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डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एर्रेहरू

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MBRTA60045R
GeneSiC Semiconductor

MBRTA60045R

भाग स्टक: 4222

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Anode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 45V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 300A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 700mV @ 300A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
MBRTA80045L
GeneSiC Semiconductor

MBRTA80045L

भाग स्टक: 4310

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 45V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 400A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 600mV @ 400A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
MBRTA800150R
GeneSiC Semiconductor

MBRTA800150R

भाग स्टक: 4310

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Anode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 150V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 400A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 880mV @ 400A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
MBRF40080
GeneSiC Semiconductor

MBRF40080

भाग स्टक: 4252

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 80V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 200A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 840mV @ 200A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
MURF30010
GeneSiC Semiconductor

MURF30010

भाग स्टक: 4437

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 150A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1V @ 150A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
MBRF400100
GeneSiC Semiconductor

MBRF400100

भाग स्टक: 4245

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 200A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 840mV @ 200A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
MBRF40030R
GeneSiC Semiconductor

MBRF40030R

भाग स्टक: 4263

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Anode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 30V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 200A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 700mV @ 200A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
MBRF40045
GeneSiC Semiconductor

MBRF40045

भाग स्टक: 4277

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 45V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 200A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 700mV @ 200A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
FST16035L
GeneSiC Semiconductor

FST16035L

भाग स्टक: 4432

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 35V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 80A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 600mV @ 80A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
MBRF12035
GeneSiC Semiconductor

MBRF12035

भाग स्टक: 4243

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 35V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 60A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 700mV @ 60A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
FST16040L
GeneSiC Semiconductor

FST16040L

भाग स्टक: 4172

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 40V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 80A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 600mV @ 80A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
MBRTA50045R
GeneSiC Semiconductor

MBRTA50045R

भाग स्टक: 4270

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Anode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 45V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 250A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 700mV @ 250A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
MBRTA80020
GeneSiC Semiconductor

MBRTA80020

भाग स्टक: 4268

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 20V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 400A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 720mV @ 400A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
MBRTA60040R
GeneSiC Semiconductor

MBRTA60040R

भाग स्टक: 4291

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Anode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 40V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 300A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 700mV @ 300A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
MBRF60035
GeneSiC Semiconductor

MBRF60035

भाग स्टक: 4229

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 35V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 300A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 650mV @ 300A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
FST7340M
GeneSiC Semiconductor

FST7340M

भाग स्टक: 4218

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 40V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 35A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 700mV @ 35A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
MBRTA50035
GeneSiC Semiconductor

MBRTA50035

भाग स्टक: 4218

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 35V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 250A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 700mV @ 250A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
MBRF12080R
GeneSiC Semiconductor

MBRF12080R

भाग स्टक: 4284

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Anode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 80V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 60A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 840mV @ 60A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
MBRTA50060R
GeneSiC Semiconductor

MBRTA50060R

भाग स्टक: 4234

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Anode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 60V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 250A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 750mV @ 250A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
MBRTA500100R
GeneSiC Semiconductor

MBRTA500100R

भाग स्टक: 4254

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Anode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 250A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 840mV @ 250A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
MBRTA500150
GeneSiC Semiconductor

MBRTA500150

भाग स्टक: 4222

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 150V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 250A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 880mV @ 250A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
MURF40020R
GeneSiC Semiconductor

MURF40020R

भाग स्टक: 4294

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Anode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 200A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1V @ 200A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
MBRF12040
GeneSiC Semiconductor

MBRF12040

भाग स्टक: 4234

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 40V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 60A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 700mV @ 60A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
MBRT40020L
GeneSiC Semiconductor

MBRT40020L

भाग स्टक: 4419

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 20V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 200A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 580mV @ 200A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
MBRF30030
GeneSiC Semiconductor

MBRF30030

भाग स्टक: 4289

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 30V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 150A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 700mV @ 150A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
MBRTA80040R
GeneSiC Semiconductor

MBRTA80040R

भाग स्टक: 4290

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Anode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 40V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 400A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 720mV @ 400A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
UFT14010
GeneSiC Semiconductor

UFT14010

भाग स्टक: 4261

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 70A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1V @ 70A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
MBRF20020R
GeneSiC Semiconductor

MBRF20020R

भाग स्टक: 4271

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Anode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 150V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 100A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 880mV @ 100A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
MBR40035CTL
GeneSiC Semiconductor

MBR40035CTL

भाग स्टक: 4250

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 35V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 200A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 600mV @ 200A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
MBRTA80020R
GeneSiC Semiconductor

MBRTA80020R

भाग स्टक: 4271

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Anode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 20V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 400A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 720mV @ 400A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
MBRTA600200R
GeneSiC Semiconductor

MBRTA600200R

भाग स्टक: 4263

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Anode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 300A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 920mV @ 300A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
MBR30045CTL
GeneSiC Semiconductor

MBR30045CTL

भाग स्टक: 4160

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 45V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 150A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 600mV @ 150A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
MBR60045CTRL
GeneSiC Semiconductor

MBR60045CTRL

भाग स्टक: 4210

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Anode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 45V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 300A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 600mV @ 300A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
MBRF60020R
GeneSiC Semiconductor

MBRF60020R

भाग स्टक: 4281

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Anode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 20V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 300A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 650mV @ 300A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
MBR30035CTRL
GeneSiC Semiconductor

MBR30035CTRL

भाग स्टक: 4165

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Anode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 35V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 150A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 600mV @ 150A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
UFT10060
GeneSiC Semiconductor

UFT10060

भाग स्टक: 4325

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 50A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.7V @ 50A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची