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ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एरेहरू

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TPCL4202(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

TPCL4202(TE85L,F)

भाग स्टक: 2949

FET प्रकार: 2 N-Channel (Half Bridge), FET फिचर: Standard, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1.2V @ 200µA,

इच्छा सुची
TPCF8304(TE85L,F,M
Toshiba Semiconductor and Storage

TPCF8304(TE85L,F,M

भाग स्टक: 2938

FET प्रकार: 2 P-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 3.2A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 72 mOhm @ 1.6A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1.2V @ 1mA,

इच्छा सुची
SSM6L13TU(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6L13TU(T5L,F,T)

भाग स्टक: 2912

FET प्रकार: N and P-Channel, FET फिचर: Logic Level Gate, 1.8V Drive, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 800mA (Ta), Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 143 mOhm @ 600mA, 4V, 234 mOhm @ 600mA, 4V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1V @ 1mA,

इच्छा सुची
SSM6N48FU,RF(D
Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6N48FU,RF(D

भाग स्टक: 2967

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, 2.5V Drive, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 100mA (Ta), Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 3.2 Ohm @ 10mA, 4V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1.5V @ 100µA,

इच्छा सुची
SSM6N68NU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6N68NU,LF

भाग स्टक: 16268

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, 1.8V Drive, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 4A (Ta), Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 84 mOhm @ 2A, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1V @ 1mA,

इच्छा सुची
SSM6N35AFU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6N35AFU,LF

भाग स्टक: 9923

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 250mA (Ta), Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 1.1 Ohm @ 150mA, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1V @ 100µA,

इच्छा सुची
SSM6N42FE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6N42FE(TE85L,F)

भाग स्टक: 2976

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 800mA, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 240 mOhm @ 500mA, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1V @ 1mA,

इच्छा सुची
SSM6N815R,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6N815R,LF

भाग स्टक: 9939

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, 4V Drive, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 100V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 2A (Ta), Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 103 mOhm @ 2A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.5V @ 100µA,

इच्छा सुची
SSM6L35FE,LM
Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6L35FE,LM

भाग स्टक: 172252

FET प्रकार: N and P-Channel, FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 180mA, 100mA, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 3 Ohm @ 50mA, 4V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1V @ 1mA,

इच्छा सुची
SSM6N67NU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6N67NU,LF

भाग स्टक: 9963

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, 1.8V Drive, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 4A (Ta), Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 39.1 mOhm @ 2A, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1V @ 1mA,

इच्छा सुची
SSM6N35AFE,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6N35AFE,LF

भाग स्टक: 13256

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, 1.2V Drive, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 250mA (Ta), Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 1.1 Ohm @ 150mA, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1V @ 100µA,

इच्छा सुची
SSM6P35FE,LM
Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6P35FE,LM

भाग स्टक: 173905

FET प्रकार: 2 P-Channel (Dual), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 100mA, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 8 Ohm @ 50mA, 4V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1V @ 1mA,

इच्छा सुची
SSM6P15FE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6P15FE(TE85L,F)

भाग स्टक: 13232

FET प्रकार: 2 P-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 100mA, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 12 Ohm @ 10mA, 4V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1.7V @ 100µA,

इच्छा सुची
SSM6N37CTD(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6N37CTD(TPL3)

भाग स्टक: 2957

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 250mA, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 2.2 Ohm @ 100mA, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1V @ 1mA,

इच्छा सुची
SSM6P41FE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6P41FE(TE85L,F)

भाग स्टक: 13283

FET प्रकार: 2 P-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 720mA, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 300 mOhm @ 400mA, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1V @ 1mA,

इच्छा सुची
TPC8405(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

TPC8405(TE12L,Q,M)

भाग स्टक: 3098

FET प्रकार: N and P-Channel, FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 6A, 4.5A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 26 mOhm @ 3A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2V @ 1mA,

इच्छा सुची
SSM6N357R,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6N357R,LF

भाग स्टक: 16211

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 60V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 650mA (Ta), Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 1.8 Ohm @ 150mA, 5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2V @ 1mA,

इच्छा सुची
SSM6P35FE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6P35FE(TE85L,F)

भाग स्टक: 121978

FET प्रकार: 2 P-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 100mA, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 8 Ohm @ 50mA, 4V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1V @ 1mA,

इच्छा सुची
SSM6L35FU(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6L35FU(TE85L,F)

भाग स्टक: 156233

FET प्रकार: N and P-Channel, FET फिचर: Logic Level Gate, 1.2V Drive, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 180mA, 100mA, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 3 Ohm @ 50mA, 4V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1V @ 1mA,

इच्छा सुची
SSM6L61NU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6L61NU,LF

भाग स्टक: 154751

FET प्रकार: N and P-Channel, FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 4A,

इच्छा सुची
SSM6N48FU,RF
Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6N48FU,RF

भाग स्टक: 3013

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 100mA, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 3.2 Ohm @ 10mA, 4V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1.5V @ 100µA,

इच्छा सुची
SSM6N7002BFU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6N7002BFU,LF

भाग स्टक: 154781

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 60V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 200mA, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 2.1 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 3.1V @ 250µA,

इच्छा सुची
SSM6N61NU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6N61NU,LF

भाग स्टक: 117701

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, 1.5V Drive, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 4A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 33 mOhm @ 4A, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1V @ 1mA,

इच्छा सुची
SSM6P49NU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6P49NU,LF

भाग स्टक: 154268

FET प्रकार: 2 P-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 4A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 45 mOhm @ 3.5A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1.2V @ 1mA,

इच्छा सुची
SSM6N16FUTE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6N16FUTE85LF

भाग स्टक: 9999

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 100mA, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 3 Ohm @ 10mA, 4V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1.1V @ 100µA,

इच्छा सुची
SSM6L36FE,LM
Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6L36FE,LM

भाग स्टक: 107404

FET प्रकार: N and P-Channel, FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 500mA, 330mA, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 630 mOhm @ 200mA, 5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1V @ 1mA,

इच्छा सुची
TPCP8203(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

TPCP8203(TE85L,F)

भाग स्टक: 2780

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 40V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 4.7A, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.5V @ 1mA,

इच्छा सुची
SSM6N7002BFE(T5L,F
Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6N7002BFE(T5L,F

भाग स्टक: 2844

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 60V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 200mA, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 2.1 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 3.1V @ 250µA,

इच्छा सुची
TPC8211(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

TPC8211(TE12L,Q,M)

भाग स्टक: 2801

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 5.5A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 36 mOhm @ 3A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.5V @ 1mA,

इच्छा सुची
TPC8213-H(TE12LQ,M
Toshiba Semiconductor and Storage

TPC8213-H(TE12LQ,M

भाग स्टक: 2813

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 60V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 5A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 50 mOhm @ 2.5A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.3V @ 1mA,

इच्छा सुची
TPC8208(TE12L,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

TPC8208(TE12L,Q)

भाग स्टक: 2694

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 5A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 50 mOhm @ 2.5A, 4V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1.2V @ 200µA,

इच्छा सुची
TPCF8201(TE85L,F,M
Toshiba Semiconductor and Storage

TPCF8201(TE85L,F,M

भाग स्टक: 2756

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 3A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 49 mOhm @ 1.5A, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1.2V @ 200µA,

इच्छा सुची
TPC8212-H(TE12LQ,M
Toshiba Semiconductor and Storage

TPC8212-H(TE12LQ,M

भाग स्टक: 2781

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 6A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 21 mOhm @ 3A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.3V @ 1mA,

इच्छा सुची
TPCP8401(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

TPCP8401(TE85L,F)

भाग स्टक: 3345

FET प्रकार: N and P-Channel, FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, 12V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 100mA, 5.5A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 3 Ohm @ 10mA, 4V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1.1V @ 100µA,

इच्छा सुची
TPC8208(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

TPC8208(TE12L,Q,M)

भाग स्टक: 2829

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 5A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 50 mOhm @ 2.5A, 4V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1.2V @ 200µA,

इच्छा सुची
TPC8207(TE12L)
Toshiba Semiconductor and Storage

TPC8207(TE12L)

भाग स्टक: 2650

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 6A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 20 mOhm @ 4.8A, 4V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1.2V @ 200µA,

इच्छा सुची