ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल | असक्रिय अर्धचालक उत्पादनहरू | 11

2SC2229-Y,F(J

भाग स्टक: 6978

ट्रान्जिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 50mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 150V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 500mV @ 1mA, 10mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229-Y(TE6,F,M)

भाग स्टक: 6957

ट्रान्जिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 50mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 150V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 500mV @ 1mA, 10mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229-Y(T6SAN2FM

भाग स्टक: 7016

ट्रान्जिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 50mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 150V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 500mV @ 1mA, 10mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229-Y(T6ONK1FM

भाग स्टक: 6992

ट्रान्जिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 50mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 150V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 500mV @ 1mA, 10mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229-Y(SHP1,F,M

भाग स्टक: 6990

ट्रान्जिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 50mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 150V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 500mV @ 1mA, 10mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229-Y(SAN2,F,M

भाग स्टक: 7022

ट्रान्जिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 50mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 150V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 500mV @ 1mA, 10mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229-Y(SHP,F,M)

भाग स्टक: 7021

ट्रान्जिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 50mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 150V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 500mV @ 1mA, 10mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229-Y(MIT,F,M)

भाग स्टक: 6703

ट्रान्जिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 50mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 150V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 500mV @ 1mA, 10mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229-Y(MIT1,F,M

भाग स्टक: 6975

ट्रान्जिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 50mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 150V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 500mV @ 1mA, 10mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

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2SC2229-O(T6SHP1FM

भाग स्टक: 7020

ट्रान्जिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 50mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 150V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 500mV @ 1mA, 10mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

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2SC2229-O(TE6,F,M)

भाग स्टक: 7022

ट्रान्जिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 50mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 150V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 500mV @ 1mA, 10mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229-O(T6SAN2FM

भाग स्टक: 6954

ट्रान्जिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 50mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 150V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 500mV @ 1mA, 10mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229-O(T6MIT1FM

भाग स्टक: 6948

ट्रान्जिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 50mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 150V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 500mV @ 1mA, 10mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229-O(SHP1,F,M

भाग स्टक: 6990

ट्रान्जिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 50mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 150V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 500mV @ 1mA, 10mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

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2SC2229-O(SHP,F,M)

भाग स्टक: 6947

ट्रान्जिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 50mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 150V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 500mV @ 1mA, 10mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

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2SC2229-O(MITIF,M)

भाग स्टक: 7035

ट्रान्जिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 50mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 150V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 500mV @ 1mA, 10mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

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2SC2229-O(MIT1F,M)

भाग स्टक: 7005

ट्रान्जिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 50mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 150V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 500mV @ 1mA, 10mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229(TE6SAN1F,M

भाग स्टक: 6999

ट्रान्जिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 50mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 150V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 500mV @ 1mA, 10mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SC1627A-O,PASF(M

भाग स्टक: 7004

ट्रान्जिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 400mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 80V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 400mV @ 20mA, 200A, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 70 @ 50mA, 2V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SC1627A-Y,PASF(M

भाग स्टक: 6754

ट्रान्जिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 400mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 80V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 400mV @ 20mA, 200A, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 70 @ 50mA, 2V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SB1495,Q(M

भाग स्टक: 6942

ट्रान्जिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 3A, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 100V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 1.5V @ 1.5mA, 1.5A, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 10µA (ICBO), DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 2000 @ 2A, 2V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SB1495,Q(J

भाग स्टक: 6995

ट्रान्जिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 3A, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 100V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 1.5V @ 1.5mA, 1.5A, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 10µA (ICBO), DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 2000 @ 2A, 2V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SB1457,T6YMEF(M

भाग स्टक: 7000

ट्रान्जिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 2A, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 100V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 1.5V @ 1mA, 1A, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 10µA (ICBO), DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 2000 @ 1A, 2V,

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2SB1481(TOJS,Q,M)

भाग स्टक: 6996

ट्रान्जिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 4A, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 100V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 1.5V @ 6mA, 3A, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 2µA (ICBO), DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 2000 @ 3A, 2V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SB1457,T6TOTOF(J

भाग स्टक: 6949

ट्रान्जिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 2A, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 100V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 1.5V @ 1mA, 1A, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 10µA (ICBO), DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 2000 @ 1A, 2V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SB1457(TE6,F,M)

भाग स्टक: 6958

ट्रान्जिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 2A, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 100V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 1.5V @ 1mA, 1A, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 10µA (ICBO), DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 2000 @ 1A, 2V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SB1457(T6CNO,A,F)

भाग स्टक: 6947

ट्रान्जिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 2A, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 100V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 1.5V @ 1mA, 1A, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 10µA (ICBO), DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 2000 @ 1A, 2V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SB1375,CLARIONF(M

भाग स्टक: 6980

ट्रान्जिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 3A, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 60V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 1.5V @ 200mA, 2A, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 10µA (ICBO), DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 100 @ 500mA, 5V,

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2SB1457(T6CANO,F,M

भाग स्टक: 7012

ट्रान्जिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 2A, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 100V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 1.5V @ 1mA, 1A, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 10µA (ICBO), DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 2000 @ 1A, 2V,

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2SA965-Y,T6KOJPF(J

भाग स्टक: 6968

ट्रान्जिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 800mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 120V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 1V @ 50mA, 500mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 80 @ 100mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SA965-Y,T6F(J

भाग स्टक: 7012

ट्रान्जिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 800mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 120V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 1V @ 50mA, 500mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 80 @ 100mA, 5V,

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2SA965-Y,SWFF(M

भाग स्टक: 6956

ट्रान्जिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 800mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 120V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 1V @ 50mA, 500mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 80 @ 100mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SA965-Y,F(J

भाग स्टक: 6980

ट्रान्जिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 800mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 120V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 1V @ 50mA, 500mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 80 @ 100mA, 5V,

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2SA965-Y(T6CANO,FM

भाग स्टक: 6968

ट्रान्जिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 800mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 120V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 1V @ 50mA, 500mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 80 @ 100mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SA965-Y(F,M)

भाग स्टक: 7009

ट्रान्जिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 800mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 120V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 1V @ 50mA, 500mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 80 @ 100mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SA965-O,F(J

भाग स्टक: 6956

ट्रान्जिस्टर प्रकार: PNP, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 800mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 120V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 1V @ 50mA, 500mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 80 @ 100mA, 5V,

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