डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एर्रेहरू

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डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एर्रेहरू

GeneSiC Semiconductor

MBRTA40040RL

भाग स्टक: 4259

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Anode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 40V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 200A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 600mV @ 200A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

GeneSiC Semiconductor

MURF40040

भाग स्टक: 4322

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 400V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 200A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.3V @ 200A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

GeneSiC Semiconductor

MBRF20020

भाग स्टक: 4217

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 20V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 100A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 700mV @ 100A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

GeneSiC Semiconductor

MBRTA60080

भाग स्टक: 4271

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 80V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 300A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 840mV @ 300A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

GeneSiC Semiconductor

MBRTA500200

भाग स्टक: 4517

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 250A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 920mV @ 250A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

GeneSiC Semiconductor

MBRTA60020

भाग स्टक: 4512

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 20V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 300A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 700mV @ 300A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

GeneSiC Semiconductor

MBRTA800200R

भाग स्टक: 4309

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Anode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 400A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 920mV @ 400A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

GeneSiC Semiconductor

MBRTA60060

भाग स्टक: 4290

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 60V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 300A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 750mV @ 300A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

GeneSiC Semiconductor

MURF40060R

भाग स्टक: 4260

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Anode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 200A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.7V @ 200A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

GeneSiC Semiconductor

MBRTA60035RL

भाग स्टक: 4315

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Anode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 35V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 300A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 600mV @ 300A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

GeneSiC Semiconductor

MBRT40035RL

भाग स्टक: 5467

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Anode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 35V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 200A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 600mV @ 200A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

GeneSiC Semiconductor

MBRT40035L

भाग स्टक: 4257

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 35V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 200A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 600mV @ 200A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

GeneSiC Semiconductor

MBRF400200R

भाग स्टक: 4204

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Anode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 200A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 920mV @ 200A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

GeneSiC Semiconductor

MURF30020R

भाग स्टक: 4240

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Anode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 150A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1V @ 150A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

GeneSiC Semiconductor

MBRTA800100

भाग स्टक: 4261

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 400A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 840mV @ 400A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

GeneSiC Semiconductor

MURF30060R

भाग स्टक: 4301

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Anode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 150A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.7V @ 150A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

GeneSiC Semiconductor

MBRF30080R

भाग स्टक: 4271

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Anode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 80V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 150A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 840mV @ 150A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

GeneSiC Semiconductor

MBRF50020R

भाग स्टक: 4247

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Anode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 20V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 250A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 750mV @ 250A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

GeneSiC Semiconductor

MBRTA80030

भाग स्टक: 4236

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 30V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 400A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 720mV @ 400A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

GeneSiC Semiconductor

MURF40010

भाग स्टक: 4266

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 200A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1V @ 200A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

GeneSiC Semiconductor

MBRT30045RL

भाग स्टक: 4244

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Anode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 45V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 150A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 600mV @ 150A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

GeneSiC Semiconductor

MBRTA80040

भाग स्टक: 4266

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 40V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 400A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 720mV @ 400A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

GeneSiC Semiconductor

MBRTA40035L

भाग स्टक: 4307

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 35V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 200A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 600mV @ 200A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

GeneSiC Semiconductor

MBRF20030R

भाग स्टक: 4208

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Anode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 30V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 100A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 700mV @ 100A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

GeneSiC Semiconductor

FST6360M

भाग स्टक: 4243

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 60V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 30A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 750mV @ 30A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

GeneSiC Semiconductor

MBRF60020

भाग स्टक: 4460

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 20V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 300A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 650mV @ 300A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

GeneSiC Semiconductor

MBRF30080

भाग स्टक: 4203

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 80V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 150A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 840mV @ 150A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

GeneSiC Semiconductor

MBRF30020R

भाग स्टक: 4240

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Anode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 20V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 150A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 700mV @ 150A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

GeneSiC Semiconductor

MBRT40030L

भाग स्टक: 4265

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 30V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 200A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 580mV @ 200A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

GeneSiC Semiconductor

MBRT60040L

भाग स्टक: 4249

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 40V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 300A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 600mV @ 300A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

GeneSiC Semiconductor

MBR60020CTL

भाग स्टक: 4183

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 20V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 300A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 580mV @ 300A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

GeneSiC Semiconductor

MBRTA80040RL

भाग स्टक: 4251

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Anode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 40V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 400A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 600mV @ 400A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

GeneSiC Semiconductor

MBR30040CTL

भाग स्टक: 4245

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 40V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 150A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 600mV @ 150A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

GeneSiC Semiconductor

MBRTA60045RL

भाग स्टक: 4298

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Anode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 45V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 300A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 600mV @ 300A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

GeneSiC Semiconductor

FST16030L

भाग स्टक: 4245

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 30V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 80A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 600mV @ 80A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

GeneSiC Semiconductor

MBR60040CTRL

भाग स्टक: 4178

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Anode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 40V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 300A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 600mV @ 300A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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