ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एरेहरू | असक्रिय अर्धचालक उत्पादनहरू | 18

SIA928DJ-T1-GE3

भाग स्टक: 170673

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 4.5A (Tc), Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 25 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.2V @ 250µA,

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Vishay Siliconix

SQJ951EP-T1_GE3

भाग स्टक: 123902

FET प्रकार: 2 P-Channel (Dual), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 30A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 17 mOhm @ 7.5A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.5V @ 250µA,

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Vishay Siliconix

SQ4917EY-T1_GE3

भाग स्टक: 91342

FET प्रकार: 2 P-Channel (Dual), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 60V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 8A (Tc), Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 48 mOhm @ 4.3A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.5V @ 250µA,

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SIA519EDJ-T1-GE3

भाग स्टक: 128968

FET प्रकार: N and P-Channel, FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 4.5A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 40 mOhm @ 4.2A, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1.4V @ 250µA,

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SIA922EDJ-T1-GE3

भाग स्टक: 104410

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 4.5A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 64 mOhm @ 3A, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1.4V @ 250µA,

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SI9926CDY-T1-E3

भाग स्टक: 125202

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 8A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 18 mOhm @ 8.3A, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1.5V @ 250µA,

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SQJ974EP-T1_GE3

भाग स्टक: 141603

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 100V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 30A (Tc), Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 25.5 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.5V @ 250µA,

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SI5504BDC-T1-GE3

भाग स्टक: 163985

FET प्रकार: N and P-Channel, FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 4A, 3.7A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 65 mOhm @ 3.1A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 3V @ 250µA,

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SI7288DP-T1-GE3

भाग स्टक: 108168

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 40V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 20A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 19 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.8V @ 250µA,

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SI7900AEDN-T1-E3

भाग स्टक: 97121

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 6A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 26 mOhm @ 8.5A, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 900mV @ 250µA,

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SI4214DDY-T1-GE3

भाग स्टक: 102448

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 8.5A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 19.5 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.5V @ 250µA,

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SI5935CDC-T1-GE3

भाग स्टक: 154777

FET प्रकार: 2 P-Channel (Dual), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 4A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 100 mOhm @ 3.1A, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1V @ 250µA,

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SI5936DU-T1-GE3

भाग स्टक: 193614

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 6A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 30 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.2V @ 250µA,

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SI1025X-T1-GE3

भाग स्टक: 121434

FET प्रकार: 2 P-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 60V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 190mA, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 4 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 3V @ 250µA,

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SI9926CDY-T1-GE3

भाग स्टक: 111109

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 8A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 18 mOhm @ 8.3A, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1.5V @ 250µA,

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SQJ504EP-T1_GE3

भाग स्टक: 2528

FET प्रकार: N and P-Channel, FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 40V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 30A (Tc), Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 7.5 mOhm @ 8A, 10V, 17 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.5V @ 250µA,

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SI4816BDY-T1-GE3

भाग स्टक: 93645

FET प्रकार: 2 N-Channel (Half Bridge), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 5.8A, 8.2A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 18.5 mOhm @ 6.8A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 3V @ 250µA,

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Vishay Siliconix

SI9945BDY-T1-GE3

भाग स्टक: 172002

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 60V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 5.3A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 58 mOhm @ 4.3A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 3V @ 250µA,

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SQJ244EP-T1_GE3

भाग स्टक: 2521

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 40V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 20A (Tc), 60A (Tc), Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 11 mOhm @ 4A, 10V, 4.5 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.5V @ 250µA,

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SI6562CDQ-T1-GE3

भाग स्टक: 161237

FET प्रकार: N and P-Channel, FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 6.7A, 6.1A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 22 mOhm @ 5.7A, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1.5V @ 250µA,

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SI6913DQ-T1-GE3

भाग स्टक: 172370

FET प्रकार: 2 P-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 12V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 4.9A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 21 mOhm @ 5.8A, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 900mV @ 400µA,

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Vishay Siliconix

SI4936CDY-T1-GE3

भाग स्टक: 170890

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 5.8A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 40 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 3V @ 250µA,

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Vishay Siliconix

SQJ202EP-T1_GE3

भाग स्टक: 136680

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 12V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 20A, 60A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 6.5 mOhm @ 15A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2V @ 250µA,

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SI7946ADP-T1-GE3

भाग स्टक: 2605

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 150V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 7.7A (Tc), Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 186 mOhm @ 3A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 3.5V @ 250µA,

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Vishay Siliconix

SI4943CDY-T1-GE3

भाग स्टक: 89672

FET प्रकार: 2 P-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 8A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 19.2 mOhm @ 8.3A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 3V @ 250µA,

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Vishay Siliconix

SI7232DN-T1-GE3

भाग स्टक: 199705

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 25A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 16.4 mOhm @ 10A, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1V @ 250µA,

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Vishay Siliconix

SI7938DP-T1-GE3

भाग स्टक: 98652

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 40V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 60A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 5.8 mOhm @ 18.5A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.5V @ 250µA,

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Vishay Siliconix

SI1900DL-T1-E3

भाग स्टक: 163022

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 590mA, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 480 mOhm @ 590mA, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 3V @ 250µA,

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Vishay Siliconix

SQJ980AEP-T1_GE3

भाग स्टक: 152466

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 75V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 17A (Tc), Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 50 mOhm @ 3.8A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.5V @ 250µA,

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Vishay Siliconix

SI7994DP-T1-GE3

भाग स्टक: 37667

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 60A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 5.6 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 3V @ 250µA,

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Vishay Siliconix

SI4559ADY-T1-E3

भाग स्टक: 141967

FET प्रकार: N and P-Channel, FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 60V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 5.3A, 3.9A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 58 mOhm @ 4.3A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 3V @ 250µA,

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Vishay Siliconix

SQ9945BEY-T1_GE3

भाग स्टक: 163985

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 60V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 5.4A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 64 mOhm @ 3.4A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.5V @ 250µA,

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Vishay Siliconix

SI7922DN-T1-E3

भाग स्टक: 86587

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 100V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 1.8A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 195 mOhm @ 2.5A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 3.5V @ 250µA,

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Vishay Siliconix

SIA923AEDJ-T1-GE3

भाग स्टक: 138927

FET प्रकार: 2 P-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 4.5A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 54 mOhm @ 3.8A, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 900mV @ 250µA,

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Vishay Siliconix

SQJ968EP-T1_GE3

भाग स्टक: 165139

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 60V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 23.5A (Tc), Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 33.6 mOhm @ 4.8A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.5V @ 250µA,

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Vishay Siliconix

SIZ710DT-T1-GE3

भाग स्टक: 110666

FET प्रकार: 2 N-Channel (Half Bridge), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 16A, 35A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 6.8 mOhm @ 19A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.2V @ 250µA,

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