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डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एर्रेहरू

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VS-MBR4060WTPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MBR4060WTPBF

भाग स्टक: 26231

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 60V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 20A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 720mV @ 20A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VBT6045CBP-E3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division

VBT6045CBP-E3/8W

भाग स्टक: 39567

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 45V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 30A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 640mV @ 30A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VS-20CTQ045-1PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-20CTQ045-1PBF

भाग स्टक: 76925

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 45V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 20A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 760mV @ 20A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VS-20CTQ150S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-20CTQ150S-M3

भाग स्टक: 92599

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 150V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 10A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 880mV @ 10A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VS-HFA30TA60C-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-HFA30TA60C-M3

भाग स्टक: 5325

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 15A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 2V @ 30A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VS-MUR2020CT-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MUR2020CT-M3

भाग स्टक: 2452

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 10A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.15V @ 16A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VB20150C-E3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division

VB20150C-E3/8W

भाग स्टक: 75197

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 150V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 10A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.2V @ 10A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VF20100C-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division

VF20100C-E3/4W

भाग स्टक: 45218

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 10A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 790mV @ 10A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
MBRF20H100CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBRF20H100CT-E3/45

भाग स्टक: 32446

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 10A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 770mV @ 10A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
V40120C-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division

V40120C-E3/4W

भाग स्टक: 63153

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 120V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 20A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 880mV @ 20A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VB20100C-E3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division

VB20100C-E3/8W

भाग स्टक: 63336

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 10A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 790mV @ 10A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VS-403CNQ100PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-403CNQ100PBF

भाग स्टक: 1867

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 200A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 840mV @ 200A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VS-20CTQ150SPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-20CTQ150SPBF

भाग स्टक: 24752

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 150V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 10A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1V @ 20A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VS-STPS40L40CWPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-STPS40L40CWPBF

भाग स्टक: 21246

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 40V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 20A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 530mV @ 20A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VS-30CTQ045PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-30CTQ045PBF

भाग स्टक: 25973

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 45V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 15A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 620mV @ 15A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VB40150C-E3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division

VB40150C-E3/8W

भाग स्टक: 55541

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 150V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 20A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.43V @ 20A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VB60120C-E3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division

VB60120C-E3/8W

भाग स्टक: 47443

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 120V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 30A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 950mV @ 30A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VS-82CNQ030APBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-82CNQ030APBF

भाग स्टक: 4454

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 30V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 40A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 550mV @ 80A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VS-HFA16PA120CPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-HFA16PA120CPBF

भाग स्टक: 10054

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1200V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 8A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 3.3V @ 8A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VI30200C-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division

VI30200C-E3/4W

भाग स्टक: 26975

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 15A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.1V @ 15A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VS-30CTQ060PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-30CTQ060PBF

भाग स्टक: 28359

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 60V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 15A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 620mV @ 15A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VS-HFA08TA60C-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-HFA08TA60C-M3

भाग स्टक: 5131

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 4A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 2.2V @ 8A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VS-80CNQ045APBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-80CNQ045APBF

भाग स्टक: 5158

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 45V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 40A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 520mV @ 40A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VS-RA160FA120
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-RA160FA120

भाग स्टक: 1066

डायोड कन्फिगरेसन: 2 Independent, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1200V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 91A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.27V @ 100A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VBT2080C-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division

VBT2080C-E3/4W

भाग स्टक: 55529

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 80V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 10A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 810mV @ 10A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VS-UFB280FA40
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-UFB280FA40

भाग स्टक: 2587

डायोड कन्फिगरेसन: 2 Independent, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 400V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 170A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.24V @ 100A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
MBR1545CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBR1545CT-E3/45

भाग स्टक: 77969

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 45V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 7.5A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 570mV @ 7.5A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VB20200G-E3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division

VB20200G-E3/8W

भाग स्टक: 78584

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 10A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.7V @ 10A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VS-VSUD360CW40
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSUD360CW40

भाग स्टक: 1637

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 400V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 510A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.5V @ 360A,

इच्छा सुची
VS-QA250FA20
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-QA250FA20

भाग स्टक: 3447

डायोड कन्फिगरेसन: 2 Independent, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 250A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.2V @ 200A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
MBRB2045CT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBRB2045CT-E3/81

भाग स्टक: 79585

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 45V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 10A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 650mV @ 10A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VS-HFA16TA60CS-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-HFA16TA60CS-M3

भाग स्टक: 4342

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 8A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 2.1V @ 16A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VS-63CPQ100PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-63CPQ100PBF

भाग स्टक: 13155

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 30A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 770mV @ 30A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VI40120C-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division

VI40120C-E3/4W

भाग स्टक: 26790

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 120V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 20A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 880mV @ 20A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VB20200C-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division

VB20200C-E3/4W

भाग स्टक: 42649

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 10A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.6V @ 10A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VBT30L60C-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division

VBT30L60C-E3/4W

भाग स्टक: 34546

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 60V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 15A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 600mV @ 15A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची