग स्टक: 2597

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 100V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 70A (Tc), Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 8.6 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.5V @ 250µA,

इच्छा सुची
SI7949DP-T1-E3
Vishay Siliconix

SI7949DP-T1-E3

भाग स्टक: 39374

FET प्रकार: 2 P-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 60V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 3.2A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 64 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 3V @ 250µA,

इच्छा सुची
SQJB00EP-T1_GE3
Vishay Siliconix

SQJB00EP-T1_GE3

भाग स्टक: 152443

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 60V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 30A (Tc), Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 13 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 3.5V @ 250µA,

इच्छा सुची
SI4900DY-T1-E3
Vishay Siliconix

SI4900DY-T1-E3

भाग स्टक: 142035

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 60V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 5.3A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 58 mOhm @ 4.3A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 3V @ 250µA,

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SQJQ980EL-T1_GE3
Vishay Siliconix

SQJQ980EL-T1_GE3

भाग स्टक: 2601

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 80V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 36A (Tc), Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 13.5 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.5V @ 250µA,

इच्छा सुची
SIZF906ADT-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIZF906ADT-T1-GE3

भाग स्टक: 2533

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), Schottky, FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 27A (Ta), 60A (Tc), 52A (Ta), 60A (Tc), Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 3.8 mOhm @ 15A, 10V, 1.17 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.2V @ 250µA,

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SI4214DDY-T1-E3
Vishay Siliconix

SI4214DDY-T1-E3

भाग स्टक: 188973

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 8.5A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 19.5 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.5V @ 250µA,

इच्छा सुची
SQJB80EP-T1_GE3
Vishay Siliconix

SQJB80EP-T1_GE3

भाग स्टक: 152485

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 80V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 30A (Tc), Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 19 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.5V @ 250µA,

इच्छा सुची
SI4925BDY-T1-E3
Vishay Siliconix

SI4925BDY-T1-E3

भाग स्टक: 152470

FET प्रकार: 2 P-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 5.3A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 25 mOhm @ 7.1A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 3V @ 250µA,

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