ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपोलर (बीज्ट) - एकल, पूर्व-पक्

घर
ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपोलर (बीज्ट) - एकल, पूर्व-पक्

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1115,LF(CT

भाग स्टक: 116693

ट्रान्जिस्टर प्रकार: NPN - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, प्रतिरोधक - बेस (R1): 2.2 kOhms, प्रतिरोधकर्ता - इमिटर बेस (R2): 10 kOhms, DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

इच्छा सुची

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1426TE85LF

भाग स्टक: 126115

ट्रान्जिस्टर प्रकार: NPN - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 800mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, प्रतिरोधक - बेस (R1): 1 kOhms, प्रतिरोधकर्ता - इमिटर बेस (R2): 10 kOhms, DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 90 @ 100mA, 1V,

इच्छा सुची

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1401,LF

भाग स्टक: 151885

ट्रान्जिस्टर प्रकार: NPN - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, प्रतिरोधक - बेस (R1): 4.7 kOhms, प्रतिरोधकर्ता - इमिटर बेस (R2): 4.7 kOhms, DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

इच्छा सुची

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1111,LF(CT

भाग स्टक: 113

ट्रान्जिस्टर प्रकार: NPN - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, प्रतिरोधक - बेस (R1): 10 kOhms, DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

इच्छा सुची

RN2317(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2317(TE85L,F)

भाग स्टक: 180586

ट्रान्जिस्टर प्रकार: PNP - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, प्रतिरोधक - बेस (R1): 10 kOhms, प्रतिरोधकर्ता - इमिटर बेस (R2): 4.7 kOhms, DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

इच्छा सुची

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1130MFV,L3F

भाग स्टक: 140527

ट्रान्जिस्टर प्रकार: NPN - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, प्रतिरोधक - बेस (R1): 100 kOhms, प्रतिरोधकर्ता - इमिटर बेस (R2): 100 kOhms, DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 100 @ 10mA, 5V,

इच्छा सुची

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2108MFV,L3F

भाग स्टक: 149

ट्रान्जिस्टर प्रकार: PNP - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, प्रतिरोधक - बेस (R1): 22 kOhms, प्रतिरोधकर्ता - इमिटर बेस (R2): 47 kOhms, DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

इच्छा सुची

RN2103(T5L,F,T)

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2103(T5L,F,T)

भाग स्टक: 2147

ट्रान्जिस्टर प्रकार: PNP - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, प्रतिरोधक - बेस (R1): 22 kOhms, प्रतिरोधकर्ता - इमिटर बेस (R2): 22 kOhms, DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

इच्छा सुची

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1104T5LFT

भाग स्टक: 2144

ट्रान्जिस्टर प्रकार: NPN - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, प्रतिरोधक - बेस (R1): 47 kOhms, प्रतिरोधकर्ता - इमिटर बेस (R2): 47 kOhms, DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

इच्छा सुची

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1409,LF

भाग स्टक: 120898

ट्रान्जिस्टर प्रकार: NPN - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, प्रतिरोधक - बेस (R1): 47 kOhms, प्रतिरोधकर्ता - इमिटर बेस (R2): 22 kOhms, DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

इच्छा सुची

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2302,LF

भाग स्टक: 145

ट्रान्जिस्टर प्रकार: PNP - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, प्रतिरोधक - बेस (R1): 10 kOhms, प्रतिरोधकर्ता - इमिटर बेस (R2): 10 kOhms, DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

इच्छा सुची

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2403,LF

भाग स्टक: 88

ट्रान्जिस्टर प्रकार: PNP - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, प्रतिरोधक - बेस (R1): 22 kOhms, प्रतिरोधकर्ता - इमिटर बेस (R2): 22 kOhms, DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

इच्छा सुची

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2110MFV,L3F

भाग स्टक: 174

ट्रान्जिस्टर प्रकार: PNP - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, प्रतिरोधक - बेस (R1): 4.7 kOhms, DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

इच्छा सुची

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1427TE85LF

भाग स्टक: 108821

ट्रान्जिस्टर प्रकार: NPN - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 800mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, प्रतिरोधक - बेस (R1): 2.2 kOhms, प्रतिरोधकर्ता - इमिटर बेस (R2): 10 kOhms, DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 90 @ 100mA, 1V,

इच्छा सुची

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1315,LF

भाग स्टक: 166

ट्रान्जिस्टर प्रकार: NPN - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, प्रतिरोधक - बेस (R1): 2.2 kOhms, प्रतिरोधकर्ता - इमिटर बेस (R2): 10 kOhms, DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

इच्छा सुची

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2412TE85LF

भाग स्टक: 119344

ट्रान्जिस्टर प्रकार: PNP - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, प्रतिरोधक - बेस (R1): 22 kOhms, DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

इच्छा सुची

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2409,LF

भाग स्टक: 182087

ट्रान्जिस्टर प्रकार: PNP - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, प्रतिरोधक - बेस (R1): 47 kOhms, प्रतिरोधकर्ता - इमिटर बेस (R2): 22 kOhms, DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

इच्छा सुची

RN2109ACT(TPL3)

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2109ACT(TPL3)

भाग स्टक: 2148

ट्रान्जिस्टर प्रकार: PNP - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 80mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, प्रतिरोधक - बेस (R1): 47 kOhms, प्रतिरोधकर्ता - इमिटर बेस (R2): 22 kOhms, DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

इच्छा सुची

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1307,LF

भाग स्टक: 145

ट्रान्जिस्टर प्रकार: NPN - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, प्रतिरोधक - बेस (R1): 10 kOhms, प्रतिरोधकर्ता - इमिटर बेस (R2): 47 kOhms, DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

इच्छा सुची

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1302,LF

भाग स्टक: 2227

ट्रान्जिस्टर प्रकार: NPN - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, प्रतिरोधक - बेस (R1): 10 kOhms, प्रतिरोधकर्ता - इमिटर बेस (R2): 10 kOhms, DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

इच्छा सुची

RN2308(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2308(TE85L,F)

भाग स्टक: 2150

ट्रान्जिस्टर प्रकार: PNP - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, प्रतिरोधक - बेस (R1): 22 kOhms, प्रतिरोधकर्ता - इमिटर बेस (R2): 47 kOhms, DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

इच्छा सुची

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1422TE85LF

भाग स्टक: 124907

ट्रान्जिस्टर प्रकार: NPN - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 800mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, प्रतिरोधक - बेस (R1): 2.2 kOhms, प्रतिरोधकर्ता - इमिटर बेस (R2): 2.2 kOhms, DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 65 @ 100mA, 1V,

इच्छा सुची

RN1114(T5L,F,T)

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1114(T5L,F,T)

भाग स्टक: 2223

ट्रान्जिस्टर प्रकार: NPN - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, प्रतिरोधक - बेस (R1): 1 kOhms, प्रतिरोधकर्ता - इमिटर बेस (R2): 10 kOhms, DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

इच्छा सुची

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1109,LF(CT

भाग स्टक: 140640

ट्रान्जिस्टर प्रकार: NPN - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, प्रतिरोधक - बेस (R1): 47 kOhms, प्रतिरोधकर्ता - इमिटर बेस (R2): 22 kOhms, DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

इच्छा सुची

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2116,LF(CT

भाग स्टक: 149505

ट्रान्जिस्टर प्रकार: PNP - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, प्रतिरोधक - बेस (R1): 4.7 kOhms, प्रतिरोधकर्ता - इमिटर बेस (R2): 10 kOhms, DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

इच्छा सुची

RN1110ACT(TPL3)

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1110ACT(TPL3)

भाग स्टक: 3291

ट्रान्जिस्टर प्रकार: NPN - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 80mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, प्रतिरोधक - बेस (R1): 47 kOhms, DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

इच्छा सुची

RN2310(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2310(TE85L,F)

भाग स्टक: 174145

ट्रान्जिस्टर प्रकार: PNP - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, प्रतिरोधक - बेस (R1): 4.7 kOhms, DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

इच्छा सुची

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2102,LF(CT

भाग स्टक: 105795

ट्रान्जिस्टर प्रकार: PNP - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, प्रतिरोधक - बेस (R1): 10 kOhms, प्रतिरोधकर्ता - इमिटर बेस (R2): 10 kOhms, DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

इच्छा सुची

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1111MFV,L3F

भाग स्टक: 125

ट्रान्जिस्टर प्रकार: NPN - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, प्रतिरोधक - बेस (R1): 10 kOhms, DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

इच्छा सुची

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2427TE85LF

भाग स्टक: 131174

ट्रान्जिस्टर प्रकार: PNP - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 800mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, प्रतिरोधक - बेस (R1): 2.2 kOhms, प्रतिरोधकर्ता - इमिटर बेस (R2): 10 kOhms, DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 90 @ 100mA, 1V,

इच्छा सुची

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1442ATE85LF

भाग स्टक: 2201

ट्रान्जिस्टर प्रकार: NPN - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 300mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 20V, प्रतिरोधक - बेस (R1): 10 kOhms, DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 200 @ 4mA, 2V,

इच्छा सुची

RN2304(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2304(TE85L,F)

भाग स्टक: 192778

ट्रान्जिस्टर प्रकार: PNP - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, प्रतिरोधक - बेस (R1): 47 kOhms, प्रतिरोधकर्ता - इमिटर बेस (R2): 47 kOhms, DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

इच्छा सुची

RN1116(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1116(TE85L,F)

भाग स्टक: 2175

ट्रान्जिस्टर प्रकार: NPN - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, प्रतिरोधक - बेस (R1): 4.7 kOhms, प्रतिरोधकर्ता - इमिटर बेस (R2): 10 kOhms, DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

इच्छा सुची

RN1309(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1309(TE85L,F)

भाग स्टक: 2140

ट्रान्जिस्टर प्रकार: NPN - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, प्रतिरोधक - बेस (R1): 47 kOhms, प्रतिरोधकर्ता - इमिटर बेस (R2): 22 kOhms, DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

इच्छा सुची

RN2318(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2318(TE85L,F)

भाग स्टक: 150561

ट्रान्जिस्टर प्रकार: PNP - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, प्रतिरोधक - बेस (R1): 47 kOhms, प्रतिरोधकर्ता - इमिटर बेस (R2): 10 kOhms, DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

इच्छा सुची

RN1113ACT(TPL3)

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1113ACT(TPL3)

भाग स्टक: 2200

ट्रान्जिस्टर प्रकार: NPN - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 80mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, प्रतिरोधक - बेस (R1): 47 kOhms, DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

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