ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एरेहरू | असक्रिय अर्धचालक उत्पादनहरू | 18

SI4913DY-T1-E3

भाग स्टक: 2758

FET प्रकार: 2 P-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 7.1A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 15 mOhm @ 9.4A, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1V @ 500µA,

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Vishay Siliconix

SIB914DK-T1-GE3

भाग स्टक: 2810

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 8V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 1.5A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 113 mOhm @ 2.5A, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 800mV @ 250µA,

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Vishay Siliconix

SI4226DY-T1-E3

भाग स्टक: 2801

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 25V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 8A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 19.5 mOhm @ 7A, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2V @ 250µA,

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SI7270DP-T1-GE3

भाग स्टक: 139888

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 8A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 21 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.8V @ 250µA,

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SI1035X-T1-E3

भाग स्टक: 2711

FET प्रकार: N and P-Channel, FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 180mA, 145mA, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 5 Ohm @ 200mA, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 400mV @ 250µA (Min),

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SI5902DC-T1-E3

भाग स्टक: 2714

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 2.9A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 85 mOhm @ 2.9A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1V @ 250µA (Min),

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SI6925ADQ-T1-E3

भाग स्टक: 2762

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 3.3A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 45 mOhm @ 3.9A, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1.8V @ 250µA,

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SI7945DP-T1-E3

भाग स्टक: 2759

FET प्रकार: 2 P-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 7A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 20 mOhm @ 10.9A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 3V @ 250µA,

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SI6967DQ-T1-E3

भाग स्टक: 2864

FET प्रकार: 2 P-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 8V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 30 mOhm @ 5A, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 450mV @ 250µA (Min),

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SIA915DJ-T1-GE3

भाग स्टक: 188602

FET प्रकार: 2 P-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 4.5A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 87 mOhm @ 2.9A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.2V @ 250µA,

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SI1024X-T1-E3

भाग स्टक: 3329

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 485mA, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 700 mOhm @ 600mA, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 900mV @ 250µA,

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SI1988DH-T1-E3

भाग स्टक: 3369

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 1.3A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 168 mOhm @ 1.4A, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1V @ 250µA,

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SI5980DU-T1-GE3

भाग स्टक: 2827

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 100V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 2.5A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 567 mOhm @ 400mA, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 4V @ 250µA,

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SI7946DP-T1-GE3

भाग स्टक: 2835

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 150V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 2.1A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 150 mOhm @ 3.3A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 4V @ 250µA,

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SQ9945AEY-T1-E3

भाग स्टक: 2873

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 60V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 3.7A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 80 mOhm @ 3.7A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 3V @ 250µA,

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SIZ920DT-T1-GE3

भाग स्टक: 87034

FET प्रकार: 2 N-Channel (Half Bridge), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 40A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 7.1 mOhm @ 18.9A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.5V @ 250µA,

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SI5933CDC-T1-E3

भाग स्टक: 194649

FET प्रकार: 2 P-Channel (Dual), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 3.7A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 144 mOhm @ 2.5A, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1V @ 250µA,

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Vishay Siliconix

SIA914DJ-T1-GE3

भाग स्टक: 2803

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 4.5A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 53 mOhm @ 3.7A, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1V @ 250µA,

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Vishay Siliconix

SI1967DH-T1-E3

भाग स्टक: 177519

FET प्रकार: 2 P-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 1.3A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 490 mOhm @ 910mA, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1V @ 250µA,

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Vishay Siliconix

SI7218DN-T1-E3

भाग स्टक: 159065

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 24A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 25 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 3V @ 250µA,

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SQJ914EP-T1_GE3

भाग स्टक: 2508

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 30A (Tc), Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 12 mOhm @ 4.5A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.5V @ 250µA,

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SI5948DU-T1-GE3

भाग स्टक: 153924

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 40V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 6A (Tc), Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 82 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.5V @ 250µA,

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Vishay Siliconix

SIS990DN-T1-GE3

भाग स्टक: 178823

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 100V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 12.1A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 85 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 4V @ 250µA,

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Vishay Siliconix

SI7220DN-T1-E3

भाग स्टक: 82356

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 60V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 3.4A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 60 mOhm @ 4.8A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 3V @ 250µA,

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Vishay Siliconix

SQJ946EP-T1_GE3

भाग स्टक: 173017

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 40V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 15A (Tc), Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 33 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.5V @ 250µA,

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Vishay Siliconix

SIS903DN-T1-GE3

भाग स्टक: 2575

FET प्रकार: 2 P-Channel (Dual), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 6A (Tc), Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 20.1 mOhm @ 5A, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1V @ 250µA,

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Vishay Siliconix

SIA921EDJ-T4-GE3

भाग स्टक: 178268

FET प्रकार: 2 P-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 4.5A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 59 mOhm @ 3.6A, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1.4V @ 250µA,

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Vishay Siliconix

SI5504BDC-T1-E3

भाग स्टक: 163999

FET प्रकार: N and P-Channel, FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 4A, 3.7A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 65 mOhm @ 3.1A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 3V @ 250µA,

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Vishay Siliconix

SIS932EDN-T1-GE3

भाग स्टक: 2519

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 6A (Tc), Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 22 mOhm @ 10A, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1.4V @ 250µA,

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Vishay Siliconix

SQJB90EP-T1_GE3

भाग स्टक: 141525

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 80V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 30A (Tc), Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 21.5 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 3.5V @ 250µA,

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Vishay Siliconix

SI4564DY-T1-GE3

भाग स्टक: 118890

FET प्रकार: N and P-Channel, FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 40V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 10A, 9.2A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 17.5 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2V @ 250µA,

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Vishay Siliconix

SQ4920EY-T1_GE3

भाग स्टक: 97887

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 8A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 14.5 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.5V @ 250µA,

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Vishay Siliconix

SI3993CDV-T1-GE3

भाग स्टक: 136053

FET प्रकार: 2 P-Channel (Dual), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 2.9A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 111 mOhm @ 2.5A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.2V @ 250µA,

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Vishay Siliconix

SI4559ADY-T1-GE3

भाग स्टक: 141946

FET प्रकार: N and P-Channel, FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 60V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 5.3A, 3.9A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 58 mOhm @ 4.3A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 3V @ 250µA,

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Vishay Siliconix

SI3932DV-T1-GE3

भाग स्टक: 199469

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 3.7A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 58 mOhm @ 3.4A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.2V @ 250µA,

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SQ1912AEEH-T1_GE3

भाग स्टक: 2494

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 800mA (Tc), Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 280 mOhm @ 1.2A, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1.5V @ 250µA,

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