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डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एर्रेहरू

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MBRF40035
GeneSiC Semiconductor

MBRF40035

भाग स्टक: 1272

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 35V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 400A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 650mV @ 200A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
FST8330SM
GeneSiC Semiconductor

FST8330SM

भाग स्टक: 4061

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 30V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 80A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 650mV @ 80A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
FST8380M
GeneSiC Semiconductor

FST8380M

भाग स्टक: 6666

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 80V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 80A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 840mV @ 80A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
MURF10020R
GeneSiC Semiconductor

MURF10020R

भाग स्टक: 1328

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Anode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 100A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.3V @ 50A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
MURF10060
GeneSiC Semiconductor

MURF10060

भाग स्टक: 1344

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 100A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.7V @ 50A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
MURF20060R
GeneSiC Semiconductor

MURF20060R

भाग स्टक: 1221

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Anode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 200A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.7V @ 100A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
FST8340M
GeneSiC Semiconductor

FST8340M

भाग स्टक: 6765

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 40V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 80A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 650mV @ 80A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
MURF20040R
GeneSiC Semiconductor

MURF20040R

भाग स्टक: 1238

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Anode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 400V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 200A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.3V @ 100A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
FST8340SM
GeneSiC Semiconductor

FST8340SM

भाग स्टक: 4100

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 40V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 80A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 650mV @ 80A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
MURF20005R
GeneSiC Semiconductor

MURF20005R

भाग स्टक: 1265

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Anode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 50V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 200A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.3V @ 100A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
FST8330M
GeneSiC Semiconductor

FST8330M

भाग स्टक: 6675

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 30V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 80A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 650mV @ 80A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
FST83100SM
GeneSiC Semiconductor

FST83100SM

भाग स्टक: 4093

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 80A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 840mV @ 80A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
MURF20020R
GeneSiC Semiconductor

MURF20020R

भाग स्टक: 1218

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Anode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 200A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.3V @ 100A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
MURF10010
GeneSiC Semiconductor

MURF10010

भाग स्टक: 1316

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 100A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.3V @ 50A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
MURF20060
GeneSiC Semiconductor

MURF20060

भाग स्टक: 1224

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 200A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.7V @ 100A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
FST8320M
GeneSiC Semiconductor

FST8320M

भाग स्टक: 6735

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 20V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 80A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 650mV @ 80A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
FST8335M
GeneSiC Semiconductor

FST8335M

भाग स्टक: 6678

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 35V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 80A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 650mV @ 80A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
MBRF40035R
GeneSiC Semiconductor

MBRF40035R

भाग स्टक: 1270

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Anode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 35V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 400A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 650mV @ 200A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
MURF10040R
GeneSiC Semiconductor

MURF10040R

भाग स्टक: 1374

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Anode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 400V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 100A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.3V @ 50A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
MURF20010
GeneSiC Semiconductor

MURF20010

भाग स्टक: 1205

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 200A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.3V @ 100A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
MURF10005
GeneSiC Semiconductor

MURF10005

भाग स्टक: 4079

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 50V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 100A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.3V @ 50A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
MURF20010R
GeneSiC Semiconductor

MURF20010R

भाग स्टक: 1208

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Anode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 200A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.3V @ 100A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
FST8360M
GeneSiC Semiconductor

FST8360M

भाग स्टक: 6756

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 60V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 80A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 750mV @ 80A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
MURF10040
GeneSiC Semiconductor

MURF10040

भाग स्टक: 1369

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 400V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 100A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.3V @ 50A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
MURF20020
GeneSiC Semiconductor

MURF20020

भाग स्टक: 1241

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 200A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.3V @ 100A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
FST8380SM
GeneSiC Semiconductor

FST8380SM

भाग स्टक: 4049

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 80V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 80A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 840mV @ 80A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
FST8345SM
GeneSiC Semiconductor

FST8345SM

भाग स्टक: 4049

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 45V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 80A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 650mV @ 80A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
MURF20040
GeneSiC Semiconductor

MURF20040

भाग स्टक: 1258

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 400V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 200A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.3V @ 100A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
MBRT500100
GeneSiC Semiconductor

MBRT500100

भाग स्टक: 1089

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 500A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 880mV @ 250A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
MURF10020
GeneSiC Semiconductor

MURF10020

भाग स्टक: 1407

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 100A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.3V @ 50A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची