ट्रान्जिस्टरहरू - JFETs | असक्रिय अर्धचालक उत्पादनहरू | 1

2SK879-Y(TE85L,F)

भाग स्टक: 198791

FET प्रकार: N-Channel, हाल - ड्रेन (आईडीएसएस) @ वीडीएस (Vgs = ०): 1.2mA @ 10V, भोल्टेज - कटऑफ (VGS बन्द) @ आईडी: 400mV @ 100nA,

इच्छा सुची

Toshiba Semiconductor and Storage

2SK2145-GR(TE85L,F

भाग स्टक: 405

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), हाल - ड्रेन (आईडीएसएस) @ वीडीएस (Vgs = ०): 2.6mA @ 10V, भोल्टेज - कटऑफ (VGS बन्द) @ आईडी: 200mV @ 100nA,

इच्छा सुची

Toshiba Semiconductor and Storage

2SK879-GR(TE85L,F)

भाग स्टक: 389

FET प्रकार: N-Channel, हाल - ड्रेन (आईडीएसएस) @ वीडीएस (Vgs = ०): 2.6mA @ 10V, भोल्टेज - कटऑफ (VGS बन्द) @ आईडी: 400mV @ 100nA,

इच्छा सुची

Toshiba Semiconductor and Storage

2SK208-O(TE85L,F)

भाग स्टक: 342

FET प्रकार: N-Channel, हाल - ड्रेन (आईडीएसएस) @ वीडीएस (Vgs = ०): 600µA @ 10V, भोल्टेज - कटऑफ (VGS बन्द) @ आईडी: 400mV @ 100nA,

इच्छा सुची

Toshiba Semiconductor and Storage

2SK208-GR(TE85L,F)

भाग स्टक: 340

FET प्रकार: N-Channel, हाल - ड्रेन (आईडीएसएस) @ वीडीएस (Vgs = ०): 2.6mA @ 10V, भोल्टेज - कटऑफ (VGS बन्द) @ आईडी: 400mV @ 100nA,

इच्छा सुची

Toshiba Semiconductor and Storage

2SK2145-Y(TE85L,F)

भाग स्टक: 123563

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), हाल - ड्रेन (आईडीएसएस) @ वीडीएस (Vgs = ०): 1.2mA @ 10V, भोल्टेज - कटऑफ (VGS बन्द) @ आईडी: 200mV @ 100nA,

इच्छा सुची

Toshiba Semiconductor and Storage

2SK880-BL(TE85L,F)

भाग स्टक: 403

FET प्रकार: N-Channel, भोल्टेज - ब्रेकडाउन (V (BR) GSS): 50V, हाल - ड्रेन (आईडीएसएस) @ वीडीएस (Vgs = ०): 6mA @ 10V, भोल्टेज - कटऑफ (VGS बन्द) @ आईडी: 1.5V @ 100nA,

इच्छा सुची

Toshiba Semiconductor and Storage

2SK880GRTE85LF

भाग स्टक: 100454

FET प्रकार: N-Channel, भोल्टेज - ब्रेकडाउन (V (BR) GSS): 50V, हाल - ड्रेन (आईडीएसएस) @ वीडीएस (Vgs = ०): 2.6mA @ 10V, भोल्टेज - कटऑफ (VGS बन्द) @ आईडी: 1.5V @ 100nA,

इच्छा सुची

Toshiba Semiconductor and Storage

2SK208-Y(TE85L,F)

भाग स्टक: 407

FET प्रकार: N-Channel, हाल - ड्रेन (आईडीएसएस) @ वीडीएस (Vgs = ०): 1.2mA @ 10V, भोल्टेज - कटऑफ (VGS बन्द) @ आईडी: 400mV @ 100nA,

इच्छा सुची

Toshiba Semiconductor and Storage

2SK3320-BL(TE85L,F

भाग स्टक: 9964

FET प्रकार: N-Channel, हाल - ड्रेन (आईडीएसएस) @ वीडीएस (Vgs = ०): 6mA @ 10V, भोल्टेज - कटऑफ (VGS बन्द) @ आईडी: 200mV @ 100nA,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SK2145-BL(TE85L,F

भाग स्टक: 177718

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), हाल - ड्रेन (आईडीएसएस) @ वीडीएस (Vgs = ०): 6mA @ 10V, भोल्टेज - कटऑफ (VGS बन्द) @ आईडी: 200mV @ 100nA,

इच्छा सुची

Toshiba Semiconductor and Storage

2SK208-R(TE85L,F)

भाग स्टक: 9975

FET प्रकार: N-Channel, हाल - ड्रेन (आईडीएसएस) @ वीडीएस (Vgs = ०): 300µA @ 10V, भोल्टेज - कटऑफ (VGS बन्द) @ आईडी: 400mV @ 100nA,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SK3320-Y(TE85L,F)

भाग स्टक: 3488

FET प्रकार: N-Channel, हाल - ड्रेन (आईडीएसएस) @ वीडीएस (Vgs = ०): 1.2mA @ 10V, भोल्टेज - कटऑफ (VGS बन्द) @ आईडी: 200mV @ 100nA,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SK880-Y(TE85L,F)

भाग स्टक: 110749

FET प्रकार: N-Channel, भोल्टेज - ब्रेकडाउन (V (BR) GSS): 50V, हाल - ड्रेन (आईडीएसएस) @ वीडीएस (Vgs = ०): 1.2mA @ 10V, भोल्टेज - कटऑफ (VGS बन्द) @ आईडी: 1.5V @ 100nA,

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