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ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल

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  • ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल
2SD2695(T6CNO,A,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SD2695(T6CNO,A,F)

भाग स्टक: 7027

ट्रान्जिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 2A, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 60V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 1.5V @ 1mA, 1A, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 10µA (ICBO), DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 2000 @ 1A, 2V,

इच्छा सुची
2SD2695(T6CANO,F,M
Toshiba Semiconductor and Storage

2SD2695(T6CANO,F,M

भाग स्टक: 7067

ट्रान्जिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 2A, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 60V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 1.5V @ 1mA, 1A, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 10µA (ICBO), DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 2000 @ 1A, 2V,

इच्छा सुची
2SD2695(T6CANO,A,F
Toshiba Semiconductor and Storage

2SD2695(T6CANO,A,F

भाग स्टक: 6998

ट्रान्जिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 2A, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 60V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 1.5V @ 1mA, 1A, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 10µA (ICBO), DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 2000 @ 1A, 2V,

इच्छा सुची
2SD2257,NIKKIQ(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SD2257,NIKKIQ(J

भाग स्टक: 7056

ट्रान्जिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 3A, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 100V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 1.5V @ 1.5mA, 1.5A, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 10µA (ICBO), DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 2000 @ 2A, 2V,

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2SD2257,Q(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SD2257,Q(J

भाग स्टक: 6993

ट्रान्जिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 3A, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 100V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 1.5V @ 1.5mA, 1.5A, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 10µA (ICBO), DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 2000 @ 2A, 2V,

इच्छा सुची
2SD2257(Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SD2257(Q,M)

भाग स्टक: 7066

ट्रान्जिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 3A, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 100V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 1.5V @ 1.5mA, 1.5A, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 10µA (ICBO), DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 2000 @ 2A, 2V,

इच्छा सुची
2SD2257,KEHINQ(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SD2257,KEHINQ(J

भाग स्टक: 6789

ट्रान्जिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 3A, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 100V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 1.5V @ 1.5mA, 1.5A, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 10µA (ICBO), DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 2000 @ 2A, 2V,

इच्छा सुची
2SD2257(CANO,A,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SD2257(CANO,A,Q)

भाग स्टक: 6792

ट्रान्जिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 3A, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 100V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 1.5V @ 1.5mA, 1.5A, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 10µA (ICBO), DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 2000 @ 2A, 2V,

इच्छा सुची
2SD2257(CANO,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SD2257(CANO,Q,M)

भाग स्टक: 6778

ट्रान्जिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 3A, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 100V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 1.5V @ 1.5mA, 1.5A, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 10µA (ICBO), DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 2000 @ 2A, 2V,

इच्छा सुची
2SD2206A(T6SEP,F,M
Toshiba Semiconductor and Storage

2SD2206A(T6SEP,F,M

भाग स्टक: 6989

ट्रान्जिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 2A, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 120V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 1.5V @ 1mA, 1A, DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 2000 @ 1A, 2V,

इच्छा सुची
2SD2206,T6F(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SD2206,T6F(J

भाग स्टक: 7064

ट्रान्जिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 2A, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 100V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 1.5V @ 1mA, 1A, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 10µA (ICBO), DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 2000 @ 1A, 2V,

इच्छा सुची
2SD2206(TE6,F,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SD2206(TE6,F,M)

भाग स्टक: 7008

ट्रान्जिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 2A, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 100V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 1.5V @ 1mA, 1A, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 10µA (ICBO), DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 2000 @ 1A, 2V,

इच्छा सुची
2SD2206(T6CNO,A,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SD2206(T6CNO,A,F)

भाग स्टक: 7045

ट्रान्जिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 2A, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 100V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 1.5V @ 1mA, 1A, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 10µA (ICBO), DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 2000 @ 1A, 2V,

इच्छा सुची
2SD2206(T6CANO,F,M
Toshiba Semiconductor and Storage

2SD2206(T6CANO,F,M

भाग स्टक: 7037

ट्रान्जिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 2A, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 100V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 1.5V @ 1mA, 1A, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 10µA (ICBO), DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 2000 @ 1A, 2V,

इच्छा सुची
2SD2129,ALPSQ(M
Toshiba Semiconductor and Storage

2SD2129,ALPSQ(M

भाग स्टक: 7039

ट्रान्जिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 3A, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 100V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 2V @ 12mA, 3A, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100µA (ICBO), DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 2000 @ 1.5A, 3V,

इच्छा सुची
2SD2129,LS4ALPSQ(M
Toshiba Semiconductor and Storage

2SD2129,LS4ALPSQ(M

भाग स्टक: 7003

ट्रान्जिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 3A, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 100V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 2V @ 12mA, 3A, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100µA (ICBO), DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 2000 @ 1.5A, 3V,

इच्छा सुची
2SC6042,T2WNLQ(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC6042,T2WNLQ(J

भाग स्टक: 7001

ट्रान्जिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 1A, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 375V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 1V @ 100mA, 800mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100µA (ICBO), DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

इच्छा सुची
2SC6139,T2F(M
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC6139,T2F(M

भाग स्टक: 6717

ट्रान्जिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 1.5A, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 160V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 500mV @ 50mA, 500mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 140 @ 100mA, 5V,

इच्छा सुची
2SC6040,T2Q(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC6040,T2Q(J

भाग स्टक: 7021

ट्रान्जिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 1A, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 800V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 1V @ 100mA, 800mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100µA (ICBO), DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 60 @ 100mA, 5V,

इच्छा सुची
2SC6042,T2HOSH1Q(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC6042,T2HOSH1Q(J

भाग स्टक: 7019

ट्रान्जिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 1A, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 375V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 1V @ 100mA, 800mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100µA (ICBO), DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

इच्छा सुची
2SC6010(T2MITUM,FM
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC6010(T2MITUM,FM

भाग स्टक: 6714

ट्रान्जिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 1A, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 600V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 1V @ 75mA, 600mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100µA (ICBO), DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

इच्छा सुची
2SC6040(TPF2,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC6040(TPF2,Q,M)

भाग स्टक: 7015

ट्रान्जिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 1A, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 800V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 1V @ 100mA, 800mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100µA (ICBO), DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 60 @ 100mA, 5V,

इच्छा सुची
2SC5930(TPF2,F,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5930(TPF2,F,M)

भाग स्टक: 6994

ट्रान्जिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 1A, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 600V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 1V @ 75mA, 600mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100µA (ICBO), DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 40 @ 200mA, 5V,

इच्छा सुची
2SC5930(T2MITUM,FM
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5930(T2MITUM,FM

भाग स्टक: 6971

ट्रान्जिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 1A, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 600V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 1V @ 75mA, 600mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100µA (ICBO), DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 40 @ 200mA, 5V,

इच्छा सुची
2SC5201,T6F(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5201,T6F(J

भाग स्टक: 6716

ट्रान्जिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 50mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 600V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 1V @ 500mA, 20mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 1µA (ICBO), DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 100 @ 20mA, 5V,

इच्छा सुची
2SC5201,T6MURAF(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5201,T6MURAF(J

भाग स्टक: 7019

ट्रान्जिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 50mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 600V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 1V @ 500mA, 20mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 1µA (ICBO), DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 100 @ 20mA, 5V,

इच्छा सुची
2SC5201,F(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5201,F(J

भाग स्टक: 6724

ट्रान्जिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 50mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 600V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 1V @ 500mA, 20mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 1µA (ICBO), DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 100 @ 20mA, 5V,

इच्छा सुची
2SC5201(TE6,F,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5201(TE6,F,M)

भाग स्टक: 6968

ट्रान्जिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 50mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 600V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 1V @ 500mA, 20mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 1µA (ICBO), DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 100 @ 20mA, 5V,

इच्छा सुची
2SC5172(YAZK,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5172(YAZK,Q,M)

भाग स्टक: 7006

ट्रान्जिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 5A, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 400V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 1V @ 250mA, 2A, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 20µA (ICBO), DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 20 @ 500mA, 5V,

इच्छा सुची
2SC5201(T6MURATAFM
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5201(T6MURATAFM

भाग स्टक: 7026

ट्रान्जिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 50mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 600V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 1V @ 500mA, 20mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 1µA (ICBO), DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 100 @ 20mA, 5V,

इच्छा सुची
2SC5171,Q(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5171,Q(J

भाग स्टक: 6967

ट्रान्जिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 2A, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 180V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 1V @ 100mA, 1A, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 5µA (ICBO), DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

इच्छा सुची
2SC5171,ONKQ(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5171,ONKQ(J

भाग स्टक: 6979

ट्रान्जिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 2A, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 180V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 1V @ 100mA, 1A, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 5µA (ICBO), DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

इच्छा सुची
2SC5171(ONK,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5171(ONK,Q,M)

भाग स्टक: 6992

ट्रान्जिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 2A, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 180V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 1V @ 100mA, 1A, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 5µA (ICBO), DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

इच्छा सुची
2SC5171,MATUDQ(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5171,MATUDQ(J

भाग स्टक: 7059

ट्रान्जिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 2A, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 180V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 1V @ 100mA, 1A, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 5µA (ICBO), DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

इच्छा सुची
2SC5171(LBS2MATQ,M
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5171(LBS2MATQ,M

भाग स्टक: 6988

ट्रान्जिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 2A, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 180V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 1V @ 100mA, 1A, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 5µA (ICBO), DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

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2SC4935-Y,Q(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4935-Y,Q(J

भाग स्टक: 7005

ट्रान्जिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 3A, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 600mV @ 200mA, 2A, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 1µA (ICBO), DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

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