ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एरेहरू | असक्रिय अर्धचालक उत्पादनहरू | 2

TPCF8402(TE85L,F,M

भाग स्टक: 2735

FET प्रकार: N and P-Channel, FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 4A, 3.2A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 50 mOhm @ 2A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2V @ 1mA,

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Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6L09FUTE85LF

भाग स्टक: 24307

FET प्रकार: N and P-Channel, FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 400mA, 200mA, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 700 mOhm @ 200MA, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1.8V @ 100µA,

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Toshiba Semiconductor and Storage

TPCL4201(TE85L,F)

भाग स्टक: 2892

FET प्रकार: 2 N-Channel (Half Bridge), FET फिचर: Standard, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1.2V @ 200µA,

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Toshiba Semiconductor and Storage

TPC8207(TE12L,Q)

भाग स्टक: 2742

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 6A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 20 mOhm @ 4.8A, 4V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1.2V @ 200µA,

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Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6L11TU(TE85L,F)

भाग स्टक: 2856

FET प्रकार: N and P-Channel, FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 500mA, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 145 mOhm @ 250MA, 4V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1.1V @ 100µA,

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Toshiba Semiconductor and Storage

TPCL4203(TE85L,F)

भाग स्टक: 3305

FET प्रकार: 2 N-Channel (Half Bridge), FET फिचर: Standard, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1.2V @ 200µA,

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Toshiba Semiconductor and Storage

TPC8221-H,LQ(S

भाग स्टक: 2821

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 6A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 25 mOhm @ 3A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.3V @ 100µA,

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Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6N7002BFU(T5L,F

भाग स्टक: 3306

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 60V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 200mA, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 2.1 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 3.1V @ 250µA,

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Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6P36FE,LM

भाग स्टक: 140070

FET प्रकार: 2 P-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 330mA, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 1.31 Ohm @ 100mA, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1V @ 1mA,

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Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6N48FU,LF

भाग स्टक: 3270

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 100mA (Ta), Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 3.2 Ohm @ 10mA, 4V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1.5V @ 100µA,

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Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6N39TU,LF

भाग स्टक: 2461

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 1.6A (Ta), Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 119 mOhm @ 1A, 4V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1V @ 1mA,

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Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6N35FE,LM

भाग स्टक: 102707

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 180mA, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 3 Ohm @ 50mA, 4V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1V @ 1mA,

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Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6N7002KFU,LF

भाग स्टक: 124781

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 60V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 300mA, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 1.5 Ohm @ 100mA, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.1V @ 250µA,

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Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6N43FU,LF

भाग स्टक: 176574

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, 1.5V Drive, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 500mA, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 630 mOhm @ 200mA, 5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1V @ 1mA,

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Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6L12TU,LF

भाग स्टक: 2495

FET प्रकार: N and P-Channel, FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 500mA (Ta), Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 145 mOhm @ 500mA, 4.5V, 260 mOhm @ 250mA, 4V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1.1V @ 100µA,

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Toshiba Semiconductor and Storage

TPC8408,LQ(S

भाग स्टक: 128587

FET प्रकार: N and P-Channel, FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 40V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 6.1A, 5.3A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 32 mOhm @ 3.1A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.3V @ 100µA,

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Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6N36FE,LM

भाग स्टक: 161424

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 500mA, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 630 mOhm @ 200mA, 5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1V @ 1mA,

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Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6N56FE,LM

भाग स्टक: 179879

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, 1.5V Drive, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 800mA, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 235 mOhm @ 800mA, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1V @ 1mA,

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Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6N15AFE,LM

भाग स्टक: 178067

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 100mA, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 4 Ohm @ 10mA, 4V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1.5V @ 100µA,

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Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6N15AFU,LF

भाग स्टक: 175270

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 100mA, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 3.6 Ohm @ 10mA, 4V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1.5V @ 100µA,

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Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6N58NU,LF

भाग स्टक: 111011

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, 1.8V Drive, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 4A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 84 mOhm @ 2A, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1V @ 1mA,

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Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6L16FETE85LF

भाग स्टक: 192590

FET प्रकार: N and P-Channel, FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 100mA, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 3 Ohm @ 10mA, 4V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1.1V @ 0.1mA,

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Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6N57NU,LF

भाग स्टक: 182932

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 4A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 46 mOhm @ 2A, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1V @ 1mA,

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Toshiba Semiconductor and Storage

TPC8407,LQ(S

भाग स्टक: 151036

FET प्रकार: N and P-Channel, FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 9A, 7.4A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 17 mOhm @ 4.5A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.3V @ 100µA,

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Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6N7002CFU,LF

भाग स्टक: 164511

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 60V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 170mA, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 3.9 Ohm @ 100mA, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.1V @ 250µA,

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Toshiba Semiconductor and Storage

TPC8223-H,LQ(S

भाग स्टक: 150969

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 9A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 17 mOhm @ 4.5A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.3V @ 100µA,

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Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6N44FE,LM

भाग स्टक: 105414

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 100mA, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 4 Ohm @ 10mA, 4V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1.5V @ 100µA,

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Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6N7002BFE,LM

भाग स्टक: 179839

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 60V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 200mA, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 2.1 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 3.1V @ 250µA,

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Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6L39TU,LF

भाग स्टक: 111677

FET प्रकार: N and P-Channel, FET फिचर: Logic Level Gate, 1.8V Drive, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 800mA, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 143 mOhm @ 600MA, 4V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1V @ 1mA,

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Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6N37FU,LF

भाग स्टक: 156819

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, 1.5V Drive, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 250mA (Ta), Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 2.2 Ohm @ 100mA, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1V @ 1mA,

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