ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीजट) - आरएफ | असक्रिय अर्धचालक उत्पादनहरू | 1

2SC5087YTE85LF

भाग स्टक: 144

ट्रान्जिस्टर प्रकार: NPN, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 12V, फ्रिक्वेन्सी - संक्रमण: 7GHz, आवाज फिगर (dB प्रकार @ f): 1.1dB @ 1GHz, पाउनु: 13dB, पावर - अधिकतम: 150mW,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5084-O(TE85L,F)

भाग स्टक: 170

ट्रान्जिस्टर प्रकार: NPN, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 12V, फ्रिक्वेन्सी - संक्रमण: 7GHz, आवाज फिगर (dB प्रकार @ f): 1.1dB @ 1GHz, पाउनु: 11dB, पावर - अधिकतम: 150mW,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4215-Y(TE85L,F)

भाग स्टक: 171976

ट्रान्जिस्टर प्रकार: NPN, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 30V, फ्रिक्वेन्सी - संक्रमण: 550MHz, आवाज फिगर (dB प्रकार @ f): 2dB ~ 5dB @ 100MHz, पाउनु: 17dB ~ 23dB, पावर - अधिकतम: 100mW,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5066-O,LF

भाग स्टक: 111075

ट्रान्जिस्टर प्रकार: NPN, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 12V, फ्रिक्वेन्सी - संक्रमण: 7GHz, आवाज फिगर (dB प्रकार @ f): 1dB @ 500MHz, पावर - अधिकतम: 100mW,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5085-Y(TE85L,F)

भाग स्टक: 128600

ट्रान्जिस्टर प्रकार: NPN, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 12V, फ्रिक्वेन्सी - संक्रमण: 7GHz, आवाज फिगर (dB प्रकार @ f): 1.1dB @ 1GHz, पाउनु: 11dB ~ 16.5dB, पावर - अधिकतम: 100mW,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5086-O,LF

भाग स्टक: 121034

ट्रान्जिस्टर प्रकार: NPN, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 12V, फ्रिक्वेन्सी - संक्रमण: 7GHz, आवाज फिगर (dB प्रकार @ f): 1dB @ 500MHz, पावर - अधिकतम: 100mW,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5065-O(TE85L,F)

भाग स्टक: 190

ट्रान्जिस्टर प्रकार: NPN, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 12V, फ्रिक्वेन्सी - संक्रमण: 7GHz, आवाज फिगर (dB प्रकार @ f): 1dB @ 500MHz, पावर - अधिकतम: 100mW,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5085-O(TE85L,F)

भाग स्टक: 170

ट्रान्जिस्टर प्रकार: NPN, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 12V, फ्रिक्वेन्सी - संक्रमण: 7GHz, आवाज फिगर (dB प्रकार @ f): 1dB @ 500MHz, पावर - अधिकतम: 100mW,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5095-O(TE85L,F)

भाग स्टक: 187

ट्रान्जिस्टर प्रकार: NPN, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 10V, फ्रिक्वेन्सी - संक्रमण: 10GHz, आवाज फिगर (dB प्रकार @ f): 1.8dB @ 2GHz, पाउनु: 13dB ~ 7dB, पावर - अधिकतम: 100mW,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5086-Y,LF

भाग स्टक: 173074

ट्रान्जिस्टर प्रकार: NPN, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 12V, फ्रिक्वेन्सी - संक्रमण: 7GHz, आवाज फिगर (dB प्रकार @ f): 1dB @ 500MHz, पावर - अधिकतम: 100mW,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5095-R(TE85L,F)

भाग स्टक: 128

ट्रान्जिस्टर प्रकार: NPN, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 10V, फ्रिक्वेन्सी - संक्रमण: 10GHz, आवाज फिगर (dB प्रकार @ f): 1.8dB @ 2GHz, पाउनु: 13dB ~ 7.5dB, पावर - अधिकतम: 100mW,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4915-O,LF

भाग स्टक: 124837

ट्रान्जिस्टर प्रकार: NPN, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 30V, फ्रिक्वेन्सी - संक्रमण: 550MHz, आवाज फिगर (dB प्रकार @ f): 2.3dB ~ 5dB @ 100MHz, पाउनु: 17dB ~ 23dB, पावर - अधिकतम: 100mW,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5084YTE85LF

भाग स्टक: 152602

ट्रान्जिस्टर प्रकार: NPN, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 12V, फ्रिक्वेन्सी - संक्रमण: 7GHz, आवाज फिगर (dB प्रकार @ f): 1.1dB @ 1GHz, पाउनु: 11dB, पावर - अधिकतम: 150mW,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5087-O(TE85L,F)

भाग स्टक: 162523

ट्रान्जिस्टर प्रकार: NPN, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 12V, फ्रिक्वेन्सी - संक्रमण: 7GHz, आवाज फिगर (dB प्रकार @ f): 1dB ~ 1.1dB @ 500MHz ~ 1GHz, पावर - अधिकतम: 150mW,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5066-Y,LF

भाग स्टक: 133840

ट्रान्जिस्टर प्रकार: NPN, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 12V, फ्रिक्वेन्सी - संक्रमण: 7GHz, आवाज फिगर (dB प्रकार @ f): 1dB @ 500MHz, पावर - अधिकतम: 100mW,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2714-Y(TE85L,F)

भाग स्टक: 132303

ट्रान्जिस्टर प्रकार: NPN, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 30V, फ्रिक्वेन्सी - संक्रमण: 550MHz, आवाज फिगर (dB प्रकार @ f): 2.5dB @ 100MHz, पाउनु: 23dB, पावर - अधिकतम: 100mW,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5087R(TE85L,F)

भाग स्टक: 156257

ट्रान्जिस्टर प्रकार: NPN, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 12V, फ्रिक्वेन्सी - संक्रमण: 8GHz, आवाज फिगर (dB प्रकार @ f): 1.1dB ~ 2dB @ 1GHz, पावर - अधिकतम: 150mW,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5065-Y(TE85L,F)

भाग स्टक: 190913

ट्रान्जिस्टर प्रकार: NPN, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 12V, फ्रिक्वेन्सी - संक्रमण: 7GHz, आवाज फिगर (dB प्रकार @ f): 1.1dB @ 1GHz, पाउनु: 12dB ~ 17dB, पावर - अधिकतम: 100mW,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2714-O(TE85L,F)

भाग स्टक: 167393

ट्रान्जिस्टर प्रकार: NPN, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 30V, फ्रिक्वेन्सी - संक्रमण: 550MHz, आवाज फिगर (dB प्रकार @ f): 2.5dB @ 100MHz, पाउनु: 23dB, पावर - अधिकतम: 100mW,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5088-O(TE85L,F)

भाग स्टक: 7295

ट्रान्जिस्टर प्रकार: NPN, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 12V, फ्रिक्वेन्सी - संक्रमण: 7GHz, आवाज फिगर (dB प्रकार @ f): 1dB @ 500MHz, पाउनु: 18dB, पावर - अधिकतम: 100mW,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5108-Y,LF

भाग स्टक: 4783

ट्रान्जिस्टर प्रकार: NPN, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 10V, फ्रिक्वेन्सी - संक्रमण: 6GHz, पाउनु: 11dB, पावर - अधिकतम: 100mW,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4915-Y,LF

भाग स्टक: 7101

ट्रान्जिस्टर प्रकार: NPN, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 30V, फ्रिक्वेन्सी - संक्रमण: 550MHz, आवाज फिगर (dB प्रकार @ f): 2.3dB ~ 5dB @ 100MHz, पाउनु: 17dB ~ 23dB, पावर - अधिकतम: 100mW,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5096-R,LF

भाग स्टक: 7064

ट्रान्जिस्टर प्रकार: NPN, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 10V, फ्रिक्वेन्सी - संक्रमण: 10GHz, आवाज फिगर (dB प्रकार @ f): 1.4dB @ 1GHz, पाउनु: 1.4dB, पावर - अधिकतम: 100mW,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4215-O(TE85L,F)

भाग स्टक: 160292

ट्रान्जिस्टर प्रकार: NPN, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 30V, फ्रिक्वेन्सी - संक्रमण: 550MHz, आवाज फिगर (dB प्रकार @ f): 5dB @ 100MHz, पाउनु: 23dB, पावर - अधिकतम: 100mW,

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Toshiba Semiconductor and Storage

MT3S111(TE85L,F)

भाग स्टक: 91

ट्रान्जिस्टर प्रकार: NPN, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 6V, फ्रिक्वेन्सी - संक्रमण: 11.5GHz, आवाज फिगर (dB प्रकार @ f): 1.2dB @ 1GHz, पाउनु: 12dB, पावर - अधिकतम: 700mW,

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Toshiba Semiconductor and Storage

MT3S111P(TE12L,F)

भाग स्टक: 18982

ट्रान्जिस्टर प्रकार: NPN, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 6V, फ्रिक्वेन्सी - संक्रमण: 8GHz, आवाज फिगर (dB प्रकार @ f): 1.25dB @ 1GHz, पाउनु: 10.5dB, पावर - अधिकतम: 1W,

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Toshiba Semiconductor and Storage

MT3S113P(TE12L,F)

भाग स्टक: 4314

ट्रान्जिस्टर प्रकार: NPN, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 5.3V, फ्रिक्वेन्सी - संक्रमण: 7.7GHz, आवाज फिगर (dB प्रकार @ f): 1.45dB @ 1GHz, पाउनु: 10.5dB, पावर - अधिकतम: 1.6W,

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Toshiba Semiconductor and Storage

MT3S113(TE85L,F)

भाग स्टक: 9921

ट्रान्जिस्टर प्रकार: NPN, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 5.3V, फ्रिक्वेन्सी - संक्रमण: 12.5GHz, आवाज फिगर (dB प्रकार @ f): 1.45dB @ 1GHz, पाउनु: 11.8dB, पावर - अधिकतम: 800mW,

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Toshiba Semiconductor and Storage

MT3S20P(TE12L,F)

भाग स्टक: 4313

ट्रान्जिस्टर प्रकार: NPN, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 12V, फ्रिक्वेन्सी - संक्रमण: 7GHz, आवाज फिगर (dB प्रकार @ f): 1.45dB @ 1GHz, पाउनु: 16.5dB, पावर - अधिकतम: 1.8W,

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Toshiba Semiconductor and Storage

MT3S20TU(TE85L)

भाग स्टक: 135

ट्रान्जिस्टर प्रकार: NPN, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 12V, फ्रिक्वेन्सी - संक्रमण: 7GHz, आवाज फिगर (dB प्रकार @ f): 1.45dB @ 20mA, 5V, पाउनु: 12dB, पावर - अधिकतम: 900mW,

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Toshiba Semiconductor and Storage

MT3S113TU,LF

भाग स्टक: 9992

ट्रान्जिस्टर प्रकार: NPN, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 5.3V, फ्रिक्वेन्सी - संक्रमण: 11.2GHz, आवाज फिगर (dB प्रकार @ f): 1.45dB @ 1GHz, पाउनु: 12.5dB, पावर - अधिकतम: 900mW,

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Toshiba Semiconductor and Storage

MT3S16U(TE85L,F)

भाग स्टक: 176440

ट्रान्जिस्टर प्रकार: NPN, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 5V, फ्रिक्वेन्सी - संक्रमण: 4GHz, आवाज फिगर (dB प्रकार @ f): 2.4dB @ 1GHz, पाउनु: 4.5dBi, पावर - अधिकतम: 100mW,

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Toshiba Semiconductor and Storage

HN3C10FUTE85LF

भाग स्टक: 7065

ट्रान्जिस्टर प्रकार: 2 NPN (Dual), भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 12V, फ्रिक्वेन्सी - संक्रमण: 7GHz, आवाज फिगर (dB प्रकार @ f): 1.1dB @ 1GHz, पाउनु: 11.5dB, पावर - अधिकतम: 200mW,

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